films formationとは 意味・読み方・使い方

Oxide films 15 are formed on the substrate 11 around the trenches 14 and in the element formation areas 12.例文帳に追加

酸化膜１５は、トレンチ１４周囲の基板１１及び素子形成領域１２に形成されている。 - 特許庁

As a result, formation of oxide films on the surfaces of the semiconductor wafers can be restrained.例文帳に追加

これにより、半導体ウェハ表面における酸化膜を生成を抑制することができる。 - 特許庁

The above sputtering target can be suitably used for the formation of Nb films 6 as liner material for Al wirings 3, 7.例文帳に追加

これらスパッタターゲットは、Ａｌ配線のライナー材としてのＮｂ膜の形成に好適である。 - 特許庁

To provide a film formation device and a film formation method which form films having excellent surface flatness.例文帳に追加

表面平坦性に優れる被膜を形成可能な被膜形成装置および被膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To suppress the formation of undesirable natural oxide films on the boundary planes between a semiconductor substrate and gate insulating films of MIS-FETs, which have the respective gate insulation films with thicknesses different from each other in a process in which the MIS-FETS are formed on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の厚さが互いに異なるＭＩＳＦＥＴを同一基板上に形成するプロセスにおいて、半導体基板とゲート絶縁膜との界面に不所望の自然酸化膜が形成されることを抑制する。 - 特許庁

First films 4 and 7 of Ni or NiCr, second films 5 and 8 of Pd, and third films 6 and 9 of Au are formed successively on the primary surfaces 2 and 3 of a dielectric board 1 for the formation of electrodes.例文帳に追加

誘電体基板１の両主面２，３にそれぞれＮｉまたはＮｉＣｒからなる第１の膜４，７と、Ｐｄからなる第２の膜５，８と、Ａｕからなる第３の膜６，９とを順に積層した電極を形成する。 - 特許庁

Also, an information recording medium of multi-layers can be formed by repeating formation of the light transmission layers 6 and formation of each kind film in the same way after forming recording films and reflection films are formed on the surface of the information signal layer 13.例文帳に追加

また、第２の情報信号層１３の表面に記録膜や反射膜を成膜した後に同様に光透過層６の形成や各種膜の形成を繰り返すことにより、多層の情報記録媒体を形成できる。 - 特許庁

Before forming an emitter polysilicon 15, sidewall insulating films are formed at an opening at the upper part of an emitter formation area, resist is embedded in between the sidewall insulating films, and the upper parts of the sidewall insulating films are etching-removed to lower the heights of the sidewall insulating films.例文帳に追加

エミッタポリシリコン１５を形成する前には、エミッタ形成領域上部の開口に側壁絶縁膜が形成されており、側壁絶縁膜間にレジストを埋め込んで、側壁絶縁膜の上部をエッチング除去し、側壁絶縁膜の高さを低くする。 - 特許庁