electron number densityとは 意味・読み方・使い方

To increase the number and density of primary electron beamlet spots formed at a time while maintaining a desired image forming resolution of an electron microscope device.例文帳に追加

電子顕微鏡装置の所望の結像解像度を維持しながら、一度に形成される一次電子ビームスポットの数や、密度を高める。 - 特許庁

To provide an ionosphere electron density distribution estimation system capable of estimating an electron density distribution on an ionosphere by estimating accurately the total electron number on the propagation route ionosphere, and a positioning system.例文帳に追加

伝播経路電離層総電子数を精度よく推定して電離層の電子密度分布を推定する電離層電子密度分布推定システム及び測位システム。 - 特許庁

Since electron beams are irradiated from a large number of emitting holes 36, plasma density inside the plasma expansion chamber 16 can be made small.例文帳に追加

多数の放出孔３６から電子線が照射されるので、プラズマ拡張室１６内部のプラズマ密度を低くすることができる。 - 特許庁

To provide a coherent electron source and a device applying the coherent electron source for extracting coherent electron beams, directly from a solid by field emission using the wave property of electrons and capable of controlling the number of beams, the emission direction, electron density distribution and brightness.例文帳に追加

電子の波動性を利用して、コヒーレント電子ビームを電界放出によって直接固体から取り出し、ビームの本数、放出方向、電子密度分布、輝度を制御可能なコヒーレント電子源および前記コヒーレント電子源を適用した装置を提供することを目的とし、 - 特許庁

Further, a metal density in a range from the surface of the electron emission film to the depth of 10 nanometers is set up to be 0.1 to 40 atom% against the carbon atomic number included in the electron emission film.例文帳に追加

さらに、電子放出膜の表面から１０ｎｍまでの範囲における金属の濃度を、電子放出膜中に含まれる炭素原子数に対し０．１原子％以上４０原子％以下とする。 - 特許庁

The electron beam light source for irradiating an electron current EF against a target T, is provided with a plurality of number of electron guns 10 which are arranged two-dimensionally and which form electron beams EB, and a third grid 5 which forms the electron current EF, by making the current density have a Gaussian distribution and by making them overlapped.例文帳に追加

ターゲットＴに電子流ＥＦを照射するための電子線光源において、二次元配列され、電子ビームＥＢを形成する複数の電子銃１０と、前記電子銃１０により形成される電子ビームＥＢの電流密度をガウシアン分布とし、これらをオーバーラップさせることで、前記電子流ＥＦを形成する第３グリッド５とを具備する。 - 特許庁

To provide a method that dispenses with a large-scale apparatus and a number of processes, such as a photolithography process, and can accurately and easily measure the electric characteristics of an SOI wafer, such as electron mobility, interface level density, hole mobility, and BOX layer charge density.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程のような大掛かりな装置と多数の工程を必要せず、電子移動度や界面準位密度、正孔移動度、ＢＯＸ層電荷密度などのようなＳＯＩウエーハの電気特性を正確かつ簡便に測定する方法を提供する。 - 特許庁