edge breakdownとは 意味・読み方・使い方

To provide an FPD that eliminates electric field concentration on the outer peripheral edge of a bias electrode for high-oltage application and that will not cause discharge breakdown.例文帳に追加

高電圧印加用バイアス電極の外周縁部への電界集中をなくし、放電破壊の生じないＦＰＤを提供する。 - 特許庁

To prevent the breakdown strength of a high-breakdown voltage gate oxide film from being reduced due to the residues of a conductive material contained in a gate electrode at the edge of a high withstand voltage gate electrode in a semiconductor device, having both of a high-breakdown voltage FET and a low-voltage FET on the same semiconductor chip.例文帳に追加

同一の半導体チップ上に高耐圧ＦＥＴと低電圧ＦＥＴの両方を有する半導体装置において高耐圧部ゲート電極のエッジ部でゲート電極の導電物質残りによって高耐圧ゲート酸化膜の破壊耐圧が低下するのを防止する。 - 特許庁

In a reverse blocking semiconductor element device, a groove is provided in a main wiring for soldering elements and facing an edge of the element to raise dielectric breakdown voltage and to ensure high breakdown voltage in the backward direction.例文帳に追加

また逆阻止半導体装置において、素子を半田付けする主配線には素子の端部に対向して溝を設けて端部と主配線間の絶縁破壊電圧を高くし、高い逆方向耐圧を確保する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, capable of excluding influences of parasitic effects and preventing a reduction in a breakdown voltage of an oxide film near its edge part in the edge part of an element region part forming a semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子が形成される素子領域部のエッジ部において、寄生効果の影響を排除でき、そのエッジ部近傍の酸化膜の耐圧低下を防止できる半導体装置などの提供。 - 特許庁

As a result, the concentration of an electrical field to the edge 2A of the voltage applying electrode is eliminated, and the preliminary phenomenon of through discharge and discharge breakdown do not occur.例文帳に追加

その結果、電圧印加電極端縁部２Ａへの電界集中がなくなり、貫通放電の前段現象や、放電破壊が起こらなくなる。 - 特許庁

It is estimated that a voltage applied to the objective region when the edge position of the depleted layer reaches a predetermined position, is a breakdown voltage of the semiconductor device.例文帳に追加

空乏層のエッジ位置が対象領域内の所定位置に達したときの対象領域への印加電圧を半導体装置の耐圧と推定する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor which can be utilized as a high breakdown voltage semiconductor device by relaxing the concentration of high electric field at a field plate end edge.例文帳に追加

電界効果トランジスタにおいて、フィールドプレート終端での高電界の集中を緩和し、もって高耐圧半導体装置として利用可能とする。 - 特許庁

Then, since the sectional shape of the edge of the scanning signal line 2 is in a tapered shape, the insulating breakdown voltage of a gate insulating film 12 can be improved.例文帳に追加

すると、特に、走査信号ライン２のエッジの断面形状がテーパ状となるので、ゲート絶縁膜１２の絶縁耐圧を向上することができる。 - 特許庁