meefとは 意味・読み方・使い方

To provide a positive resist composition which ensures good LWR and MEEF and a pattering method using the positive resist composition.例文帳に追加

ＬＷＲとＭＥＥＦとが良好である、ポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition good at lithography performances such as MEEF performance and LWR performance and good at resistance to pattern falling.例文帳に追加

ＭＥＥＦ性能及びＬＷＲ性能等のリソグラフィー性能に優れ、かつパターン倒れ耐性にも優れる感放射線性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

Image data of a section having MEEF equal to or greater than a prescribed value is created on the basis of the region data including at least some pattern defined by the design pattern data.例文帳に追加

設計パターンデータに定義される少なくとも一部のパターンを包含する領域データから、ＭＥＥＦが所定値以上の箇所の画像データを作成する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which has a large depth of focus and ensures small LWR and MEEF, excellent pattern collapse resistance and excellent development defect control property.例文帳に追加

焦点深度が広く、ＬＷＲ及びＭＥＥＦが小さく、パターン倒れ特性に優れ、かつ、現像欠陥性能にも優れる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition as a chemically amplified resist that is excellent in depth of focus, LWR (Line Width Roughness), and MEEF (Mask Error Enhancement Factor), and excellent also in preventing the occurrence of a defect in development.例文帳に追加

焦点深度、ＬＷＲ、ＭＥＥＦに優れるとともに、現像欠陥にも優れた化学増幅型レジストである感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition, a pattern formation method, a polymer and a compound which are excellent in pattern formation property, MEEF performance and etching resistance.例文帳に追加

パターン形成性、ＭＥＥＦ性能及びエッチング耐性に優れる感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、重合体及び化合物を提供すること。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having excellent resolution performance and forming a chemically amplifying type resist having a small MEEF and a small LWR, and also to provide a polymer used therefor.例文帳に追加

解像性能に優れ、かつ、ＭＥＥＦが小さくＬＷＲの小さい化学増幅型レジストを形成可能な感放射線性樹脂組成物およびそれに用いる重合体を提供することである。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive composition improved in a LWR, an exposure latitude and an MEEF, and fit to a liquid immersion process, of 45 nm of line width, and to provide a pattern forming method which use the composition.例文帳に追加

ＬＷＲ、露光ラチチュード、ＭＥＥＦが改良され、線幅４５ｎｍ以下の液浸プロセスに適合したポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁