high k oxideとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of fabricating a high-k gate insulating film and a silicon oxide film on the high-k gate insulating film whereby a defect and trapping are avoided that cause a short circuit between doped silicon gates on the high-k gate insulating film.例文帳に追加

高ｋゲート絶縁膜上のドープされたシリコンゲート間に短絡をもたらす欠陥、トラッピングを回避する、前記高ｋゲート絶縁膜および前記高ｋゲート絶縁膜上のシリコンオキサイド膜の製造法を提供する。 - 特許庁

A multilayer dielectric structure of a semiconductor device of the present invention has a silicate interface film and a high-k dielectric film formed on the silicate interface film, wherein the high-k dielectric film contains a metal alloy oxide.例文帳に追加

本発明の半導体素子の多層誘電体構造物は、シリケート界面膜及びシリケート界面膜上に形成された高誘電体膜を備え、高誘電体膜は金属合金酸化物を含む。 - 特許庁

A method is disclosed for selectively removing rare earth scandium oxide high-k materials (e. g. DyScO_3) on Si or SiO_2.例文帳に追加

Ｓｉ若しくはＳｉＯ_２上で、例えば希土類スカンジウム酸化物高ｋ材料（具体的にはＤｙＳｃＯ_３）を選択的に除去する方法を開示する。 - 特許庁

To provide a method and a plasma composition for selectively eliminating a high-k layer such as HfO_2 on a silicon or silicon oxide film.例文帳に追加

シリコン又はシリコン酸化膜上のＨｆＯ_２のような高ｋ層を選択的に除去する方法及びプラズマ組成を提供する。 - 特許庁

A high K dielectric 108 comprising oxygen is formed on the silicon oxide/nitride layer 106 without the addition oxidation at the layer 106.例文帳に追加

酸素を含有する高Ｋ誘電体（１０８）は、層（１０６）の酸化を付加することなく、シリコン酸化窒化物層（１０６）上に形成される。 - 特許庁

MOCVD SELECTIVE DEPOSITION OF C-AXIAL PB5GE3O11 THIN FILM ON HIGH-K GATE OXIDE例文帳に追加

Ｈｉｇｈ−ｋゲート酸化物上のＣ軸方向Ｐｂ５Ｇｅ３Ｏ１１薄膜のＭＯＣＶＤ選択的堆積 - 特許庁

Next, a dielectric gate comprising an oxide or a high k material or a combination thereof, for example, can be formed on the surface of the strained Si film.例文帳に追加

次に、例えば酸化物、高ｋ材料、またはこの２つの組合せのような誘電体ゲートを、歪みＳｉ膜の表面に形成することができる。 - 特許庁

To provide a method of selective deposition of a C-axial PGO thin film on a High-k gate oxide.例文帳に追加

Ｈｉｇｈ−ｋゲート酸化物上にＣ軸ＰＧＯ薄膜を選択的に堆積する方法を提供すること。 - 特許庁