garnet laserとは 意味・読み方・使い方

The laser marking method comprises irradiating the above molded body with a laser light having a beam diameter of 20-40 μm and emitted from a laser medium of a neodymium-modified yttrium-aluminum-garnet or yttrium-vanadium tetraoxide and performing the printing.例文帳に追加

上記成形体に、ビーム径が２０〜４０μｍ、レーザー媒質がネオジウム変性イットリウム−アルミニウム−ガーネット又はイットリウム−四酸化バナジウムであるレーザー光線を照射して印字するレーザーマーキング方法である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a bismuth-substituted type rare earth iron garnet crystal film (RIG) which has a large content of Bi used for a Faraday rotator for an optical isolator of a high output laser system.例文帳に追加

高出力レーザー装置の光アイソレータ用ファラデー回転子に使用されるＢｉ含有量が多いビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laser device which can miniaturize the whole device by using a laser medium with excellent properties which neodymium dop yttrium aluminum garnet crystal originally has and reduced size of the whole device.例文帳に追加

ネオジム添加イットリウムアルミニウムガーネット結晶が元来有する優れた特性を備えるとともに全体の大きさを小型化したレーザー媒質を用いることにより、装置全体の大きさを小型化することができるようにしたレーザー装置を提供する。 - 特許庁

The surface of the liquid crystal mask 8, on which the printing data are displayed, is scanned with a laser beam 2 emitted from a YAG (yttrium aluminum garnet) laser oscillator 5, so that the same printing patterns are batch-printed on a plurality of silicon wafer chips placed on a table 13.例文帳に追加

ＹＡＧレーザー発振器５から出力されたレーザー光２で、印字データが表示された液晶マスク８の面をスキャンすることで、テーブル１３上のシリコンウエハの複数のチップに対して同じ印字パターンのものを一括して印字する。 - 特許庁

The film 4 which has the amorphous garnet composition and is formed on the substrate 5 consisting of glass or the macromolecular material is annealed by using a continuously oscillating laser 1 so that the film in the region 3 to be annealed is crystallized.例文帳に追加

ガラスまたは高分子材料からなる基板５上に成膜された非晶質ガーネット組成膜４に対し、連続発振のレーザー１を用いてアニールすることによりそのアニールした領域３の非晶質ガーネット組成膜を結晶化するようにした。 - 特許庁

The thin film transistor 19 comprises a semiconductor film 4 comprising a source and drain region 3 and poly-crystalline silicon, processed by laser annealing method employing Nd:YAG (yttrium-aluminum-garnet) second high harmonics; and an interlayer dielectric 6 for covering the semiconductor film 4.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１９は、ソースおよびドレイン領域３を含み、Ｎｄ：ＹＡＧ（イットリウム−アルミニウム−ガーネット）第２高調波を用いたレーザアニール法により多結晶化されたシリコンを含む半導体膜４と、半導体膜４を覆う層間絶縁膜６とを有する。 - 特許庁

To provide a sandblast resistant photosensitive resin composition which can be directly and patternwise exposed with visible light, particularly argon laser light whose wavelength peak is at about 488 nm or YAG(yttrium aluminum garnet) second harmonic laser light whose wavelength peak is at about 532 nm and has superior profitability and high sensitivity and to provide a dry film using the composition and a method for cutting a body processed using these.例文帳に追加

可視光、特に波長ピークが４８８ｎｍ付近にあるアルゴンレーザー光や波長ピークが５３２ｎｍ付近にあるＹＡＧ第２次高調波レーザー光などの可視光によって直接描画露光することができ、且つ経済性に優れた高感度な耐サンドブラスト性感光性樹脂組成物、およびこれを用いたドライフィルム、並びにこれらを用いた被処理体の切削方法を提供する。 - 特許庁