bump aroundとは 意味・読み方・使い方

To provide a chip packaging method and device that can efficiently increase the concentration of a purge gas around a bump actually requiring sealing from air, and can securely prevent the secondary oxidation of the bump.例文帳に追加

空気からのシールが実際に必要なバンプ周囲部分のパージガス濃度を効率よく上げることができ、バンプの二次酸化をより確実に防止可能なチップ実装方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 further includes a bump underlying metal film 50 formed on and around the opening in the second insulating layer 32.例文帳に追加

半導体装置１０は更に、第２の絶縁層３２の開口及びその周囲上に形成されたバンプ下金属膜５０を有する。 - 特許庁

On the insulation protective layer 5, a metal thin film 6 which has oxidation treatment parts 6a around the bump terminals 7a, 7b is formed to cover the layer 5.例文帳に追加

そして、前記絶縁保護層５上に、バンプ端子７a、7ｂの周囲が酸化処理６aを有する金属薄膜6を被覆形成した。 - 特許庁

To provide a semiconductor device prevented in development of a crack around a bump and therefore disconnection or short-circuiting of a circuit by dispersing stress applied to the bump, and improved in connection reliability when mounted on a mounting board.例文帳に追加

バンプにかかる応力を分散することにより、バンプ周辺でのクラックの進展、ひいては回路の断線や短絡を防止し、実装基板に実装した際の接続信頼性が向上した半導体装置を提供する。 - 特許庁

To prevent a residue of flux from remaining around a side of a bump in a semiconductor chip and a semiconductor device including the same.例文帳に追加

半導体チップ及び該半導体チップを備えた半導体装置において、バンプの側部の周囲に、フラックスの残渣が残留することを防止する。 - 特許庁

A via bump 17 is formed so as to penetrate both the flat board 11 and the frame- like board 12 around the housing recessed part 14.例文帳に追加

また、収容凹部１４を取り囲む周囲部分には、平坦基板１１と枠型基板１２との双方を貫通してビアバンプ１７が形成されている。 - 特許庁

The contact 54 is connected to the second portion 34 in an area overlapped with the bump 70 around the first portion 32 of the electrical pad 30.例文帳に追加

コンタクト部５４を、バンプ７０とオーバーラップする範囲内であって、電極パッド３０の第１の部分３２を避けて第２の部分３４に接続する。 - 特許庁

In thermocompression-bonding of an X driver IC 7 onto a substrate 2, electrically conductive particles 11 and resin 10 flow through along tilting planes 7d, 7e of output bump electrodes 7b without being intercepted by the side faces of the output bump electrodes 7b and staying around the output bump electrodes 7b.例文帳に追加

ＸドライバＩＣ７を基板２上に熱圧着する際に、導電粒子１１及び樹脂１０が出力バンプ電極７ｂの側面に堰き止められて出力バンプ電極７ｂの周りに滞留することなく、出力バンプ電極７ｂの傾斜面７ｄ、７ｅに沿って流動することが可能となる。 - 特許庁