「films formation」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The passage formation member 30 is composed of a pipe-like part formed into a flat pipe-like shape and arranged in a sealed space formed by the armoring films 24 in a state sandwiched between the two battery elements, and two side edge parts 38 arranged at both its ends.例文帳に追加

通路形成部材３０は、扁平筒状をなし外装フィルム２４によって形成された密閉空間内に、上記２つの電池要素に挟まれた状態で配置される筒状部と、その両端に設けられた２つの側縁部３８とで構成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method by which productivity and product qualities can be improved by preventing contamination of products and contamination in a film-forming system at the time of a release to the atmosphere after film formation is stopped, in manufacturing a functional film where films are formed using plasma CVD, while transferring long substrates in the longitudinal direction.例文帳に追加

長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、プラズマＣＶＤによって成膜を行う機能性フィルムの製造において、成膜を停止した後の大気解放時に、製品や成膜系内の汚染を防止し、生産性の向上や製品品質の向上を図ることができる製造方法を提供する。 - 特許庁

After formation of the first oxide film 4, a polycrystalline silicon film 5, the second oxide film 6, and a nitride film on an n-type epitaxial layer 3, those films are removed, excluding the region where a base region is to be made, and a sidewall nitride film is made at the side.例文帳に追加

ｎ^-型エピタキシャル層３上に第１酸化膜４と多結晶シリコン膜５と第２酸化膜６と窒化膜を形成した後、ベース領域が形成される領域以外のそれらの膜を除去し側面に側壁窒化膜を形成する。 - 特許庁

To provide an antireflection film having a laminated body and characterized by excellent optical characteristics because of high humidity/heat resistance of respective thin layers constituting the laminated body and stable refractive indexes of respective thin films, a high formation speed and high adhesiveness of respective thin layers.例文帳に追加

積層体を有する反射防止フィルムにおいて、積層体を構成する各薄層の耐湿熱性がよく、従って各薄層の屈折率が安定していることから光学特性に優れ、さらに形成速度が速く、各薄層の密着性にも優れた反射防止フィルムを提供することを主目的とする。 - 特許庁

Thus, even in the case film formation is continuously executed onto plural substrates 10 by cooling a shower plate 5 whose temp. has been raised by being left standing in a vacuum, the atmosphere in the vacuum tank 2 can almost be made fixed, so that it is made possible that the film forming rate is made hardly changed even in the case the number of films to be formed is increased.例文帳に追加

このため、真空中放置で温度上昇したシャワープレート５を冷却することで、連続して複数の基板１０上に成膜しても、真空槽２内の雰囲気をほぼ一定にすることができるので、成膜枚数が増えても成膜速度がほとんど変化しないようにすることができる。 - 特許庁

In the method for forming a reflection preventing film by laminating thin films composed of materials with respective refractive indices different individually on a substrate 2 for an optical device by vapor phase film formation, the thin film 4 corresponding to the first layer on the substrate 2 for the optical device side is formed under a film forming temperature lower than the temperature for forming the thin film 10 corresponding to the outermost layer.例文帳に追加

光学素子用基材２に気相成膜法により屈折率の異なる材料の薄膜を積層させた反射防止膜を形成する反射防止膜の形成方法は、光学素子用基材２側の第１層目の薄膜４を最外層の薄膜１０より低い成膜温度で形成する。 - 特許庁

To provide an exposure device which contributes to the reduction of the size of the device while preventing the emission of waste, such as photosensitive films, at the time of stamp formation with a stamp forming device, the stamp forming device, an exposure method and a stamp forming method.例文帳に追加

スタンプ作成装置におけるスタンプ作成に際して、感光フィルム等の廃棄物が出されることを防止しながらも、装置の小型化を図ることのできる露光装置、スタンプ作成装置、露光方法及びスタンプ作成方法を提供すること。 - 特許庁

This method for multi-layered coating film formation comprises coating a first colored coating material, a second colored coating material, and a clear coating material in that order in a wet-on-wet manner onto a surface of a cured coating film of a specific electrodeposition coating material having no significant heating loss, and simultaneously heat curing the coating films of three layers.例文帳に追加

加熱減量の少ない特定の電着塗料の硬化塗膜面に、第１着色塗料、第２着色塗料及びクリヤ塗料をウェットオンウェットで順次塗装し、次いで３層塗膜を同時に加熱硬化せしめることからなる複層塗膜の形成方法。 - 特許庁

Then, in the case a jig for substrate fitting set with the substrate 7 is set to the space between parallel plate anodes in a plasma CVD device, and CVD film formation is executed with d.c. voltage as a bias, the uniform electric field can be generated by the insulators 12, and homogeneous prescribed thin films can be obtd.例文帳に追加

そして、基板７がセットされた基板取付用治具２をプラズマＣＶＤ装置の平行板陽極間にセットして、直流電圧をバイアスにしてＣＶＤ成膜を行なう際、絶縁物１２により一様な電界ができ均質な所定の薄膜が得られる。 - 特許庁

To reduce the cost of deposition by decreasing the time of formation for corrosion-resistant films from two times in convention to one time, and to attain a high yield of a product by eliminating a defect such as a pin hole caused at working a quartz crystal with a hydrofluoric acid etching liquid.例文帳に追加

耐食性膜の形成回数を従来の２回から１回にして成膜コストの削減を図り、水晶をフッ化水素酸系のエッチング液で加工する際に生じるピンホールなどの欠陥を無くし製品の高歩留まりを達成する。 - 特許庁

After the formation of magnetic films on the plural disk substrate, the defects existing on the surfaces of the disks 1, 2, and 3 are detected, and the fixed defects 4 existing at approximately the same positions each other are extracted by the detection result of the defects existing on the major surfaces of the three disks 1, 2, and 3, respectively.例文帳に追加

複数枚のディスク基板上に磁性膜を形成した後、ディスク１，２，３の表面に存在する欠陥を検出して、３枚のディスク１，２，３の主面にそれぞれ存在する欠陥の検出結果から、互いにほぼ等しい位置に存在する固定欠陥４を抽出する。 - 特許庁

During the formation process of the capacitive element C for storing information, collapse of the storage electrode 23a can also be protected by making the device into a configuration, in which the lower side of the storage electrode 23a of the capacitive element C for storing information is supported by an interlayer insulating film 11h1 and insulating films 21a and 21b.例文帳に追加

また、情報蓄積用容量素子Ｃの形成工程中において、情報蓄積用容量素子Ｃの蓄積電極２３ａの下部を層間絶縁膜１１ｈ1および絶縁膜２１ａ，２１ｂで支える構成にすることにより、蓄積電極２３ａの倒壊を防止することができる。 - 特許庁

A trench 16 is provided to a semiconductor board 10, the inner surface of the trench 16 is coated with insulating films 17 and 18, and the trench 16 is filled up with a polycrystalline silicon film 19 for the formation of a storage node.例文帳に追加

半導体基板１０にトレンチ１６を形成し、内部表面を絶縁膜１７、１８で覆った後多結晶シリコン膜１９を埋め込んでストレージノードを形成し、その上部表面を絶縁膜２０で覆って内部を多結晶シリコン膜２２で埋め込んでストレージノードのコンタクトを形成する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device manufacturing system which can make with LOCOS the element isolation films, that is, the size of an active region to be fixed for each semiconductor substrate to be manufactured in formation of an element isolation film on a semiconductor substrate, whereon a flash memory is formed.例文帳に追加

フラッシュメモリが形成される半導体基板上に素子分離膜をロコスで形成する場合において、素子分離膜間の距離、すなわち活性領域の寸法を製造される半導体基板ごとに一定にさせることが可能な半導体装置製造システムを得ること。 - 特許庁

To provide a method for forming amorphous silicon-based films, such as an amorphous silicon film, high in photodegradation resistance, by controlling (lowering) plasma electron temperature even when the film formation rate is 1.0 nm/s or higher.例文帳に追加

製膜速度が１．０ｎｍ／ｓ以上の高速製膜条件下でも、プラズマ中の電子温度を制御する（低下させる）ことによって光劣化抑制性能を有するアモルファスシリコン膜などのアモルファスシリコン系膜の製膜が可能なアモルファスシリコン系膜の製膜方法を提供する。 - 特許庁

The ultrasonic probe 10 comprises: an ultrasonic oscillator 11 having metal films 14 and 15 for electrode formation on both surfaces; an acoustic lens 12; and a metal foil 13 provided between the ultrasonic oscillator and acoustic lens, both being pressed against each other with the metal foil interposed therebetween to be bonded.例文帳に追加

超音波探触子１０は、両面に電極形成用金属膜１４，１５を有する超音波発振子１１と、音響レンズ１２と、超音波発振子と音響レンズの間に設けられる金属箔１３とからなり、超音波発振子と音響レンズは金属箔を介して相互に圧接されて接合されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method which is exposed without mask films, by lessening the amount of a size shrinkage factor and improving matching precision at formation of a circuit in the manufacturing method of a printed wiring board filling a conduction hole with resin.例文帳に追加

本発明は、導通孔に樹脂を充填するプリント配線板の製造方法に於いて、プリント配線板の寸法収縮率変化量を少なくし、回路形成時の合わせ精度を向上し、尚かつマスクフィルム無しで露光を行う製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electrooptical device in which abnormality can be found and adjusted early stage by an easy method without lowering workability by verifying formation states of a plurality of substrates in line when resin films are formed.例文帳に追加

樹脂膜を形成する際に、樹脂膜を形成する際に、複数の基板に対してインラインで形成状態を検証することで、作業性を低下させることなく、簡易な方法で、異常を早期発見し調整することができる電気光学装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When first and second stress films 4 and 5 are dividedly applied on the upper layer of a gate electrode 1 and then a contact hole leading to the gate electrode 1 is formed to form a contact electrode, a contact hole formation region 9 is laid out on the side of the first stress film 4.例文帳に追加

ゲート電極１の上層に第１，第２の応力膜４，５を張り分けてからそのゲート電極１に通じるコンタクトホールを形成してコンタクト電極を形成する際、そのコンタクトホール形成領域９を第１の応力膜４側にレイアウトする。 - 特許庁

There are provided a trench 3 formed in an element separation region which is so formed as to enclose an element formation region on a semiconductor substrate 1, and insulating films 4 and 5 which, formed with the same width as a trench width on the trench 3, form a void 50 in the trench 3.例文帳に追加

半導体基板１上の素子形成領域を囲むように形成される素子分離領域に形成されたトレンチ３と、トレンチ３上にトレンチ幅と略同一幅にて形成され、トレンチ３内に空隙５０を形成する絶縁膜４、５とを備えたものである。 - 特許庁

The thin film thus obtained, which has a uniform thickness and high thermal stability and enables, as necessary, a pattern formation, is applicable to the interlaminar electrical insulation thin films of semiconductors, electroluminescent elements, solar cells, copiers, laser printers, etc.例文帳に追加

この蒸着重合薄膜は均一な厚さと優れた熱安定性をもち、必要に応じてパターンを形成することができるので、半導体の層間絶縁薄膜、電気発光素子、太陽電池、複写機、レーザプリンタ等に応用が可能である。 - 特許庁

In a layer wherein bonding pad aluminum 21 is formed, the peripheral removal of an insulating film 17 and an insulating film 18 for pad formation for preventing peeling of the films is performed not over a wiring pattern portion (having residual Cu 16) that becomes a target of Cu removal in the layer of just lower copper wiring 14.例文帳に追加

ボンディングパッドアルミ２１を形成する層において、膜はがれ防止のために行う絶縁膜１７とパッド形成用絶縁膜１８の周辺除去を、すぐ下の銅配線１４の層においてＣｕ除去の対象となった配線パターン部（Ｃｕ残り１６のある箇所）を超えないように行う。 - 特許庁

A pressure adjustment space 32 as an internal space of the pressure adjustment pipe 22 has the alternate formation of a plurality of low liquid-repellent regions 41 and a plurality of high liquid-repellent films 40 of a higher liquid repellency than that of the low liquid-repellent region 41 along a direction in which the pressure adjustment space 32 extends.例文帳に追加

圧力調整管２２の内部空間である圧力調整空間３２には、複数の低撥液領域４１と、低撥液領域４１よりも撥液性が高い複数の高撥液膜４０とが、圧力調整空間３２の延在方向に沿って交互に形成されている。 - 特許庁

Also, in the formation process of the protection film 31, the protection film 31 is formed so that the side face 27 of the pattern of the functional films 28 and 29 formed by the patterning process by wet etching can be covered with the formed protection film 31.例文帳に追加

また、保護膜３１の形成工程では、ウエットエッチングによるパターニング工程において、パターニングによって形成された機能膜２８，２９のパターンの側面２７が、形成した保護膜３１によって覆われるように、保護膜３１を形成する。 - 特許庁

To provide a rust prevention film in which fuming and odor generation in film formation is suppressed, which is excellent in workability and has strength required for a packaging films of metal components or the like, and to which a rust prevention effect is imparted for a long period of time from an initial stage after packaging.例文帳に追加

フィルム製膜時の発煙や臭気発生が抑制され、加工性に優れ、金属部品などの包装フィルムとしての強度を有し、且つ、包装後の初期段階より長期に渡り防錆効果を付与された防錆フィルムを提供する。 - 特許庁

In the formation of first and second metal cap films MC1, MC2, a hydrogen radial is supplied to the surface of a substrate S, surface treatment, namely the etching of particulates and terminal treatment to unbonded hands are executed, and the further reduction treatment of an oxide layer is executed.例文帳に追加

第１メタルキャップ膜ＭＣ１と第２メタルキャップ膜ＭＣ２とが成膜される際に、まず基板Ｓの表面に水素ラジカルが供給されて、表面処理である微粒子のエッチング処理や未結合手への末端処理、さらには酸化層の還元処理が実行される。 - 特許庁

To form a high-concentration impurity diffusion region, and to provide measures against dishing in CMP treatment without adding any photolithography processes with a configuration, where transistors having gate insulation films with different film thicknesses are provided and a guard ring is provided around an element formation region.例文帳に追加

膜厚の異なるゲート絶縁膜のトランジスタを備えると共に素子形成領域の周囲にガードリングを設ける構成で、フォトリソグラフィ工程を追加することなく、高濃度の不純物拡散領域の形成とＣＭＰ処理のディッシング対策を行えるようにする。 - 特許庁

To efficiently perform image formation on films of different sizes as well as to prevent the occurrence of swelling marks which occur when changed from small size to large size and passage marks corresponding to film edges, in an imager capable of small size processing and large size processing.例文帳に追加

小サイズ処理と大サイズ処理が可能なイメージャにおいて、小サイズから大サイズに変更した際に生じる膨潤跡やフィルム端に対応した通過跡の発生を防ぐと供に、効率良くサイズの異なるフィルムに画像形成を行う。 - 特許庁

The transparent electroconductive film has a multilayer structure comprising a first ITO film, a metallic thin film, and a second ITO film, and is characterized by not exposing the film to an atmosphere of 300°C or higher, through start of formation to etching of the transparent film, to make the first and the second ITO films keep an amorphous structure.例文帳に追加

第１のＩＴＯ膜と金属薄膜と第２のＩＴＯ膜との積層構造になっている透明導電膜において、透明導電膜の形成開始からエッチングまでの間に、３００℃以上の高温にせず、第１、第２のＩＴＯ膜にアモルファス構造を維持させる。 - 特許庁

Then, the energy of the millimeter waves (or the discharge plasma) locally acts on the surface oxide part where the soft magnetic powder exhibits a high electric resistivity and locally heats the surface of the soft magnetic powder to a temperature near the melting temperature to accelerate the surface oxidation (oxide film formation) of the soft magnetic powder and sintering (diffusion and joint of oxide films).例文帳に追加

これにより、ミリ波（又は放電プラズマ）のエネルギが軟磁性粉末の電気抵抗値の大きい表面酸化部分に局所的に作用して、軟磁性粉末の表面が局所的に融点温度近傍に加熱され、軟磁性粉末の表面酸化（酸化膜の形成）や焼結（酸化膜どうしの拡散接合）が促進される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device by which first and second conductive films are surely connected electrically to each other through a contact hole formed in an insulating film, and the manufacturing cost of a semiconductor device is reduced by far improving the utilizing efficiency of a liquid material required for the formation of the second conductive film.例文帳に追加

絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して第１導電膜に対して第２導電膜を電気的に確実にする接続することができ、第２導電膜の形成に要する液体材料の使用効率を飛躍的に向上してコストダウンを図れる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a producing method for semiconductor device, with which the deposition of polymerized films on the surface of a wafer is suppressed in the case of etching an insulating film with a resist pattern as a mask and satisfactory alloy reaction can be provided between a metal depositing film and the surface of the wafer while unnecessitating the mask formation of a side in a following lift-off process.例文帳に追加

レジストパターンをマスクとする絶縁膜のエッチングの際に基板表面への重合膜の堆積を抑制し、その後のリフトオフ工程におけるサイドのマスク形成を不要としながら金属蒸着膜と基板表面との間の良好なアロイ反応を得ることができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film of an organometallic compound by stably forming the film of the organometallic compound to enhance adhesion of a bonding interface and to perform the formation of ultrathin film, and to provide organometallic thin films and organic electronic devices such as organic electroluminescence devices, organic solar cells, organic thin film transistors, and electronic equipment.例文帳に追加

有機金属化合物を安定して成膜することで、接合界面の密着力を増大させると共に、超薄膜化の実現が可能となる有機金属化合物の薄膜形成方法、有機金属化合物薄膜、およびこれを備えた有機電子デバイス（有機エレクトロルミネッセンス装置・有機太陽電池・有機薄膜トランジスタ）及び電子機器を提供する。 - 特許庁

In this method for measuring thickness of a thin film, in the formation of at least one thin film 12 or more on a transparent substrate 13, light is made to irradiate a thin film formed surface and the reflection factor and the transmissivity thereof are measured to determine the thickness of the thin films.例文帳に追加

透明基板１３上に少なくとも１層以上の薄膜１２を形成する際に、該薄膜形成表面から光を照射して反射率或いは透過率を測定し、該薄膜の膜厚を測定する方法であって、少なくとも一波長以上の光を用いた単色及び多色光測定において、測定光の波長、波長幅が関係式（１）を満足するようにして膜厚を測定するすることを特徴とする膜厚測定方法である。 - 特許庁

In addition, a layer that does not contain an impurity element giving the one conductivity-type or a layer of considerably lower concentration of an impurity element that gives the one conductivity-type than others is provided between a pair of semiconductor films functioning as a source region or a drain region and a layer containing an impurity element functioning as the channel formation region.例文帳に追加

また、ソース領域またはドレイン領域として機能する不純物元素を含む一対の半導体膜と、チャネル形成領域として機能する不純物元素を含む層との間に、一導電型を付与する不純物元素を含まない、もしくは他の層に比べて一導電型を付与する不純物元素の濃度が著しく低い層を設ける。 - 特許庁

At the time of cleaning down a CF film adhering to the inside of the treating vessel after the formation of CF films is performed in the vessel, the CF film adhering to the inside of the treating vessel is decomposed into F and C with oxygen plasma by generating the plasma in the vessel and most of the F and C which are the decomposition products are removed.例文帳に追加

処理容器内にてＣＦ膜の成膜処理を行い、その後処理容器内に付着したＣＦ膜をクリーニングするにあたり、先ず処理容器内にて酸素のプラズマを発生させ、このプラズマにより前記処理容器内に付着したＣＦ膜を分解して、分解生成物であるＦとＣの大部分を除去する。 - 特許庁

In metal films having the MIM capacitors, an error due to bridging generated at etching is resolved by a thermal treatment, and an error induced in the successive bottom electrode etching process due to an abnormal phenomenon generated at etching for the electrode formation in an MIM structure is prevented.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタを持つ金属膜において、エッチング時に発生するブリッジによるエラーを熱処理により解決し、かつ、ＭＩＭ構造の電極形成のためのエッチング時に発生する異常現象により後続の下部電極（Ｂｏｔｔｏｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）エッチング工程に誘発されるエラーを防止する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition that does not generate development residue while maintaining a high residual film ratio even when an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution of 2.38 mass% is used as a developer in a patterned film formation step, and can form a patterned film with excellent low dielectric property without impairing physical characteristics of coating films such as light transmittance and solvent resistance even after high temperature baking.例文帳に追加

パターン膜の形成工程において、２．３８質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を現像液として用いても、高い残膜率を維持したまま、現像残渣がなく、高温ベーキング後においても光透過率、耐溶剤性等の塗膜物性を損なうことなく、低誘電特性に優れたパターン膜を形成できる感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

This layer 13 is exposed to light with the specified pattern and developed, and the part corresponding to the part where barrier ribs are to be formed is removed, and thereby grooves for barrier rib formation 13a and cell forming parts 13b are formed, and the surface of the cell forming parts 13b and the inside of the grooves 13a are covered with die releasing films.例文帳に追加

次に感光性材料層１３を所定のパターンで露光した後に現像して隔壁形成予定部に対応する部分を除去することにより、隔壁形成用溝１３ａ及びセル形成部１３ｂを形成し、セル形成部１３ｂの表面及び隔壁形成用溝１３ａの内部を離型膜にて被覆する。 - 特許庁

An impurity element that gives one conductivity-type is contained in a layer closer to a gate insulating film out of highly crystalline layers so as to form a channel formation region in a highly crystalline layer to be formed later, not in a poorly crystalline layer to be formed at an initial stage when deposition is started, out of the microcrystal semiconductor films.例文帳に追加

微結晶半導体膜のうち、成膜を開始した当初に形成される結晶性の劣った層ではなく、その後に形成される結晶性の高い層においてチャネル形成領域が形成されるように、結晶性の高い層のうちゲート絶縁膜に近い層に、一導電型を付与する不純物元素を含ませる。 - 特許庁

The filter 12a is formed by performing multilayer formation of films whose reflectance is different by a deposition method, and when an incident angle of light to the lens 12 is 0°, the wavelength where the transmittance of a long-wavelength side shows 50% is set at 630 to 680 nm, and the wavelength where the transmittance of a short-wavelength side shows 50% is set at 350 to 400 m.例文帳に追加

多層膜干渉フィルタ１２ａは、異なる反射率の膜を蒸着法により多層形成することにより形成されており、結像レンズ１２への光線の入射角度が０°の時、長波長側の透過率が５０％を示す波長を６３０〜６８０ｎｍとし、短波長側の透過率が５０％を示す波長を３５０〜４００ｍとする。 - 特許庁

To provide a vaporizing/supplying apparatus and a vaporizing/supplying method wherein in formation of ferroelectric films such as PZT, BST, SBT, and PLZT, vaporization is effectively achieved with one vaporizer without causing deterioration of each CVD stock material and adhesion of solid matter, and vaporized gas is supplied to a semiconductor manufacturing apparatus to ensure a high quality high purity semiconductor film.例文帳に追加

ＰＺＴ、ＢＳＴ、ＳＢＴ、ＰＬＺＴ等の強誘電体膜等の成膜において、各々のＣＶＤ原料の劣化や固形物の付着を起こすことなく１個の気化器で効率よく気化し、半導体製造装置へ供給して、高品質、高純度の半導体膜が得られる気化供給装置及び気化供給方法を提供する。 - 特許庁

To provide an antistatic acrylic resin composition which is useable for coating, pressure-sensitive adhesive, etc., particularly a transparent antistatic acrylic resin composition suitable for formation of a pressure-sensitive agent layer for surface protective films of optical member such as a polarizing plate for large screen used for production of liquid crystal display and having little occurrence of electrostatic charge when released.例文帳に追加

塗料、粘着剤等に使用可能な制電性アクリル系樹脂組成物であって、特に、液晶ディスプレイの製造に用いられる大画面用偏光板等の光学部材の表面保護フィルム用の粘着剤層の形成に好適な、透明な、剥離時の静電気の発生が少ない制電性アクリル系樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a prepreg which can reduce or prevent the formation of resin films in a punching process to improve the yield of circuit boards, facilitates the control of humidity at places for storing or producing the prepreg, and can realize high quality punching processing to give the circuit boards having high reliability on the connections of circuits and so on.例文帳に追加

穴開け加工工程における樹脂膜の形成を減少あるいは防止して回路基板の歩留まり向上を図ることができ、また、保管や製造場所の湿度管理が安易で、且つ高品質の穴開け加工を実現することにより回路の接続等の信頼性が高い回路基板を得ることができるプリプレグを提供する。 - 特許庁

A semiconductor substrate has a structure in which embedded insulating layers 12 and 13 consisting of oxide films are made on both sides of a silicon substrate 11, and that silicon layers 14 and 15 to serve as element forming regions for the formation of circuit elements are made severally thereon, and it becomes possible to form twice as many circuit elements as before by forming circuit elements in each silicon layer 14 and 15.例文帳に追加

本発明は、シリコン基板１１の両面に酸化膜からなる埋め込み絶縁層１２，１３を形成し、さらにそれぞれ上層に回路素子を形成するための素子形成領域となるシリコン層１４，１５を形成した構造を有し、各シリコン層１４，１５に回路素子を形成することにより、２倍の回路素子数を形成することが可能となる半導体基板である。 - 特許庁