「films formation」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

At the time, through the crystal defects 8 are recovered at positions where the silicide films are formed, since the acquisition layer formation region Y is masked with the silicon oxide film 10, the crystal defects 8 are not recovered in the region.例文帳に追加

このとき、シリサイド膜が形成された位置において結晶欠陥８が回復するが、捕捉層形成領域Ｙをシリコン酸化膜１０によってマスクしているため、この領域においては結晶欠陥８が回復しない。 - 特許庁

In the step of forming the organic functional layer, the liquid organic functional layer formation material is arranged over the insulating films, and the organic functional layer is formed by solidifying it.例文帳に追加

有機機能層を形成する工程では、絶縁膜上にわたって液状の有機機能層形成材料を配置しこれを固化して有機機能層を形成する。 - 特許庁

To provide a film forming device capable of forming films of high quality in such a manner that the plural faces to be film-formed in the body to be film-formed are correctly orientated toward the directions respectively suitable for film formation by a simple constitution and to provide a vapor deposition device for lenses.例文帳に追加

簡単な構成によって、被成膜体の複数の被成膜面をそれぞれ成膜に適した方向に正確に向けて高品質の成膜ができるようにした成膜装置及びレンズの蒸着装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a composition for film formation, capable of forming a silica-based film exhibiting a low relative dielectric constant, having excellent an excellent adhesivity in lamination of coating films as an interlayer insulating film material.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、低比誘電率を示し、塗膜積層時の密着性に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method using an ink jet method in formation of various types of thin films in an electronic device such as an organic EL panel and an organic thin film transistor, and to provide an ink of a composition suitable for it.例文帳に追加

有機ＥＬパネルや有機薄膜トランジスタなどの電子装置における各種薄膜の形成にインクジェット法を用いた製造方法及びこれに好適な組成のインクを提供する。 - 特許庁

The formation of the metallic silver-coated films is conducted in a liquid and more specifically, it is preferably conducted by adding a reducing liquid to a silver liquid in which the base particles have been dispersed.例文帳に追加

該金属銀被覆膜の製膜は液中で行われ、詳細には、基体粒子を分散した銀液に還元液を添加することによって行うことが好ましい。 - 特許庁

In the formation of groove wiring, mask layers 4 and 5 which are constituted of stacked inorganic insulating films and have apertures 8 are made in the specified region of the interlayer insulating film constituted of an organic low-permittivity insulating film 3.例文帳に追加

溝配線の形成において、有機系の低誘電率絶縁膜３で構成される層間絶縁膜の所定の領域に、積層する無機絶縁膜で構成され開口８を有するマスク層４，５を形成する。 - 特許庁

After the formation of the oxide films 16, photolithography is conducted to apply a photo resist 17, and an opening 171 is made on the photo resist 17 applied to the light receiving surface 111.例文帳に追加

酸化膜１６を生成した後に、フォトリソグラフィーを行いフォトレジスト１７を塗布するとともに、受光面１１１に塗布したフォトレジスト１７に開口部１７１を形成する。 - 特許庁

Air bubbles mixed inside when the two resin films 11, 12 are laminated together are immediately released outside when laminated, preventing formation of air bubbles and producing no adhesion defect.例文帳に追加

２枚の樹脂フィルム１１、１２を貼り合わせる際に内部に混入した気泡は、その貼り合わせの時点で直ちに孔から外部に逃げるので、気泡発生は防止され、接着不良は生じない。 - 特許庁

If a plurality of sizes of films are present in input medical image data, processing in the input order of the medical image data is not performed but image formation on film of large size is preferentially performed, and after the image formation on the film of large size, image formation on film of small size is performed.例文帳に追加

そして、入力された複数の医用画像データに複数のフィルムのサイズが混在する場合、医用画像データが入力された順序での処理を行わず、大サイズのフィルムへの画像形成を優先して行い、大サイズのフィルムへの画像形成が終了した後に、小サイズのフィルムへの画像形成を行う。 - 特許庁

In this formation method of silicon-based thin films for introducing a feed gas, where silicon fluoride and hydrogen are contained into a vacuum vessel, and for forming the silicon-based thin films on a substrate introduced into the vacuum vessel by a high-frequency plasma CVD method, light emission intensity due to SiF α (440 nm) is to be higher than that due to Hα (656 nm).例文帳に追加

真空容器内にフッ素化シリコンと水素を含む原料ガスを導入し、前記真空容器内に導入した基板上に高周波プラズマＣＶＤ法を用いてシリコン系薄膜を形成する方法であって、ＳｉＦα（４４０ｎｍ）に起因する発光強度が、Ｈα（６５６ｎｍ）に起因する発光強度以上であることを特徴とする。 - 特許庁

To prevent the disconnection or deterioration in the electromigration resistance of metallic wiring by forming Al films or Al alloy films in the bottom edges and flanks of contact holes to a film thickness of ≥20% than the film thickness in the plane parts in spite of finer electronic devices and increasing of the aspect ratio of the contact hoes larger than 1.0 relating to the thin-film formation method by DC bias sputtering.例文帳に追加

直流バイアススパッタによる薄膜形成方法に関し、電子デバイスが微細化されコンタクトホールのアスペクト比が１．０より大きくなった場合であっても、コンタクトホール底部エッジ部、および側面のＡｌ膜または、Ａｌ合金膜の膜厚を、平面部の膜厚と比較して１０％以上形成し、金属配線の断線、もしくはエレクトロマイグレーション耐性の劣化を防止する。 - 特許庁

To provide a chemically amplified negative photoresist composition for thick films having high sensitivity and good plating resistance and suitable for the formation of thick films favorable for use as materials for forming bumps, re-wiring and a metal post used in a CSP manufacturing technique and to provide a photoresist base material and a method for forming bumps using the same.例文帳に追加

高感度で、メッキ耐性が良好である上に、ＣＳＰ製造技術に用いられるような、バンプ、再配線、メタルポスト形成用材料として好適な厚膜形成に適する厚膜用化学増幅型ネガ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト基材およびこれを用いたバンプ形成方法を提供すること。 - 特許庁

Further, this provides a film formation method that at least includes the steps of forming self-organizing unimolecular films to the surfaces of the multiple metallic particles, and coating the surfaces to be coated, through an ink-jet method or a dispenser method, with dispersions of the multiple metallic particles covered by the self-organizing unimolecular films.例文帳に追加

また、本発明は、複数の金属粒子の表面に、自己組織化単分子膜を形成する工程と、該自己組織化単分子膜により被覆された複数の金属粒子の分散液を、インクジェット法又はディスペンサーによる方法によって、被塗布面に塗布する工程と、を少なくとも備えることを特徴とする膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

This method consists in using parts formed by cutting, molding and joining of the metallic sheets coated with plastic films which are coated with metallic vapor deposited films or metallic foil in the formation of a main shell body of the automotive body, assembling these parts to form the shell body and further coating the exposed metallic sections of the shell body with electrodeposition coating.例文帳に追加

自動車車体の主たるシェルボデ−の形成において、金属蒸着膜又は金属箔で被覆されたプラスチックフィルムで被覆された金属板を裁断、成型及び接合してなる部品を用い、この部品を組立ててシェルボデ−を形成し、さらにシェルボデ−の金属露出部を電着塗装により被覆することを特徴とする。 - 特許庁

The hard film forming method using a hard film forming apparatus 1 is the hard film forming method by an arc ion plating method, in which the concentration of the oxygen existing at the boundaries between workpieces 13, 13, etc., being objects for formation of the hard films and the hard films formed at the workpieces 13, 13, etc., is specified to a preset standard concentration or less.例文帳に追加

硬質皮膜形成装置１を用いた硬質皮膜形成方法は、アークイオンプレーティング法による硬質皮膜形成方法であって、前記硬質皮膜の形成対象となるワーク１３・１３・・・と、ワーク１３・１３・・・に形成する硬質皮膜との界面において存在する酸素濃度を、予め設定した基準濃度以下とする。 - 特許庁

To provide a negative photosensitive resin composition which is excellent in resolution, insulation, flatness, chemical resistance and adhesive force and exhibits superior sensitivity, film retention and UV transmittance particularly in the formation of organic insulating films of a high-aperture-ratio liquid crystal display and a reflective liquid crystal display as compared with conventional photosensitive resins, whereby it is suitable for use as organic insulating films.例文帳に追加

解像性、絶縁性、平坦性、耐化学性及び接着力の全てに優れ、特に高開口率液晶表示素子と反射型液晶表示素子の有機絶縁膜の形成時に感度、残膜率及びＵＶ透過率が従来の感光性樹脂に比べて優れ、有機絶縁膜として使用するのに適するネガティブ感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The method includes a step including the formation of a semiconductor film containing at least one or more of tin, germanium, and lead and an insulating film on the substrate 10 by supplying a gaseous starting material to a vacuum vessel 1, a step of annealing the semiconductor film and insulating film by projecting a laser beam upon the films, and a step of annealing the films with steam in the poststage of the annealing step.例文帳に追加

真空容器１に原料ガスを供給して基板１０上に、少なくとも錫、ゲルマニウム、鉛のいずれか一つ以上を含有する半導体膜と、絶縁膜と、を形成することを含む工程と、この半導体膜および絶縁膜にレーザーを照射してアニールする工程と、このアニールする工程の後工程であって、水蒸気でアニールを行う工程と、を備える。 - 特許庁

To provide a method for alkali saponification of a polymer film without affecting formation of a coated film and orientation of liquid crystal molecules of an oriented film and a liquid crystal molecular layer which will be coated afterward by extracting hydrophobic components from the polymer film with an organic solvent, surface saponified cellulose ester films and optical films using the same.例文帳に追加

有機溶媒によるポリマーフィルムからの疎水性成分の抽出によって、後に塗布する配向膜並びに液晶性分子層の塗膜形成や液晶分子の配向に影響を与えることのない、ポリマーフィルムのアルカリ鹸化方法、表面鹸化セルロースエステルフィルム、及びそれを用いた光学フィルムを提供する。 - 特許庁

In the liquid crystal display device 1 in which the alignment films 40, 40a are formed by the alignment film printing system which is noncontact with respect to the substrate 11, wetting and spreading of an alignment material are controlled to permit formation of the alignment films 40, 40a having uniform thickness by providing a printing control pattern 60 between a seal member 50 and a display area.例文帳に追加

基板１１に対して非接触な配向膜印刷方式により配向膜４０、４０ａを形成した液晶表示装置１において、シール材５０と表示領域の間に印刷制御パターン６０を設けることにより、配向材の濡れ広がりを制御し膜厚を均一にできる配向膜４０、４０ａを形成する。 - 特許庁

This semiconductor device includes: a semiconductor substrate 101 containing first conductivity type impurities and having an element formation region 170; gate electrodes 125 formed on the element formation region 170 by interposing gate insulation films 132; and source/drain regions 150 formed on both sides of the gate electrodes 125 and containing second conductivity type impurities.例文帳に追加

半導体装置は、第１導電型の不純物を含み、素子形成領域１７０を有する半導体基板１０１と、素子形成領域１７０上にゲート絶縁膜１３２を挟んで形成されたゲート電極１２５と、ゲート電極１２５の両側方に形成され、第２導電型の不純物を含むソース／ドレイン領域１５０とを備える。 - 特許庁

A mother board for liquid crystal display element manufacture which includes a plurality of panel substrate formation parts 11 used as one panel substrate of a liquid crystal display element and has a metal reflecting film formed in a display area of each panel substrate formation part 11 has a lead-around wire 100 for holding all metal reflecting films at the same potential.例文帳に追加

液晶表示素子の一方のパネル基板として用いられるパネル基板形成部１１を複数面含み、その各パネル基板形成部１１の表示領域内に金属反射膜が形成されている液晶表示素子作製用マザー基板において、上記金属反射膜のすべてを同電位とするための引き回し配線１００を備えている。 - 特許庁

The hole formation method includes: a hole formation step for forming a hole by etching a first film formed on a substrate; a second film deposition step of depositing a second film on the first film so that the upper side of the hole becomes thick and the bottom side becomes thin; and a shape correction step of correcting the shape of the hole by etching the first and second films.例文帳に追加

基板上に形成された第１膜をエッチングしてホールを形成するホール形成ステップと、前記第１膜上に、前記ホールの上部側が厚く底部側が薄くなるように、第２膜を堆積させる第２膜堆積ステップと、前記第１膜及び前記第２膜をエッチングして前記ホールの形状を補正する形状補正ステップと、を具備する。 - 特許庁

A silicon oxide film for gate insulating films 25b, 25d of a control transistor and a high withstand voltage MISFET is formed by thermal oxidation and by CVD after the thermal oxidation, and the silicon oxide film is removed in a MISFET formation region 1B, and thereafter a silicon oxide film for a gate insulating film 25c is formed in the MISFET formation region 1B by thermal oxidation processing.例文帳に追加

制御用トランジスタおよび高耐圧用のＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜２５ｂ，２５ｄ用の酸化シリコン膜を熱酸化と該熱酸化後のＣＶＤにより形成してから、この酸化シリコン膜をＭＩＳＦＥＴ形成領域１Ｂで除去し、その後、熱酸化処理によりＭＩＳＦＥＴ形成領域１Ｂにゲート絶縁膜２５ｃ用の酸化シリコン膜を形成する。 - 特許庁

Formation of a drama group 'Geijutsuza,' great hit of a song 'Kachusha no uta' (Katyusha song), start of a serial novel 'Great Bodhisattva Pass' of Kaizan NAKAZATO, release of films including 'Nanso Satomi Hakkenden' (The Chronicles of the Eight Dog Heroes of the Satomi Clan of Nanso) and 'Chushingura' (The treasury of Loyal Retainers), start of Takarazuka Gala Fireworks Festival, the on-site sale exhibition of Japan-made cosmetics in Mitsukoshi kimono fabrics shop, and promulgation of Elementary School Act 例文帳に追加

劇団「芸術座(劇団)」結成・歌謡「カチューシャの唄」大流行、中里介山「大菩薩峠」連載開始、映画「里見八犬伝」「忠臣蔵」など公開、「宝塚観光花火大会」開催、三越呉服店「国産化粧品展示販売会」、「小学校令」交付 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

It is found that the discoloration of conventional polyimide resins or films or layers formed using the same results from the use of a synthetic raw material containing a lactone or a compound having a benzyl alcohol structure in the formation of the polyimide resin.例文帳に追加

従来のポリイミド樹脂、またはこれを用いて形成したフィルムまたは層が着色するのは、ラクトンまたはベンジルアルコール構造を含む化合物を含む合成原料を使用してポリイミド樹脂を形成したことが原因であることを見出し、本発明に至った。 - 特許庁

This gas hydrate pellet production apparatus 1 forms powdery gas hydrate (n) into pellets by pellet forming rollers 3, 4 having recesses 2 for pellet formation in peripheral surfaces sticking water films for binder to surfaces of the recesses.例文帳に追加

ペレット成型用の凹部２を周面に有すペレット成型ロール３，４によってパウダー状のガスハイドレートｎをペレット状に成型するガスハイドレートペレット製造装置１において、前記凹みの表面にバインダー用の水膜を付着させる。 - 特許庁

To form water-repelling continuous films on the surfaces of the primary particles of a lake pigment whose water repellency is structurally especially bad, thus improving the water tolerance of the pigment on its offset printing and improving the dispersibility of the pigment on the formation of an ink.例文帳に追加

構造的に揆水性の特に悪いレーキ顔料のオフセット印刷時の水巾の向上並びに、インキ化時の分散性の向上をはかるには、揆水性のある連続膜を如何に一次粒子表面に形成させるかが、問題であり、これが発明が解決しようとしている課題である。 - 特許庁

To prevent the formation of a step cut and to sufficiently prevent the generation of a defect caused by the step cut in the case of a thin-film transistor or other semiconductor devices in which multilayer films are patterned collectively by using one mask pattern.例文帳に追加

一つのマスクパターンを用いて、多層膜を一括してパターニングする工程を含む、薄膜トランジスタその他の半導体装置の製造方法において、段切れの形成、及びこれに起因する不良の発生を充分に防止することができるものを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which prevents punch-through of ion implantation for making amorphous layers prior to the formation of silicide films, and reduces sheet resistance in source/drain areas and a gate electrode in the manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、シリサイド膜の形成に先立つ非晶質化のためのイオン注入の突き抜けを防止しつつ、ソース／ドレイン領域及びゲート電極のシート抵抗を低減しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, a second metal film 104 containing silicon or germanium is formed on the gate insulating film 102 and the first metal film 103 at the nMIS formation region, and the first and second metal films 103, 104 are machined to form gate electrodes Gn, Gp each.例文帳に追加

次に、ｎＭＩＳ形成領域のゲート絶縁膜１０２および第一の金属膜１０３上にシリコンまたはゲルマニウムを含む第二の金属膜１０４を形成し、第一および第二の金属膜１０３、１０４を加工してゲート電極Ｇｎ、Ｇｐをそれぞれ形成する。 - 特許庁

This is a coated product whose kerf of ceramic base inorganic material has a sequential formation of <I> acrylic silicone coating base film and <II> silicon alkoxide coating base inorganic film or has an inclusion of <III> acrylic emulsion coating organic film between films <1> and <2>.例文帳に追加

窯業系無機質品の木口面に、順次に、＜Ｉ＞アクリルシリコン系塗料塗膜＜II＞ケイ素アルコキシドコーティング材系無機塗膜が形成されているか、あるいは、塗膜＜Ｉ＞＜II＞の間に、＜III＞アクリルエマルジョン系塗料有機塗膜が介在されている塗装品とする。 - 特許庁

Thereafter, a multilayer film of semiconductor films 11a and 1a insulated from each other by the insulating layer 11b is formed on the insulating substrate 10A by patterning followed by formation of a gate insulating film 2 and a gate electrode on the semiconductor film 11a.例文帳に追加

そして、パターニングにより、絶縁基板１０Ａ上に、絶縁層１１ｂにより互いに絶縁された半導体膜１１ａ，１ａの積層膜を形成し、続いて、半導体膜１ａの上にゲート絶縁膜２とゲート電極とを形成する。 - 特許庁

The silicon nitride film 41 cuts off the diffusion of hydrogen during the formation of upper-layer films to improve, specially, deterioration in the hot-carrier resistance of the N+ poly-NMOS 37 and the controllability and stability of the resistance value of the polysilicon resistor 35.例文帳に追加

シリコン窒化膜４１は上層膜の形成時における水素の拡散を遮へいし、特に、Ｎ＋ポリＮＭＯＳ２７のホットキャリア耐性の劣化を防止し、ポリシリコン抵抗体３５の抵抗値の制御性及び安定性を向上させる。 - 特許庁

This invention relates to the copper foil with a resistor layer which is a copper foil for an electronic circuit used for circuit formation by etching, and has nickel chromium alloy sputter films on both surfaces of the copper foil such that one nickel chromium alloy sputter film functions as the resistor layer.例文帳に追加

エッチングにより回路形成を行う電子回路用の銅箔であって、該銅箔の両面にニッケルクロム合金スパッタ膜を有し、一方のニッケルクロム合金スパッタ膜が抵抗層として機能する抵抗層付き銅箔。 - 特許庁

To provide a solar cell module that has weatherability superior to that of solar cell modules with conventional reflective films and high manufacturing yield owing to no occurrence of defects in a reflective film formation process, and to provide a method and apparatus for manufacturing the solar cell module.例文帳に追加

従来の反射膜を備えた太陽電池モジュールに比べ、耐候性に優れると共に、反射膜形成工程で欠陥が発生せず製造歩留まりが高い太陽電池モジュールと、その太陽電池モジュールを製造する製造方法及び製造装置とを提供する。 - 特許庁

To provide a ferrite film formation method to a plant configuration member capable of shortening a time required to form a ferrite film to the surface of a plant configuration member and also reducing a difference in thickness between respective ferrite films formed on a horizontal surface and a vertical surface of the plant configuration member.例文帳に追加

プラント構成部材の表面へのフェライト皮膜の形成に要する時間を短縮し、かつ、プラント構成部材の水平表面及び垂直表面に形成されるそれぞれのフェライト皮膜の厚みの差を小さくできるプラント構成部材へのフェライト皮膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The thermally-oxidized film and the protective oxide film are used as the oxide films for blocking silicide formation, thereby sufficient blocking performance can be secured, even if the thickness of the thermally-oxidized film generated by the rapid thermal oxidation differs among the numerous kinds of polysilicon resistors.例文帳に追加

多種のポリシリコン抵抗体間で急速熱酸化処理により生成される熱酸化膜の膜厚に差が生じる場合でも、熱酸化膜と保護酸化膜とをシリサイド化ブロック用酸化膜として用いることにより、充分なブロック性能を確保することができる。 - 特許庁

When various kinds of optical films such as an optical reflection film and a top-coat film or the like are formed on the reflecting plates 6, 7, the film formation is carried out in two divided parts so that unevenness in film thickness can be reduced in the first and the second reflection surfaces 63, 73 than a reflecting plate formed in one body.例文帳に追加

これら反射板６、７に光反射膜やトップコート膜等の各種光学膜を形成する際に２つに分割して行うことで、第１及び第２の反射面６３、７３は、一体構成された反射板より膜圧バラツキが少なくなる。 - 特許庁

To provide negative type photosensitive green, blue and red colored compositions, negative type photosensitive green, blue and red colored films for a filter, a color filter and a method of manufacturing a color filter, which achieve precise formation of a filter having a small-size shape.例文帳に追加

発明の目的は、小さな寸法形状のフィルターの精密な形成が可能である、ネガ型感光性緑，青，そして赤色組成物、フィルター用ネガ型緑，青，そして赤色膜、カラーフィルター、そしてカラーフィルター製造方法を提供することである。 - 特許庁

After the formation of first electrodes 2 and second electrodes 3 at the growth starting side end sections and the growth terminating side end sections of the carbon nanotubes 1, interlayer insulating films 9 are formed, and then the semiconductor device 100 is completed, with a logic circuit comprising an n-type FET (field effect transistor) 20n and a p-type FET 20p mounted thereon.例文帳に追加

カーボンナノチューブ１の成長起点側及び終点側の端部に第１及び第２の電極２，３を形成した後、層間絶縁膜９を成膜し、ｎ型ＦＥＴ２０ｎ及びｐ型ＦＥＴ２０ｐからなる論理回路を実装した半導体装置１００を完成する。 - 特許庁

To enable handling of lamination of weak ceramic green sheets backed by carrier films, elimination of the need for a printing step with conductive paste for formation of a conductor film as a terminal after lamination, and avoidance of a problem of improper printing possibly caused in the printing step.例文帳に追加

軟弱なセラミックグリーンシートをキャリアフィルムによって裏打ちされた状態で積層するまで取り扱うことができ、積層後において端子となる導体膜の形成のための導電性ペーストの印刷工程を不要とし、この印刷工程において遭遇し得る印刷不良の問題を回避する。 - 特許庁

A field oxide film 23 is formed on an N-type silicon substrate 21 by a selective oxidation method and thereafter, gate oxide films 24 are respectively formed by lamination on a transistor formation region on the above substrate 21 excluding said oxide film 23 by a thermal oxidation.例文帳に追加

Ｎ型のシリコン基板（２１）上に、選択酸化法によりフィールド酸化膜（２３）を形成した後、該酸化膜（２３）を除く前記基板（２１）のトランジスタ形成領域上に熱酸化によりゲート酸化膜（２４）を夫々積層形成する。 - 特許庁

An image formation device includes a base body 101 (an electron source substrate: a rear plate) having a plurality of electron emission elements (element electrodes 102 and 103, conductive films 107 and electron emission parts 108) for emitting electrons, and a positive electrode substrate (face plate) irradiated with the electrons emitted by the electron emission elements.例文帳に追加

画像形成装置は、電子を放出する電子放出素子（素子電極１０２、１０３、導電性膜１０７、電子放出部１０８）を複数有する基体１０１（電子源基板：リアプレート）と、該電子放出素子より放出された電子が照射される陽極基板（フェースプレート）とを有する。 - 特許庁

To provide a cleaning liquid for photolithography capable of not only peeling photoresist patterns of thick films used particularly for formation of bumps etc., from a substrate but also rapidly and completely dissolving the peeled photoresist patterns in the cleaning liquid so as to prevent the readhesion thereof to the substrate and a method for processing the substrate.例文帳に追加

特にバンプ形成等に用いられる厚膜のホトレジストパターンの基板からの剥離のみならず、該剥離したホトレジストパターンを、基板への再付着のないよう、洗浄液中で速やかに完全に溶解することができるホトリソグラフィー用洗浄液、および基板の処理方法を提供する。 - 特許庁