carrier conductionとは 意味・読み方・使い方

In this semiconductor light emitting element formed by successively laminating a carrier injection layer presenting one conduction type, an active layer presenting an opposite conduction type and a clad layer on a semiconductor substrate presenting one conduction type and provided with an electrode on the back surface side of the semiconductor substrate and on the clad layer, a light absorbing layer is interposed on the lower side of the carrier injection layer.例文帳に追加

一導電型を呈する半導体基板上に、一導電型を呈するキャリア注入層、逆導電型を呈する活性層、およびクラッド層とを順次積層して形成し、この半導体基板の裏面側とクラッド層上に電極を設けた半導体発光素子において、前記キャリア注入層の下側に光吸収層を介在させた。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a tape carrier without generating a conduction inferiority between the land of a package and the terminal of a matter to be mounted when mounting the package punched for every circuit pattern from the tape carrier.例文帳に追加

テープキャリアから回路パターン毎に打ち抜いたパッケージを実装するとき、パッケージのランドと被実装物の端子との間に導通不良を生じない、テープキャリアの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

Since the joint terminal 10 utilizes the carrier bar, which is necessary in the pressing process, and can secure electrical conduction by it, a short circuit terminal as a separate component is not necessary.例文帳に追加

ジョイント端子１０は、そのプレス加工時に必要なキャリアバーを利用して電気的導通を確保できるから、別部品の短絡端子が不要である。 - 特許庁

Since a heterobarrier wall is high at the interface of the emission layer 3 and the p-type clad layer 5, such a structure as carrier overflow does not occur easily on the conduction band side is attained.例文帳に追加

したがって、発光層３とｐ型クラッド層５との界面のヘテロ障壁が高く、伝導帯側でキャリアオーバーフローが生じ難い構造になっている。 - 特許庁

To provide a chip module comprising a contact array arranged at a carrier substrate and a semiconductor chip connection contact connected to the contact array in electric conduction.例文帳に追加

キャリア基板に配置された接点アレイと、当該接点アレイに導電的に接続された半導体チップ接続接点とを有するチップモジュールを提供する。 - 特許庁

The bumps 9 formed on the one edges of the conduction paths 7 are brought into contact with electrodes 12 provided to a semiconductor device 3, and the semiconductor device 3 is mounted on a film carrier 2.例文帳に追加

導通路７の片端部に形成されたバンプ９を半導体素子３の電極１２に接触させ、フィルムキャリア２に半導体素子３を搭載する。 - 特許庁

First and second carrier block layers 19b and 21b provide a potential barrier against electrons in a conduction band E_c2 in an active layer 15.例文帳に追加

第１及び第２のキャリアブロック層１９ｂ、２１ｂは、活性層１５における伝導帯Ｅ_Ｃ２において電子に対するポテンシャル障壁を提供する。 - 特許庁

Energy level on the bottom of conduction band of the floating gate is set lower than the energy level on the bottom of conduction band in the channel forming region of the semiconductor layer in order to enhance carrier injection properties, thus enhancing the charge retention characteristics.例文帳に追加

半導体層のチャネル形成領域の伝導帯の底のエネルギーレベルより、浮遊ゲートの伝導帯の底のエネルギーレベルを低くすることにより、キャリアの注入性を向上させ、電荷保持特性を向上させるためである。 - 特許庁