mechanical scanning methodとは 意味・読み方・使い方

An electric field time waveform of a terahertz pulse train composed of a plurality of terahertz pulses is temporally expanded on the basis of the principle of an asynchronous optical sampling method and is rapidly acquired without using any mechanical stage for time delay scanning.例文帳に追加

複数のテラヘルツ・パルスから構成されるテラヘルツ・パルス列の電場時間波形を、非同期光サンプリング法の原理に基づいて時間的に拡大し、時間遅延走査用機械式ステージ無しで高速取得する。 - 特許庁

To provide a holding device for an analytical sample and an analytical method for the sample in an analytical device for the sample which can speedily and certainly distinguish a sample position from detected data by scanning the sample without depending on the mechanical accuracy of the device.例文帳に追加

装置の機械精度に依存することなく、試料の走査により、その検出データから迅速に且つ確実に試料の位置を判別できる試料分析装置における試料保持装置および試料分析方法を提供する。 - 特許庁

Further, the mechanical scanning related to a depth direction is eliminated by using a method for measuring the interference fringe in a spectrum region without directly measuring the interferogram of a time axis and calculating the interferogram of the time axis.例文帳に追加

また、時間軸のインターフェログラムを直接計測するのではなく、スペクトル領域における干渉縞を計測し、そこから時間軸のインターフェログラムを計算する方法を用いることで、深さ方向に対する機械的走査を解消している。 - 特許庁

To provide an image reader where a deviation in an image read position in the subscanning direction caused by a mechanical backlash on the configuration of a scanning sequence is corrected by using a subscanning position detection mark and a subscanning direction image read position correction means so as to prevent deviation in one color caused by the backlash, to provide the read position correction method and the storage medium.例文帳に追加

スキャンシーケンスの構成上、メカ的なバックラッシュで発生する副走査方向の画像読取位置のずれを、副走査位置検出マーク及び副走査方向画像読取位置補正手段を用いることで補正し、バックラッシュが原因となって発生する一色ずれを防止することを可能とした画像読取装置、読取位置補正方法及び記憶媒体を提供する。 - 特許庁

To provide an implantation method, in which, when a wafer is divided into a plurality of implantation regions in the mechanical scan direction, and the beam scanning speed is varied for every implantation region, thus controlling the ion implantation amount in the wafer, the target ion implantation distribution and the ion implantation amount are realized for every implantation region while fixing together the beam scan frequency and the beam scan amplitude in the respective implantation regions.例文帳に追加

イオン注入方法において、ウエハをメカニカルスキャン方向において複数の注入領域に分け、その注入領域ごとにビームスキャン速度を可変にし、それによってウエハ内のイオン注入量を制御する場合に、それぞれの注入領域のビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を共に固定しながら注入領域ごとに目的のイオン注入量分布とイオン注入量とを実現する。 - 特許庁