「meef」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a resist composition capable of further improving a mask error enhancement factor (MEEF) of a pattern obtained from the composition.例文帳に追加

得られるパターンのマスクエラーエンハンスメントファクター（ＭＥＥＦ）をより改善することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition not only having sufficient basic characteristics such as sensitivity and resolution but having sufficient MEEF (mask error enhancement factor) performance.例文帳に追加

感度、解像性といった基本特性だけではなく、ＭＥＥＦ性能をも十分に満足する感放射線性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which ensures good LWR and MEEF and a pattering method using the positive resist composition.例文帳に追加

ＬＷＲとＭＥＥＦとが良好である、ポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

Image data of a section having MEEF equal to or greater than a prescribed value is created on the basis of the region data including at least some pattern defined by the design pattern data.例文帳に追加

設計パターンデータに定義される少なくとも一部のパターンを包含する領域データから、ＭＥＥＦが所定値以上の箇所の画像データを作成する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition good at lithography performances such as MEEF performance and LWR performance and good at resistance to pattern falling.例文帳に追加

ＭＥＥＦ性能及びＬＷＲ性能等のリソグラフィー性能に優れ、かつパターン倒れ耐性にも優れる感放射線性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which has a large depth of focus and ensures small LWR and MEEF, excellent pattern collapse resistance and excellent development defect control property.例文帳に追加

焦点深度が広く、ＬＷＲ及びＭＥＥＦが小さく、パターン倒れ特性に優れ、かつ、現像欠陥性能にも優れる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition as a chemically amplified resist that is excellent in depth of focus, LWR (Line Width Roughness), and MEEF (Mask Error Enhancement Factor), and excellent also in preventing the occurrence of a defect in development.例文帳に追加

焦点深度、ＬＷＲ、ＭＥＥＦに優れるとともに、現像欠陥にも優れた化学増幅型レジストである感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition, a pattern formation method, a polymer and a compound which are excellent in pattern formation property, MEEF performance and etching resistance.例文帳に追加

パターン形成性、ＭＥＥＦ性能及びエッチング耐性に優れる感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、重合体及び化合物を提供すること。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having excellent resolution performance and forming a chemically amplifying type resist having a small MEEF and a small LWR, and also to provide a polymer used therefor.例文帳に追加

解像性能に優れ、かつ、ＭＥＥＦが小さくＬＷＲの小さい化学増幅型レジストを形成可能な感放射線性樹脂組成物およびそれに用いる重合体を提供することである。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive composition improved in a LWR, an exposure latitude and an MEEF, and fit to a liquid immersion process, of 45 nm of line width, and to provide a pattern forming method which use the composition.例文帳に追加

ＬＷＲ、露光ラチチュード、ＭＥＥＦが改良され、線幅４５ｎｍ以下の液浸プロセスに適合したポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an active ray sensitive or radiation sensitive resin composition which allows formation of a pattern having good properties of PEBS (post exposure bake sensitivity), MEEF (mask error enhancement factor), coverage dependence and bridge defects, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

ＰＥＢＳ、ＭＥＥＦ、被覆率依存性、ブリッジ欠陥のいずれもが良好なパターンを形成することが可能な感活性光線又は感放射線樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition capable of forming a resist pattern which sufficiently satisfies MEEF, LWR and CDU and pattern collapse resistance properties, and to provide a method for forming the resist pattern using the radiation sensitive resin composition.例文帳に追加

ＭＥＥＦ、ＬＷＲ、ＣＤＵ及び耐パターン倒れ性を十分に満足するレジストパターンを形成可能な感放射線性樹脂組成物並びにこの感放射線性樹脂組成物を用いたレジストパターンの形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which is excellent in sensitivity, resolution and exposure margin and also satisfies MEEF performance, and to provide a low-molecular compound suitably used in the radiation-sensitive resin composition.例文帳に追加

本発明の課題は、感度、解像性、露光マージンに優れることに加え、ＭＥＥＦ性能も満足する感放射線性樹脂組成物およびその感放射線性樹脂組成物に好適に用いられる低分子化合物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition that has high resolution performance and has a good balance between DOF (Depth Of Focus) and MEEF (Mask Error Enhancement Factor) in forming a fine pattern of 90 nm or less, and is suitably used also for a liquid immersion exposure process.例文帳に追加

９０ｎｍ以下の微細パターン形成において、解像性能に優れるだけでなく、ＤＯＦとＭＥＥＦのバランスに優れ、液浸露光プロセスにも好適に利用されうる感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

A first correction component (an amount of OPC correction) of the optical proximity effect is determined from an amount of deviation ΔP from the ideal (design) pattern of the prediction pattern and the amount of the correction is calculated by adding a second correction component (ΔF/MEEF) meeting the simulation error to the first correction component.例文帳に追加

予測パターンの理想（設計）パターンからのずれ量ΔＰから光近接効果の第１補正成分（ＯＰＣ補正量）を求め、当該第１補正成分にシミュレーション誤差に応じた第２補正成分（ΔＦ／ＭＥＥＦ）を付加して補正量を算出する。 - 特許庁

To provide a photoresist composition having sufficient basic characteristics such as sensitivity and excellent lithographic performances represented by an MEEF (mask error enhancement factor) and LWR (line width roughness) as an indicator, to provide a method for forming a resist pattern using the photoresist composition, and to provide a polymer and a compound to be used for the resist composition.例文帳に追加

感度等の基本特性を満足し、ＭＥＥＦ及びＬＷＲを指標とするリソグラフィー性能に優れるフォトレジスト組成物、並びにこのフォトレジスト組成物を用いたレジストパターンの形成方法、上記フォトレジスト組成物に用いられる重合体、及び化合物の提供。 - 特許庁

To reduce unevenness in resist patterns on a mask due to a fogging effect in an exposure step in mask production (difference in dimension due to pattern density irregularity) and to provide a mask having high dimensional accuracy required for photolithography by which dimension equal to or below the wavelength of light for exposure (with a large numerical value of MEEF (mask error enhancement factor)) is formed on a wafer.例文帳に追加

マスク製造の露光工程においてFogging効果によるマスク上レジストパターンのばらつき（パターン疎密による寸法差）を低減し、ウェハ上で露光波長以下の寸法を加工する（ＭＥＥＦの数値が大きい）光リソグラフィで要求されるレベルの高寸法精度マスクを提供することを目的としている。 - 特許庁