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意味・対訳 低スピン構造

JST科学技術用語日英対訳辞書での「low spin structure」の意味

low spin structure


「low spin structure」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 12



例文

To provide a spin valve element which generates a great output signal at a low current using a CPP structure having high resistance.例文帳に追加

高い抵抗を有するCPP構造で、低電流で大きな出力信号を生成するスピンバルブ素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a current perpendicular to plane spin valve element which generates great output signal at low current using a CPP (current perpendicular to plane) structure having high resistance.例文帳に追加

高い抵抗を有するCPP構造で、低電流で大きな出力信号を生成するスピンバルブ素子を提供すること。 - 特許庁

To obtain a spin transfer oscillator (STO) structure which can oscillate a field generation layer (FGL) under a low current density in MAMR application.例文帳に追加

MAMR用途において、低電流密度下で磁界生成層(FGL)を発振させ得るスピントランスファー発振器(STO)構造を得る。 - 特許庁

To provide an electrical interconnection structure on a substrate including a first low-k dielectric layer, a spin-on low-k CMP protective layer covalently bonded to the first low-k dielectric layer, and a CVD-bonded hard mask/CMP polishing stop layer.例文帳に追加

第1の低k誘電体層と、第1の低k誘電体層へ共有結合したスピンオン低kCMP保護層と、CVD付着ハードマスク/CMP研磨停止層とを含む基板上の電気的相互接続構造を提供する。 - 特許庁

To provide a current-perpendicular-to-the-plane type giant magnetoresistive effect sensor having low resistance and high sensitivity, which possesses synthetic spin-valve structure.例文帳に追加

シンセティックスピンバルブ構造を有する場合において低抵抗化かつ高感度化を実現することが可能な膜面直交電流型巨大磁気抵抗効果センサを提供する。 - 特許庁

Compared to the composition having v<20 atomic% and w<85 atomic%, the spin valve structure can retain a low retaining force, small magnetostriction and a larger MR ratio.例文帳に追加

v=20原子%未満およびw=85原子%未満である場合と比較して、保持力が低く維持されたまま、磁歪が低くなると共に、MR比が高くなる。 - 特許庁

例文

Also the magnetic pole tip has low residual magnet (to reduce possibility of on-track-erasing) and gentle magnetic domain spin structure (to improve switching speed and reproducibility), and has no domain wall formed at near the magnetic pole tip at all.例文帳に追加

また磁極先端は、低残留磁気(オントラック消去の可能性を減らすため)と、緩やかな磁区スピン構造(スイッチング速度および再現性を高めるため)とを有し、磁極先端付近に形成される磁壁を全く有さない。 - 特許庁

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「low spin structure」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 12



例文

Selection of a polishing stop layer (formed on a surface of low k dielectrics), which has permittivity nearly equal to that of dielectrics positioned below is enabled by using spin coating, so that effective permittivity of an obtained structure is not significantly increased.例文帳に追加

スピン・コーティングの使用により、下にある誘電体とほぼ等しい誘電率を有する研磨停止層(低k誘電体の表面に形成される)の選択が可能になるので、得られる構造の有効誘電率は著しくは増加しない。 - 特許庁

To provide a practical method for forming spin valve structure provided with a layer to be fixed, in which the opening of a hysterisis curve is suppressed and which is not destroyed by software ESD in a low magnetic field without being affected by ESD phenomenon.例文帳に追加

ヒステリシス曲線の開きが抑えられ、ソフトESDによる破壊を受けない安定した被固定層を備えるスピンバルブ構造を、ESD現象の影響を受けることなく低磁場中において形成するための実用的な方法を提供する。 - 特許庁

The substrate of a semiconductor integrated circuit is spin coated with diamond colloid solution produced by dispersing fine diamond particles of nanometer size into water or an organic solution and then dried to form an insulation layer of low permittivity porous structure diamond film where the fine diamond particles are dispersed uniformly through air gaps of nanometer size (nano pores).例文帳に追加

半導体集積回路などの基板に、ナノメートルサイズのダイヤモンド微粒子を水あるいは有機溶液に分散したダイヤモンドコロイド溶液をスピンコートなどにより塗布し乾燥させることにより、ダイヤモンド微粒子がナノメートルサイズの空隙(ナノポア)をもって均一に分散された低誘電率のポーラス構造ダイヤモンド膜を形成する。 - 特許庁

The substrate of a semiconductor integrated circuit is spin coated with diamond colloid solution produced by dispersing fine diamond particles of nanometer size into water or an organic solution and then dried to form an insulation layer of low permittivity porous structure diamond film where fine diamond particles are dispersed uniformly through air gaps of nanometer size (nano pores).例文帳に追加

半導体集積回路などの基板に、ナノメートルサイズのダイヤモンド微粒子を水あるいは有機溶液に分散したダイヤモンドコロイド溶液をスピンコートなどにより塗布し乾燥させることにより、ダイヤモンド微粒子がナノメートルサイズの空隙(ナノポア)をもって均一に分散された低誘電率のポーラス構造ダイヤモンド膜の絶縁層を形成する。 - 特許庁

例文

A double annealing process is carried out to remove a magnetization probe failure while a low magnetic field is successively applied in a state wherein a magnetization probe failure occurs when a high magnetic field is applied in a process of forming the MTJ cell of a magnetic RAM having a SAF structure, so that the MTJ cell of the magnetic RAM improved in uniformity in the direction of spin can be formed.例文帳に追加

本発明は、SAF構造のマグネチックラムのMTJセル形成工程時に高い磁場の印加による磁化プローブ不良が発生した状態で順次に低い磁場の印加による2重アニーリング工程を実施して磁化プローブ不良を除去し、スピン方向の均一性を向上させたマグネチックラムのMTJセルを形成することができる。 - 特許庁

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