「high k oxide」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A silicon oxide film 411 on the silicon board 400 is subjected to oxidization treatment, and the High-k film 412 is formed on the treated silicon oxide film 411.例文帳に追加

シリコン基板４００上のシリコン酸化膜４１１を酸化処理した後、その上にＨｉｇｈ−ｋ膜４１２を形成する。 - 特許庁

The transfer of K from the catalyst layers 6, 7 to the carrier 9 is prevented even in heating to a high temperature by supporting K on the carrier 9 in the form of the multiple oxide of K and Zr, Ce or La.例文帳に追加

ＫをＺｒ、Ｃｅ又はＬａとの複合酸化物の形にして上記担体９に担持させることにより、高温に加熱されても、Ｋが触媒層６，７から離れて担体９へ移動することを防止する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a high-k gate insulating film and a silicon oxide film on the high-k gate insulating film whereby a defect and trapping are avoided that cause a short circuit between doped silicon gates on the high-k gate insulating film.例文帳に追加

高ｋゲート絶縁膜上のドープされたシリコンゲート間に短絡をもたらす欠陥、トラッピングを回避する、前記高ｋゲート絶縁膜および前記高ｋゲート絶縁膜上のシリコンオキサイド膜の製造法を提供する。 - 特許庁

A multilayer dielectric structure of a semiconductor device of the present invention has a silicate interface film and a high-k dielectric film formed on the silicate interface film, wherein the high-k dielectric film contains a metal alloy oxide.例文帳に追加

本発明の半導体素子の多層誘電体構造物は、シリケート界面膜及びシリケート界面膜上に形成された高誘電体膜を備え、高誘電体膜は金属合金酸化物を含む。 - 特許庁

A method is disclosed for selectively removing rare earth scandium oxide high-k materials (e. g. DyScO_3) on Si or SiO_2.例文帳に追加

Ｓｉ若しくはＳｉＯ_２上で、例えば希土類スカンジウム酸化物高ｋ材料（具体的にはＤｙＳｃＯ_３）を選択的に除去する方法を開示する。 - 特許庁

To provide a method and a plasma composition for selectively eliminating a high-k layer such as HfO_2 on a silicon or silicon oxide film.例文帳に追加

シリコン又はシリコン酸化膜上のＨｆＯ_２のような高ｋ層を選択的に除去する方法及びプラズマ組成を提供する。 - 特許庁

A high K dielectric 108 comprising oxygen is formed on the silicon oxide/nitride layer 106 without the addition oxidation at the layer 106.例文帳に追加

酸素を含有する高Ｋ誘電体（１０８）は、層（１０６）の酸化を付加することなく、シリコン酸化窒化物層（１０６）上に形成される。 - 特許庁

MOCVD SELECTIVE DEPOSITION OF C-AXIAL PB5GE3O11 THIN FILM ON HIGH-K GATE OXIDE例文帳に追加

Ｈｉｇｈ−ｋゲート酸化物上のＣ軸方向Ｐｂ５Ｇｅ３Ｏ１１薄膜のＭＯＣＶＤ選択的堆積 - 特許庁

Next, a dielectric gate comprising an oxide or a high k material or a combination thereof, for example, can be formed on the surface of the strained Si film.例文帳に追加

次に、例えば酸化物、高ｋ材料、またはこの２つの組合せのような誘電体ゲートを、歪みＳｉ膜の表面に形成することができる。 - 特許庁

To provide a method of selective deposition of a C-axial PGO thin film on a High-k gate oxide.例文帳に追加

Ｈｉｇｈ−ｋゲート酸化物上にＣ軸ＰＧＯ薄膜を選択的に堆積する方法を提供すること。 - 特許庁

Furthermore, the capture metal layer reduces a thickness of a silicon oxide interface layer under the high-k gate dielectric remotely.例文帳に追加

さらに、該捕捉金属層は、高ｋゲート誘電体の下の酸化ケイ素界面層の厚さを遠隔から低減する。 - 特許庁

The multilayer boron nitride nanotube having the orientation property is produced by reacting boron oxide, copper oxide, molybdenum oxide (4) and nitrogen (5) with a multilayer carbon nanotube (2) at a high temperature of 1,500-2,500°K.例文帳に追加

１５００Ｋ〜２５００Ｋの高温下において、酸化ホウ素、酸化銅、酸化モリブデン（４）、および、窒素（５）を、多層カーボンナノチューブ（２）に反応させ、配向性を有する多層窒化ホウ素ナノチューブを生成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which dispenses with a patterning process of a lanthanum oxide film, relating to the semiconductor device in which a high-K gate insulating film is constituted by laminating a high-K dielectric film and a lanthanum oxide film, in an n-channel MOS transistor.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳトランジスタにおいてｈｉｇｈ−Ｋゲート絶縁膜をｈｉｇｈ−Ｋ誘電体膜と酸化ランタン膜の積層により構成した半導体装置において、酸化ランタン膜のパターニングプロセスを不要とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new oxide cold storage material having high heat capac ity under extremely low temperature environment not only in the vicinity of 4 k, but also in 2 k area, having large magnetic specific heat per unit volume and capable of readily producing.例文帳に追加

４Ｋ付近のみならず、２Ｋ領域で極低温環境で高い熱容量を有し、単位体積当たりの磁気比熱が大きく、容易に製造できる新規な酸化物蓄冷材と、それを充填した蓄冷器を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a step (oxide film formation step) of forming a silicon oxide film on a silicon substrate surface, a step (etching step) of etching the silicon oxide film to a desired film thickness, and a step (high-k film formation step) of forming the high-k film on the silicon oxide film having been etched.例文帳に追加

本発明の半導体デバイスの製造方法は、シリコン基板表面にシリコン酸化膜を形成する工程（酸化膜形成ステップ）と、シリコン酸化膜を所望膜厚だけ残してエッチングする工程（エッチングステップ）と、エッチング後のシリコン酸化膜上に高誘電体膜を形成する工程（高誘電体膜形成ステップ）とを有する。 - 特許庁

To provide a method for dry-etching of a High-k film having an etching speed difference between a rarefaction part and a dense part as well as an etching property with a small shape difference, while keeping high selectivity (ratio) of a metal oxide served as the High-k film to a foundation polysilicon film.例文帳に追加

本発明の目的は、Ｈｉｇｈ−ｋ膜である金属酸化物を、下地ポリシリコン膜との高い選択性（比）を保ちつつ、パターンの疎部と密部によるエッチング速度差、及び形状差の小さいエッチング特性を有するＨｉｇｈ−ｋ膜のドライエッチング方法を提供することである。 - 特許庁

To provide equipment and a method of depositing a thin film by chemical vapor deposition which enable obtaining a material having high permittivity (High-k) constituted of a metal oxide thin film on an Si substrate without oxidizing the interface with the Si substrate by small-sized equipment and at a low cost.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に金属酸化薄膜からなる誘電率の高い材料（High-k）をＳｉ基板との界面を酸化することなく小型で、かつ、コスト安に得ることができる化学気相成長法による薄膜堆積装置および堆積方法を提供すること。 - 特許庁

The capture metal layer satisfying these standards captures oxide atoms when the oxide atoms pass through a gate electrode, to be diffused toward the high-k gate dielectric.例文帳に追加

これらの基準を満たす捕捉金属層は、酸素原子がゲート電極を通って高ｋゲート誘電体に向け拡散するときに該酸素原子を捕捉する。 - 特許庁

After a metal hafnium layer 12 is formed on a silicon substrate 10, the surface of the silicon substrate 10 and the metal hafnium layer 12 are oxidized, thus forming a silicon oxide film 14 containing Hf set to be a high-k film on the surface of the silicon substrate 10.例文帳に追加

シリコン基板１０上に金属ハフニウム層１２を形成した後、シリコン基板１０の表面部及び金属ハフニウム層１２を酸化することによって、high-k膜となるＨｆ含有シリコン酸化膜１４をシリコン基板１０の表面部に形成する。 - 特許庁

A silicon nitride film 5 is formed on the silicon oxide film 4 acting like a gate insulation film of an I/O film forming region; and the High-k insulation material, an HfSiO film 7 in this case, acting like a gate insulation film of a low leak film forming region is formed in this state.例文帳に追加

Ｉ／Ｏ用膜形成領域のゲート絶縁膜となるシリコン酸化膜４上にシリコン窒化膜５を形成しておき、この状態で低リーク用膜形成領域のゲート絶縁膜となるHigh-k絶縁材料、ここではＨｆＳｉＯ膜７を形成する。 - 特許庁

The foregoing object is achieved by the method where the insulator includes at least one high-k layer of a material having high dielectric constant than silicon oxide.例文帳に追加

前記目的は、絶縁体が酸化シリコンより高い誘電率を有する材料の少なくとも１つの高ｋ層を含むことを特徴とする前記方法によって達成される。 - 特許庁

To enable a thin equivalent oxide thickness (EOT) and flat surface gate insulation film, in a semiconductor having a high permittivity insulating film (High-K).例文帳に追加

高誘電率絶縁膜（Ｈｉｇｈ−Ｋ）を有する半導体装置において、薄い換算酸化膜厚（ＥＯＴ）と平滑な表面のゲート絶縁膜を可能にする事を目的とする。 - 特許庁

The method comprises decomposing a nitrogen oxide under atmospheric pressure utilizing hot plasma having a high temperature of 2,000 K or more generated by arc discharge, high-frequency discharge, microwave discharge and the like.例文帳に追加

アーク放電、高周波放電、マイクロ波放電等により生じる２０００Ｋ以上の高温の熱プラズマを利用して大気圧下で窒素酸化物を分解する。 - 特許庁

To provide an oxide magnetic material which reduces raw material cost by reducing a Co content, improves H_cJ maintaining high B_r and high H_k/H_cJ, satisfies a recently increased requirement for high performance, and has high H_cJ which does not reduce magnetism due to a demagnetizing field generated at the time of thinning in a CaLaCo ferrite excellent in magnetic properties, and to provide a ferrite sintered magnet.例文帳に追加

磁石特性に優れるCaLaCoフェライトにおいて、Co含有量を低減させることにより原料コストを低下させるとともに、高いB_rと高いH_k/H_cJ維持したまま、H_cJを向上させ、近年益々強くなる高性能化の要求を満足し、薄型化した際に発生する反磁界により減磁しない高いH_cJを有する酸化物磁性材料及びフェライト焼結磁石を提供する。 - 特許庁

By this, during lighting of the halogen lamp, partial pressure (vapor pressure) in the vicinity of 500 [K] of a tungsten compound containing tungsten oxide and in a gas phase state becomes high.例文帳に追加

これにより、ハロゲン電球点灯中において、タングステン酸化物を含む、気相状態のタングステン化合物の５００[Ｋ]近傍の分圧（蒸気圧）が高くなる。 - 特許庁

To provide a method for selectively removing high-k materials containing rare earth metallic oxide on a lower substrate or layer without forming any undercut at the lower part of a gate.例文帳に追加

ゲートの下にアンダーカットを形成することなく、下部の基板若しくは層の上で、希土類金属酸化物を含む高ｋ材料を選択的に取り除く方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising an MIS field effect transistor which has a gate insulating film containing a High-K material and having a dielectric constant equivalent to metal oxide.例文帳に追加

Ｈｉｇｈ−Ｋ材料を含有し、金属酸化物と同等の比誘電率を有するゲート絶縁膜を具備したＭＩＳ型電界効果トランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To restrain or prevent carriers from being reduced in mobility when the gate insulating film of a field-effect transistor is made of a high-k material higher in permittivity than silicon oxide.例文帳に追加

電界効果トランジスタのゲート絶縁膜に酸化シリコンより誘電率が高いｈｉｇｈ−ｋ材料を使用した場合に生ずるキャリアの移動度の低下を抑制または防止する。 - 特許庁

The dielectric material 18 is formed by, after filling a gap of a structure with electrode material, which structure being made of an oxide substrate obtained by anode oxidation of metal, removing the structure and filling the gap with high-k dielectric constant material.例文帳に追加

誘電体１８は、金属の陽極酸化により得られた酸化物基材の構造体の空隙に電極材料を充填したのち、前記構造体を除去し、その空隙に高誘電率材料を充填することにより形成される。 - 特許庁

To provide a complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) structure including an intermediate layer between a Si-containing gate electrode and a high-k gate dielectric, so that a threshold voltage and a flat-band voltage of the structure are stabilized.例文帳に追加

構造の閾値電圧及びフラットバンド電圧を安定化させることができる、Ｓｉ含有ゲート電極と高ｋゲート誘電体との間の中間層を含む相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）構造 - 特許庁

Since the vapor pressure in the vicinity of the inner face of the bulb during lighting is 500 [K], the tungsten oxide showing high vapor pressure becomes hard to be adhered to the inner face, and the blackening is suppressed.例文帳に追加

点灯中におけるバルブ内面近傍が５００[Ｋ]なので、高い蒸気圧を示すタングステン酸化物は、当該内面に付着しにくくなり、黒化が抑制される。 - 特許庁

In the method of producing micaceous iron oxide, a fused XFeCl_3 compound (X is an alkali metal element such as Na and K) is made into an atomized mist, and is subjected to vapor phase oxidation with humidified air at a high temperature of 950 to 1,500°C.例文帳に追加

溶融したＸＦeＣl_3化合物（Ｘはアルカリ金属元素、例えばＮa，Ｋなど）を噴霧ミストにして、950〜1500℃の高温度下で加湿空気によって気相酸化させる雲母状酸化鉄の製造方法。 - 特許庁

To provide a polishing method that polishes both an interlayer dielectric principally comprising silicon oxide and a low-k film at high speed, and further reduces a polishing flaw.例文帳に追加

二酸化珪素を主体とする層間絶縁膜とｌｏｗ−ｋ膜を、共に高速に研磨でき、更には、研磨傷が少なくできる研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electronic device with very high reliability and having two kinds or more regions demarcated on a substrate without losing a function of a first insulation film being a silicon oxide film or the like, in spite of use of a second insulation film comprising a High-k insulation material in the case of separately manufacturing the insulation film by each region.例文帳に追加

基板上で相異なる２種以上の領域が画定されており、各領域毎に絶縁膜を作り分けるに際して、High-k絶縁材料からなる第２の絶縁膜を用いるにも係わらず、シリコン酸化膜等である第１の絶縁膜の機能を損なうことなく、極めて信頼性の高い電子デバイスを実現する。 - 特許庁

To provide a composition for a dielectric thin film capable of a low-temperature process and having high dielectric constant (high-k) characteristics, to provide a metal oxide dielectric thin film formed using the same and its manufacturing method, to provide a transistor element containing the dielectric thin film, and to provide an electronic element including the transistor element and having excellent electrical properties.例文帳に追加

低温工程が可能であるうえ、高誘電率(high-k)特性を持つ誘電薄膜組成物、前記組成物を用いて形成された金属酸化物誘電薄膜およびその製造方法、前記誘電薄膜を含むトランジスタ素子、並びに前記トランジスタ素子を含んでおり、優れた電気的特性を持つ電子素子を提供すること。 - 特許庁

By using a high-k film as a first insulating layer having a dielectric constant higher than that of a second insulating layer, which contacts an oxide semiconductor layer, the thinning of a gate insulating layer is achieved thinner than a gate insulating layer evaluated in terms of a silicon oxide layer.例文帳に追加

酸化物半導体層と接する第２の絶縁層よりも比誘電率が高い第１の絶縁層としてｈｉｇｈ−ｋ膜を用いることによって、酸化珪素膜で換算した場合のゲート絶縁層よりもゲート絶縁層の薄膜化ができる。 - 特許庁

When manufacturing a polycrystalline silicon TFT1, an interlayer insulating film 8 is formed of a high thermal conductivity material having a thermal conductivity of 2W/m×K or higher, such as silicon nitride, aluminum nitride, an aluminum oxide film, and a beryllium oxide; and then high-intensity light is applied from the surface of the interlayer insulating film 8 for activating impurities in a polycrystalline silicon film 4.例文帳に追加

多結晶シリコンＴＦＴ１を製造するにあたって、熱伝導率が２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高熱伝導率材料、例えば、窒化シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム膜、酸化ベリリウム等で層間絶縁膜８を形成した後、層間絶縁膜８の表面から高強度の光を照射して多結晶シリコン膜４中の不純物を活性化させる。 - 特許庁

The method is suitable for depositing a High-k hafnium oxide dielectric body used for a gate dielectric body or a capacitor dielectric body on the silicon surface subjected to hydrogen termination treatment by using a hafnium nitride precursor and a hafnium chloride precursor.例文帳に追加

窒化ハフニウムプリカーサおよび塩化ハフニウムプリカーサを用いることによって、この方法は、水素終端処理されたシリコン表面上に、ゲート誘電体またはキャパシタ誘電体に用いるＨｉｇｈ−ｋ酸化ハフニウム誘電体を堆積することによく適している。 - 特許庁

By using a hafnium nitride precursor and an aluminum precursor, the method is suited for depositing a High-k oxidation hafnium/aluminum oxide nanolaminate dielectric, used for a gate dielectric or a capacitor dielectric on a silicon surface which is subjected to hydrogen terminal treatment.例文帳に追加

窒化ハフニウムプリカーサおよびアルミニウムプリカーサを用いることによって、この方法は、水素終端処理されたシリコン表面上に、ゲート誘電体またはキャパシタ誘電体に用いるＨｉｇｈ−ｋ酸化ハフニウム／酸化アルミニウムナノラミネート誘電体を堆積することによく適している。 - 特許庁

To improve electric characteristics and device performance by improving an interface characteristic between a high-K dielectric film and a metal gate in a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET).例文帳に追加

金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）において、本発明の目的は、ｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜と金属ゲートとの間の界面特性を向上させることにより、電気的特性およびデバイス性能を向上させることである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-temperature single electron pair tunnel element using a layered oxide superconducting material which is provided with a tunnel junction layer of sub-micron square order or smaller and can operate at a temperature equal to that of liquid helium (4.2 K) or higher.例文帳に追加

サブミクロン平方オーダー以下のトンネル接合層を備え、その接合数を可変にすることにより液体ヘリウム温度（４．２Ｋ）以上で動作可能な層状酸化物超伝導体を用いた高温単電子対トンネル素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a superconductive device in which a film thickness is about 300 nm or more and a flat epitaxial growth with an oxide superconductive layer is possible, and which has an interlayer insulating layer having ε_r 40 or less at operating temperatures of about 40 K or less and is suitable for a high-speed operation with small wiring capacity.例文帳に追加

膜厚が約３００ｎｍ以上で酸化物超電導層との平坦なエピタキシャル成長が可能であり、かつ約４０Ｋ以下の動作温度においてε_rが４０以下である層間絶縁層を有し、配線容量が小さく高速動作に適した超電導素子を提供する。 - 特許庁

To provide a superconducting material whose superconductive transition temperature is comparatively high and which is constituted of carbon-based fullerene molecules with high chemical stability, even though the transition temperature of the usual fullerene superconductor is low, about 40 K, and an oxide superconducting material whose superconductivity appears at liquid nitrogen temperature has a low chemical stability.例文帳に追加

従来のフラーレン超伝導体は、その超伝導転移温度が４０Ｋ程度と低く、また、液体窒素温度で超伝導を発現する酸化物超伝導体は、その化学的安定性に乏しかったので、比較的高温の転移温度を有し、化学的安定性の高い炭素系フラーレン分子で構成される超伝導材料を提供する。 - 特許庁

A silicide is prevented from being formed on a dummy gate electrode by using a cap oxide film as a mask, in a forming area of the low voltage MISFET used in a logic circuit or the like, and a forming step is simplified when forming a gate of the low voltage MISFET using a damascene process by a high-k film 18 and a metal gate electrode 20.例文帳に追加

ロジック回路などに使用される低電圧ＭＩＳＦＥＴの形成領域において、キャップ酸化膜をマスクにすることによってダミーゲート電極上にシリサイドが形成されるのを防ぎ、ダマシンプロセスを用いて低電圧ＭＩＳＦＥＴのゲートをｈｉｇｈ−ｋ膜１８およびメタルゲート電極２０で形成する際の形成工程を簡略化する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an oxide magnetic material having La and Co such as SrLaCo ferrite and CaLaCo ferrite, which can improve H_cJ while maintaining high B_r and H_k/H_cJ without causing a steep rise in raw material costs nor in manufacturing costs regardless of improvement of composition ratio or a manufacturing method.例文帳に追加

組成比や製造方法の改良によらず、原料費及び工程費の高騰を招くことなく、高いＢ_ｒ及びＨ_ｋ／Ｈ_ｃＪを維持したままＨ_ｃＪを向上させることができる、ＳｒＬａＣｏフェライトやＣａＬａＣｏフェライトなどのＬａとＣｏを含有する酸化物磁性材料の製造方法を提供する。 - 特許庁