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floating junctionとは 意味・読み方・使い方
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「floating junction」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 25件
In this case, the floating junction region, the resistive junction region, and the channel junction region have the same thicknesses.例文帳に追加
この際、浮遊接合領域、抵抗接合領域及びチャンネル接合領域は同一な深さであることを特徴とする。 - 特許庁
To enlarge a floating junction dynamic range in a CMOS image sensor.例文帳に追加
本発明は、CMOSイメージセンサにおいて、フローティングジャンクションのダイナミックレンジを拡大できるようにする。 - 特許庁
NONVOLATILE MEMORY CELL WITH P-N JUNCTION FORMED IN POLYSILICON FLOATING GATE, AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加
ポリシリコン浮遊ゲートにPN接合を形成した不揮発性メモリ・セル及びそのメモリ・セルを製造する方法 - 特許庁
An insulated floating gate 214 is formed on the substrate and superimposes on at least in part with the primary junction region.例文帳に追加
絶縁されたフローティングゲートは、基板上に形成され、第1のジャンクション領域と少なくとも一部重畳する。 - 特許庁
An edge termination structure for a silicon carbide device has a plurality of concentric circle floating guard rings in a silicon carbide layer, the floating guard rings neighboring to and being spaced apart from a silicon carbide-based semiconductor junction.例文帳に追加
炭化ケイ素ベースの半導体接合に近接し、この半導体接合から間隔をおいて配置された、炭化ケイ素層中の複数の同心円のフローティングガードリングを有する。 - 特許庁
Popularly known as 'Nagare bashi' (floating bridge), the Kozuya-bashi Bridge, whose bridge timbers are detached from the bridge pier when the water level in the river rises, is located about five km upstream from the junction.発音を聞く 例文帳に追加
合流点の5kmほど上流には増水すると踏み板が橋脚から外れる「流れ橋」として有名な上津屋橋が架かっている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The reset transistor comprises a floating diffusion region for detecting charges, a junction region for discharging the charges, a gate for controlling transfer of charges from the floating diffusion region to the junction region by receiving a reset signal, and a potential well integrated with the lower portion of the gate.例文帳に追加
本発明のリセットトランジスタは、電荷を検出するフローティング拡散領域と、電荷を排出する接合領域と、リセット信号の制御を受けて、前記フローティング拡散領域から前記接合領域への電荷転送を制御するゲートと、該ゲートの下部に統合された電位井戸とを備えることを特徴とする。 - 特許庁
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「floating junction」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 25件
This semiconductor device includes an element isolation film formed in a predetermined region of a semiconductor substrate to define a cell active region, a resistor active region, and a mask ROM active region and a floating junction region, a resistive junction region, and a channel junction region which are respectively formed in those active regions.例文帳に追加
この半導体装置は半導体基板の所定領域に形成されてセル活性領域、抵抗体活性領域及びマスクROM活性領域を限定する素子分離膜及びこれら活性領域に各々形成される浮遊接合領域、抵抗接合領域及びチャンネル接合領域を含む。 - 特許庁
Edge termination for silicon carbide devices has a plurality of concentric floating guard rings in a silicon carbide layer that are neighboring to and spaced apart from a silicon carbide-based semiconductor junction.例文帳に追加
炭化ケイ素ベースの半導体接合に近接し、この半導体接合から間隔をおいて配置された、炭化ケイ素層中の複数の同心円のフローティングガードリングを有する。 - 特許庁
The 1st well area 1 where a floating reference circuit is formed, and the 2nd well area 2 which forms the dielectric strength junction terminating structure, are formed by the one photomask.例文帳に追加
浮遊基準回路が形成される第1ウエル領域1と、耐圧接合終端構造を形成する第2ウエル領域2とを1枚のフォトマスクを用いて形成する。 - 特許庁
In the floating leaf cell, a pair of any junction leaf cells are electrically insulated mutually until the interconnection lines in which the lengths are optimized are added to the constitution.例文帳に追加
フローティング・リーフ・セルでは、どの1対の接合リーフ・セル同士も、長さを最適化した相互接続線がその構成に追加されるまで、互いに電気的に絶縁されている。 - 特許庁
To provide a solid state imaging apparatus capable of suppressing generation of a junction leakage current even when the layout pattern width of a floating diffusion layer becomes small and a polysilicon pattern is arranged circumferentially along the floating diffusion layer, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加
浮遊拡散層のレイアウトパターン幅が小さくなり、かつその周囲にポリシリコンパターンが浮遊拡散層に沿って配置された場合でも、接合リーク電流の発生を抑制することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a solid-state imaging apparatus manufacturing method which can reduce a junction leakage current on a floating diffusion layer with a silicide formed on its surface, and control the development of a white defect etc. and a solid-state imaging apparatus.例文帳に追加
表面にシリサイドが形成された浮遊拡散層での接合リーク電流を低減し、白キズ等の発生を抑制することができる固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置を提供する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile memory cell for enhancing program efficiency by maximizing the coupling rate, without involving source region junction depth or floating gate thickness, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加
ソース領域の接合の深さ及び浮遊ゲートの厚さに関係なしにカップリング比率を極大化させてプログラム効率を向上させることができる不揮発性メモリセル及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
The case of zero bias (FIG. 2b) shows that a PN junction (diode) adjacent to the gate dielectric creates a potential well that can store charges, in a manner similar to that in the potential well created by the floating gate.例文帳に追加
ゼロ・バイアスの場合(FIG.2b.)は、ゲート誘電体に隣接するPN接合(ダイオード)は、浮遊ゲートによって創出されたポテンシャル井戸と同じ形態で電荷を保存することができるポテンシャル井戸を創出する。 - 特許庁
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