copper thick film layerとは 意味・読み方・使い方

In the multiplayer printed-wiring board, the IC chip 20 is located in a core board 30 in advance, a transition layer 38 consisting of a first thin film layer 33, a second thin film layer 36, and a thick film 37 are located on a copper die pad 24 of the IC chip 20.例文帳に追加

多層プリント配線板は、コア基板３０にＩＣチップ２０を予め内蔵させて、該ＩＣチップ２０の銅製のダイパッド２４には、第１薄膜層３３，第２薄膜層３６、厚付け膜３７からなるトラジション層を３８を配設させている。 - 特許庁

A thick via 51 is formed on the upper face of an upper electrode 35 of a capacitor formed in a predetermined wiring layer, and a via 60a thinner than the thick via 51 and copper wiring 61a arranged in a wiring layer formed at the upper part of the predetermined wiring layer are successively formed through the diffusion stopper film of copper at the upper part of the via 51.例文帳に追加

所定の配線層中に形成されたキャパシタの上部電極３５上面に太いビア５１が形成され、このビア５１上方には銅の拡散ストッパ膜を介し、前記所定の配線層の上部に形成された配線層に配置され太いビア５１より細いビア６０ａおよび銅配線６１ａが順次形成される。 - 特許庁

In the multilayer printed-wiring board, the IC chip 20 is built in a core board 30 in advance, and a transit layer 38 which is composed of a first thin-film layer 33, a second thin-film layer 36 and a thick layer 37 is arranged and installed at a copper die pad 24 on the IC chip 20.例文帳に追加

多層プリント配線板は、コア基板３０にＩＣチップ２０を予め内蔵させて、該ＩＣチップ２０の銅製のダイパッド２４には、第１薄膜層３３，第２薄膜層３６、厚付け膜３７からなるトラジション層を３８を配設させている。 - 特許庁

In the second step, the cold spray device 30 jets second copper powder 42 having a particle diameter R2 greater than the particle diameter R1 of the first copper powder, and smaller than a dimension V2 from the surface of the underlayer 21 to an interface between the aluminum film 12 and the silicon layer 11, and thereby a thick film layer 22 is formed overlaid on the underlayer 21.例文帳に追加

第２工程では、コールドスプレー装置３０が、第１銅粉末の粒径Ｒ１より大きく且つ下地層２１の表面からアルミ膜１２とシリコン層１１との境界面までの寸法Ｖ２より小さい粒径Ｒ２の第２銅粉末４２を噴射することにより下地層２１に重ねて厚膜層２２を形成する。 - 特許庁

In a copper clad flexible circuit board in which a thermosetting polyimide film 1 is a base film together with its manufacturing method, a thermoelastic polyimide layer 2, a 10 to 200 nm thick metal layer 3 and composed of at least one type of metal selected from a group containing Ni, Cr, Co and Mo, and a copper layer 4 are formed in this order on the thermosetting polyimide film 1.例文帳に追加

熱硬化型ポリイミドフィルム１をベースフィルムとするフレキシブル銅張回路基板において、熱硬化型ポリイミドフィルム１上に、熱可塑型ポリイミド層２、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、及びＭｏからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属からなる厚み１０〜２００ｎｍの金属層３、及び銅層４がこの順に形成されていることを特徴とするフレキシブル銅張回路基板、並びにその製造方法。 - 特許庁

An electrode layer 5 is formed by screen printing a thick-film electrode pattern of conductive paste, composed of glass powder containing no lead components, copper or silver-based metal powder, binder resin and organic solvent onto an insulating ceramic substrate 1, and then the electrode layer 5 is subjected to metal plating 6.例文帳に追加

鉛成分を含有しないガラス粉末、銅系または銀系の金属粉末、バインダー樹脂及び有機溶剤よりなる導体ペーストを絶縁性セラミック基板１に電極パターン厚膜スクリーン印刷して電極層５を形成し、該電極層５に金属メッキ６を施した電極基板の製造方法。 - 特許庁

On a wiring substrate 100, a wiring layer 12 and a flip-chip connection terminal 13 are formed on an insulating base material 11, and the flip-chip connection terminal 13 is formed by forming a 1 μm or more thick silver film on the copper metal and furthermore, the silver film is formed by electrolytic silver plating with a current density of 1 to 50 A/dm2.例文帳に追加

本発明の配線基板１００は、絶縁基材１１上に配線層１２及びフリップチップ接続用端子１３が形成されており、フリップチップ接続用端子１３は銅金属上に膜厚１μｍ以上の銀膜が形成されたもので、さらに、銀膜が１〜５０Ａ／ｄｍ^2の電流密度で電解銀めっきにて形成されたものである。 - 特許庁