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liquid Gaとは 意味・読み方・使い方
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「liquid Ga」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 41件
The metal material is a Ga-based alloy which is in a paste state at a temperature of the melting point of the Ga-based alloy or above, the Ga-based alloy comprising at least a Ga-based liquid metal in a liquid state at room temperature and an alkali metal or an alkaline earth metal and having an electron injection function.例文帳に追加
融点以上の温度でペースト状態となるＧａ系合金であって、常温で液体のＧａ系液体金属と、アルカリ金属又はアルカリ土類金属とを少なくとも含んでなり、電子注入機能を有することを特徴とする。 - 特許庁
The metal material is a Ga-base alloy which is in a paste state at a temperature of the melting point of the Ga-base alloy or above, the Ga-base alloy comprising at least a Ga-base liquid metal in a liquid state at room temperature and an alkali metal or an alkaline earth metal and having an electron injection function.例文帳に追加
融点以上の温度でペースト状態となるＧａ系合金であって、常温で液体のＧａ系液体金属と、アルカリ金属又はアルカリ土類金属とを少なくとも含んでなり、電子注入機能を有することを特徴とする。 - 特許庁
To make ion emission (emission) of a Ga liquid metal ion source (LMIS) stable and having long life.例文帳に追加
Ｇａ液体金属イオン源(LMIS)のイオン放射(エミッション)を安定に、かつ、長寿命にする。 - 特許庁
To provide a method capable of isolating easily Ga ions at high concentration in a short time from a liquid mixture containing one or more Ga ions selected from Ga isotopes and ions of an element in the fourth period other than Ga, to provide an apparatus used in the method, and to provide a method of producing a Ga label compound and an apparatus for producing the Ga label compound.例文帳に追加
Ｇａの同位体から選択される１以上のＧａのイオンと、Ｇａを除く第４周期の元素のイオンとを含む混合液から、短時間に簡便に高濃度のＧａのイオンを単離する方法、そのための装置、Ｇａ標識化合物の製造方法およびＧａ標識化合物を製造するための装置の提供を目的とする。 - 特許庁
In Na and Ga mixed melting liquid 107 and on an Na and Ga mixed melting liquid surface 108, nitrogen gas or nitrogen components in the melting liquid supplied from the nitrogen gas and Ga are allowed to react so that continuous GaN crystals can grow, and that the crystal size can be made large.例文帳に追加
ＮａとＧａの混合融液中１０７及び混合融液表面１０８で、窒素ガス或いは窒素ガスから供給された融液中の窒素成分とＧａとが反応することで、継続的なＧａＮ結晶が成長し、結晶サイズの大きなものを得ることが可能となる。 - 特許庁
Because a sputter particle 11 is made to be the constituting material (W, Ga) of the Ga liquid metal ion source 2-1, there does not occur contamination that changes physical property of Ga9 even if the sputter particle 11 is adhered to the Ga liquid metal ion source 2-1.例文帳に追加
スパッタ粒子１１がＧａ液体金属イオン源２−１の構成材(Ｗ,Ｇａ)となるようにすることにより、スパッタ粒子１１がＧａ液体金属イオン源２−１に付着した場合でもＧａ９の物性を変えるような汚染が生じない。 - 特許庁
By making a sputter particle 11 to be a constituent material (W, Ga) of the Ga liquid metal ion source 2-1, even if the sputter particle 11 is attached onto the Ga liquid metal ion source 2-1, contamination which makes physical properties of the Ga9 change is not generated.例文帳に追加
スパッタ粒子１１がＧａ液体金属イオン源２−１の構成材(Ｗ,Ｇａ)となるようにすることにより、スパッタ粒子１１がＧａ液体金属イオン源２−１に付着した場合でもＧａ９の物性を変えるような汚染が生じない。 - 特許庁
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「liquid Ga」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 41件
The metal which becomes liquid at room temperature is preferably Ga or a Ga-In alloy, its content is 3-10 wt.%, and the metal which becomes liquid at room temperature is a solid solution in which particles of the metal which becomes liquid at room temperature are present between Sn particles.例文帳に追加
常温で液体になる金属はＧａ又はＧａ−Ｉｎ合金であることが好ましく、その含有量は３乃至１０重量％であり、更にＳｎ粒子の間に常温で液体になる金属粒子が存在する固溶体である。 - 特許庁
Preferably, Ga-doped zinc oxide is dispersed into water, Ga-doped zinc oxide dispersed into water is added to a water glass aqueous solution, they are mixed to prepare a spray liquid, the spray liquid is sprayed on the base material, and, after dried, the base material is heated at 150 to 700°C and is baked.例文帳に追加
好ましくはＧａドープ酸化亜鉛を水に分散させ、これを水ガラス水溶液に添加し、混合してスプレー液を調製し、これを基材にスプレーし、乾燥後、１５０〜７００℃に加熱して焼き付ける。 - 特許庁
Disclosed is the manufacturing method of the sputter target including a mixing step of mixing liquid Ga and dopant elements with each other.例文帳に追加
液状Ｇａとドーパント元素とを混合する混合工程を備えるスパッタターゲットの製造方法とする。 - 特許庁
The mixing step may be a step of dissolving the dopant elements in the liquid Ga.例文帳に追加
前記混合工程は、前記液状Ｇａ中に前記ドーパント元素を溶解させる工程とすることができる。 - 特許庁
In the laminate formation process, the Ga layer 8c is formed by electrolytic deposition in an ionic liquid in which a gallium salt is dissolved.例文帳に追加
積層体形成工程では、Ｇａ層８ｃを、ガリウム塩を溶解したイオン液体中での電解析出により形成する。 - 特許庁
During cooling of the structure 15 and 17 produced in this way, the Li(Al, Ga)O_x substrate 7 completely or largely flakes off the III-N layers 15, or residues 7' can be removed if necessary, by using etching liquid, such as aqua regia.例文帳に追加
このようにして製造された層１５、１７の冷却中、Li(Al, Ga)O_X基板７は全てあるいは大部分がIII-N層１５から脱落し、必要ならば、王水などのエッチング液により残留物７’を除去する。 - 特許庁
The liquid metal includes a gallium (Ga) alloy and has a heat resistance of about 5 mm^2°C/W or lower.例文帳に追加
液体金属はガリウム（Ｇａ）合金を含み、約５平方ミリメートル摂氏度毎ワット（ｍｍ^２℃／Ｗ）以下の熱抵抗を有することができる。 - 特許庁
To provide a method of refining gallium for liquid phase epitaxial growth which can easily reduce the Al concentration in Ga used for epitaxial growth.例文帳に追加
エピタキシャル成長に使用したＧａ中のＡｌ濃度を容易に低減できる液相エピタキシャル成長用ガリウムの精製方法を提供する。 - 特許庁
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