cap pとは 意味・読み方・使い方

On an n-GaAs substrate 21, an n-AlGaAs clad layer 22, an undoped AlGaAs optical guide layer 23, an undoped active layer 24, an undoped AlGaAs optical guide layer 25, a p-AlGaAs clad layer 25, and a p-GaAs cap layer 27 are in sequence laminated.例文帳に追加

n-GaAs基板21の上に、n-AlGaAsクラッド層22、アンドープAlGaAs光ガイド層23、アンドープ活性層24、アンドープAlGaAs光ガイド層25、p-AlGaAsクラッド層26、p-GaAsキャップ層27を順次積層する。 - 特許庁

A p-InP clad layer 36 and p-cap layer 38 are laminated on the mesa and the n-current block layer 34.例文帳に追加

メサ及びｎ−電流ブロック層上に、ｐ−ＩｎＰクラッド層３６、ｐ−キャップ層３８が積層されている。 - 特許庁

An n-type clad layer 2, an n-type light containment layer 3, an undoped MQW layer 4, a cap layer 5, a p-type light containment layer 6, a p-type clad layer 7 and a p-type contact layer 8 are sequentially grown on an n-type GaN substrate 1, and LD structure is obtained.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１上にｎ型クラッド層２、ｎ型光閉じ込め層３、アンドープMQW層４、キャップ層５、p型光閉じ込め層６、p型クラッド層７、p型コンタクト層８を順次成長させてLD構造を得た。 - 特許庁

A P-type transistor cap film 108 is formed by introducing an ion 107 to the N-type transistor cap film 104 located in the P-type transistor area Rp.例文帳に追加

Ｐ型トランジスタ領域Ｒｐに位置するＮ型トランジスタ用キャップ膜１０４にイオン１０７を導入することにより、Ｐ型トランジスタ用キャップ膜１０８を形成する。 - 特許庁

All of a p-type cap layer 6, a p-type clad layer 7, a p^--type contact layer 8, and a p^+-type contact layer 9 which consist of a crystalline nitride semiconductor, already contain a p-type dopant, and are formed in this order.例文帳に追加

予めｐ型不純物を含有する状態で、結晶性の窒化物半導体からなるｐ型キャップ層６，ｐ型クラッド層７，ｐ^-型コンタクト層８、およびｐ^+型コンタクト層９を、この順に成膜する。 - 特許庁

The wheel speed sensor P is laterally provided inside the hub cap 3 left as a dead space in a conventional one.例文帳に追加

車輪速センサＰは、従来デットスペースであったハブキャップ３内に横向きに設ける。 - 特許庁

A ridge section is formed on the p-type AlGaN clad layer 8 and a p-type GaN cap layer 9 is formed on the upper surface of the ridge section.例文帳に追加

ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層８にリッジ部が形成され、リッジ部上面にｐ−ＧａＮキャップ層９が形成されている。 - 特許庁

This device 2 is provided with a contact layer 5 composed of p-BeTe, a cap layer 4 on the contact layer 5 which layer 4 is composed of p-ZnSe, and an electrode 3 on the cap layer 4.例文帳に追加

この装置２は、ｐ−ＢｅＴｅからなるコンタクト層５と、コンタクト層５上のｐ−ＺｎＳｅからなるキャップ層４と、キャップ層４上の電極３とを備えている。 - 特許庁