「films formation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The multilayered films for pattern formation has the first lower layer film, the second lower layer film and the resist film.例文帳に追加

パターン形成用多層膜は、第一下層膜、第二下層膜およびレジスト被膜を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device that reduces warpage in the product after formation of final protective films.例文帳に追加

最終保護膜形成後の製品のそりを低減した半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Oxide films 15 are formed on the substrate 11 around the trenches 14 and in the element formation areas 12.例文帳に追加

酸化膜１５は、トレンチ１４周囲の基板１１及び素子形成領域１２に形成されている。 - 特許庁

As a result, formation of oxide films on the surfaces of the semiconductor wafers can be restrained.例文帳に追加

これにより、半導体ウェハ表面における酸化膜を生成を抑制することができる。 - 特許庁

The above sputtering target can be suitably used for the formation of Nb films 6 as liner material for Al wirings 3, 7.例文帳に追加

これらスパッタターゲットは、Ａｌ配線のライナー材としてのＮｂ膜の形成に好適である。 - 特許庁

To provide a film formation device and a film formation method which form films having excellent surface flatness.例文帳に追加

表面平坦性に優れる被膜を形成可能な被膜形成装置および被膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To suppress the formation of undesirable natural oxide films on the boundary planes between a semiconductor substrate and gate insulating films of MIS-FETs, which have the respective gate insulation films with thicknesses different from each other in a process in which the MIS-FETS are formed on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の厚さが互いに異なるＭＩＳＦＥＴを同一基板上に形成するプロセスにおいて、半導体基板とゲート絶縁膜との界面に不所望の自然酸化膜が形成されることを抑制する。 - 特許庁

First films 4 and 7 of Ni or NiCr, second films 5 and 8 of Pd, and third films 6 and 9 of Au are formed successively on the primary surfaces 2 and 3 of a dielectric board 1 for the formation of electrodes.例文帳に追加

誘電体基板１の両主面２，３にそれぞれＮｉまたはＮｉＣｒからなる第１の膜４，７と、Ｐｄからなる第２の膜５，８と、Ａｕからなる第３の膜６，９とを順に積層した電極を形成する。 - 特許庁

Also, an information recording medium of multi-layers can be formed by repeating formation of the light transmission layers 6 and formation of each kind film in the same way after forming recording films and reflection films are formed on the surface of the information signal layer 13.例文帳に追加

また、第２の情報信号層１３の表面に記録膜や反射膜を成膜した後に同様に光透過層６の形成や各種膜の形成を繰り返すことにより、多層の情報記録媒体を形成できる。 - 特許庁

Before forming an emitter polysilicon 15, sidewall insulating films are formed at an opening at the upper part of an emitter formation area, resist is embedded in between the sidewall insulating films, and the upper parts of the sidewall insulating films are etching-removed to lower the heights of the sidewall insulating films.例文帳に追加

エミッタポリシリコン１５を形成する前には、エミッタ形成領域上部の開口に側壁絶縁膜が形成されており、側壁絶縁膜間にレジストを埋め込んで、側壁絶縁膜の上部をエッチング除去し、側壁絶縁膜の高さを低くする。 - 特許庁

By a plasma CVD film formation method, silicon dioxide insulating films 6, 8, 32 and a silicon nitride insulating film as a diffusion preventive film in the interface between the films and copper wiring 7, 31, oxynitride silicon insulating films B, B2, B5, silicon nitride films B1, B3 or a copper silicide film B4 are formed continuously.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ成膜法により、二酸化シリコン絶縁膜６，８，３２、および、この膜と銅配線７，３１との界面における拡散等防止膜としての窒化シリコン絶縁膜、酸化シリコン窒化物絶縁膜Ｂ，Ｂ２，Ｂ５、窒化シリコン膜Ｂ１，Ｂ３または、銅シリサイド膜Ｂ４を連続して成膜する。 - 特許庁

The equipment is provided with a film formation means 11 with a solution 15 containing chemical species for the formation of films on a flexible base plate 20, the first roll 12 for supplying the base plate 12 to the film formation means 11 and the second roll 13 for winding up the base plate 20 with films formed thereon.例文帳に追加

可撓性を有する基板２０上に膜を形成するための化学種を含む溶液１５を備える膜形成手段１１と、膜形成手段１１に基板２０を供給するための第１のロール１２と、膜が形成された基板２０を巻き取るための第２のロール１３とを備える。 - 特許庁

To provide a lead-free cation electrodeposition coating composition excellent in surface smoothness effect on the formation of anti-corrosive coating films by electrodeposition coating.例文帳に追加

電着塗装による防錆性塗膜形成において表面平滑効果が優れた、無鉛性カチオン電着塗料組成物を提供すること。 - 特許庁

Formation of the contour shape and patterning of the electrode films of desired shapes are carried out by laser machining.例文帳に追加

輪郭形状形成、及び所望の形状の電極膜のパターン形成をレーザー加工によって行う。 - 特許庁

Then nitrogen or fluorine is implanted in the semiconductor substrate 1 in the transistor formation region 220, 230 through the gate insulating films 3 (or 6).例文帳に追加

そして、ゲート絶縁膜３（または６）越しに、トランジスタ形成領域２２０，２３０の半導体基板１に対して、窒素またはフッ素を注入する。 - 特許庁

To obtain an electrodeposition coating well balanced in throwing power, electrodeposition suitability of anticorrosive steel plates and anticorrosive properties in formation of coated films on automobile bodies.例文帳に追加

自動車ボディの塗膜形成において、つきまわり性、防錆鋼板の電着塗装適性、防食性のバランスのとれた電着塗料を開発すること。 - 特許庁

Semiconductor thin films 3, 4, and 5 are formed on an invar alloy substrate 14 through the intermediary of an adhesive layer 15 for the formation of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体薄膜３、４、５が、接着層１５を介して、インバー型合金基板１４に形成された半導体素子。 - 特許庁

After that, resin films having groove-shape recesses are formed over a plurality of regions on the formation substrate collectively.例文帳に追加

その後、形成用基板の複数の領域にわたって溝状の凹部を有する樹脂膜を一括して形成する。 - 特許庁

Gate insulating films 3 (or 6) are formed on the semiconductor substrate 1 in the transistor formation region 220, 230.例文帳に追加

そして、トランジスタ形成領域２２０，２３０の半導体基板１上に、ゲート絶縁膜３（または６）を形成する。 - 特許庁

Formation of first silicon oxide films is started on the inner surfaces of the trenches formed on a surface or an upper part of a semiconductor substrate by using the HDP method.例文帳に追加

半導体基板の表面上又は上方に形成された溝の内面にＨＤＰ法による第１のシリコン酸化膜の成膜をスタートする。 - 特許庁

To prevent fluctuation of film thickness when formation of polysilicon films, using a BCl_3 gas is continuously carried out a plurality number of times.例文帳に追加

ＢＣｌ_３ガスを用いたポリシリコン膜の形成を複数回、連続して実施する際の膜厚の変動を防止する。 - 特許庁

Element isolating insulation films 4 which demarcate stripe-like element formation regions 2 are embedded in a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１にストライブ状の素子形成領域２を区画する素子分離絶縁膜４が埋め込まれる。 - 特許庁

To enable the formation of few resin films with the thickness uniform and climax in the ends of a magnet element assembly.例文帳に追加

厚さが均一で磁石素体の端部における盛り上がりも少ない樹脂被膜の形成を可能とする。 - 特許庁

To provide the method for manufacturing a semiconductor element with which the efficient formation of conductor plugs and the minimization of the steps of interlayer insulating films can be realized.例文帳に追加

効率的な伝導体プラグの形成及び層間絶縁膜の段差の最小化を実現することができる半導体素子の製造方法に関する。 - 特許庁

To provide a surface-treating agent which can inhibit the formation of coating films on a different kind of metal and can reduce environmental loads.例文帳に追加

異種金属上への皮膜形成を抑制できる上、環境負荷を低減できる表面処理剤を提供する。 - 特許庁

METALLIC MATERIAL IN WHICH OXIDIZED PASSIVE FILM HAS BEEN FORMED, FORMATION OF THE OXIDIZED PASSIVE FILM AND DIE AND PARTS IN WHICH THE OXIDIZED PASSIVE FILMS HAVE BEEN FORMED例文帳に追加

酸化不動態膜が形成された金属材料、該酸化不動態膜の形成方法、並びに該酸化不動態膜が形成された金型及び部品 - 特許庁

To provide a method with which formation of notches and residues can be suppressed when plasma-etching Al films by using hard masks.例文帳に追加

ハードマスクを用いてＡｌ膜をプラズマエッチングする場合において、ノッチ形成や残渣の発生を抑制することのできる方法を提供すること。 - 特許庁

At the formation of storage nodes 13, in addition, insulating films are embedded in recess before starting CMP.例文帳に追加

また、記憶ノード１３の形成において、ＣＭＰ法による研磨を行う前に、凹部にあらかじめ絶縁膜を埋め込んでおく。 - 特許庁

To provide thin film formation apparatus capable of manufacturing good thin films on a large substrate that can be installed in a small floor space.例文帳に追加

大面積基板に良好な薄膜が形成可能で設置床面積の小さい薄膜形成装置を提供する。 - 特許庁

First masking films 16 are formed on a metal plate 11, and then the metal plate 11 is subjected to half etching for the formation of nearly conical metal bumps 11B.例文帳に追加

金属板１１上に第１のマスキング１６を形成してハーフエッチングを施して略円錐形の金属バンプ１１Ｂを形成する。 - 特許庁

First masking films 20 are formed on a metal plate 11, and then the metal plate 11 is subjected to half etching for the formation of nearly conical metal bumps 11B.例文帳に追加

金属板１１上に第１のマスキング２０を形成してハーフエッチングを施して略円錐形の金属バンプ１１Ｂを形成する。 - 特許庁

A plurality of layers of protection films 20A and 20B are provided on an active element formation surface 18 of a semiconductor chip 10.例文帳に追加

半導体チップ１０の能動素子形成面１８に、複数層の保護膜２０Ａ、２０Ｂを設けている。 - 特許庁

A battery cell 50 includes two battery elements, two armoring films 24 for sealing them and a passage formation member 30.例文帳に追加

電池セル５０は、２つの電池要素と、それを密閉する２枚の外装フィルム２４と、通路形成部材３０とを有している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ceramic electronic part by which polishing treatment for removal of oxide films can be eliminated in the formation step of an external electrode.例文帳に追加

外部電極の形成工程において酸化膜除去のための研磨処理を不要にできるセラミック電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminated type polymer optical waveguide has stages of (1) manufacturing the two or more waveguide films; (2) laminating the two or more waveguide films by the setting resin for clad formation; and (3) forming the plurality of the strip structures on the laminate of the laminated waveguide films.例文帳に追加

１）２枚以上の導波路フィルムを作製する工程、２）２枚以上の導波路フィルムをクラッド形成用硬化性樹脂により積層する工程３）積層した導波路フィルムの積層体に複数の短冊状構造を形成する工程。 - 特許庁

Each of the metal oxide films 8a-8c is annealed at a temperature lower than the crystallization temperature in each formation of the film to make each of the metal oxide films 8a-8c amorphous.例文帳に追加

このとき、各金属酸化物膜膜８ａ、８ｂ、８ｃの成膜の度に結晶温度以下の温度でのアニールを行い、各金属酸化物膜８ａ、８ｂ、８ｃをアモルファスとする。 - 特許庁

To provide a method for forming chromium plating films by which an additional improvement in corrosion resistance is made possible and products having stable quality can be obtained in the formation of the chromium plating films making combination use of a blasting treatment.例文帳に追加

ブラスト処理を併用したクロムめっき被膜の形成において、より一層の耐食性の向上が可能で、しかも安定した品質の製品が得られるクロムめっき被膜の形成方法。 - 特許庁

Use of the sacrificial film 6 disposes of formation of the resist pattern in the trench 4 in forming first and second insulation films (silicon oxide films 8 and 5) different in thickness in the trench 4.例文帳に追加

犠牲膜６を用いることにより、トレンチ４内に膜厚の異なる第１,第２の絶縁膜(シリコン酸化膜８,５)を形成するに際してトレンチ４内にレジストパターンを形成する必要を無くすることができる。 - 特許庁

Lattice consistency with a foundation surface is improved in the case of the formation of the charge storage films CHS in the charge storage films CHS formed in this manner, and the incubation time is shortened.例文帳に追加

このように形成された電荷蓄積膜ＣＨＳは、その形成時に下地面との格子整合性が改善され、インキュベーション時間が低減した。 - 特許庁

To provide the painting method of galvanized steel structure enabling formation of multilayered coating films with extremely excellent adhesiveness with a base and corrosion resistance, even in a case of a film thickness of the multilayered coating films of 200 μm or less.例文帳に追加

複層塗膜の膜厚が200μm以下の場合であっても素地との付着性や防食性に非常に優れた複層塗膜を形成できる亜鉛めっき処理鋼構造物の塗装方法を提供する。 - 特許庁

The magnet 4 and the mask 5 move together and only the particles past the apertures 5a and 5b are deposited on the substrate 3 and the homogeneous thin films can be formed over a wide area without the formation of the heterogeneous thin films.例文帳に追加

マグネット４およびマスク５は共に移動し、基板３上には開口部５ａ，５ｂを通過した粒子のみが堆積され、異質な薄膜が形成されず、広範囲に均質な薄膜を形成することができる。 - 特許庁

The first and second insulating films has a hole portion 29 for gate formation formed penetrating the first and second insulating films continuously to expose the ground surface.例文帳に追加

そして、第１及び第２絶縁膜には、これら第１及び第２絶縁膜を連続的に貫通して、下地面を露出させるゲート形成用孔部２９が形成されている。 - 特許庁

To provide a treatment device that can make the time from the formation of films to the volatilizing treatment the same for all the wafers contained in the same lot and, accordingly, can equally well remove films in a batch.例文帳に追加

同一ロット内の全てのウエハにつき、生成膜の形成から揮発処理までの時間を同一にすることができ、従ってバッチ内均一性の良好な膜除去を可能とする処理装置を提供する。 - 特許庁

Lead terminals 21a and 22a of an internal electrode exposed to the end surfaces 11a and 11b are coated with the protective films 31 and 31, so that at formation of the terminal electrode films 12-14, an unnecessary plating film is prevented from being formed at the lead terminals 21a and 22a.例文帳に追加

端面１１ａ，１１ｂに露出する内部電極の引出し端２１ａ，２２ａが保護膜３１，３１で被覆され、端子電極膜１２〜１４の形成の際、引出し端２１ａ，２２ａに不要なめっき膜が形成されるのが阻止される。 - 特許庁

To provide single directional, ultra low iron loss silicon steel sheets and strips that are freed from delamination of coating films even after high temperature annealing in N2 gas atmosphere for elimination of strain after formation of films and are also freed from iron loss after strain annealing.例文帳に追加

被膜形成後にN_2ガス雰囲気中で高温の歪取り焼鈍を施したとしても被膜剥離が生じることがなく、また歪取り焼鈍後の鉄損劣化も無い超低鉄損一方向性けい素鋼板を提供する。 - 特許庁