memory disturbanceとは 意味・読み方・使い方

To screen a memory cell which applies disturbance to other memory cells sharing bit lines and source lines during a memory cell writing operation.例文帳に追加

メモリセルに書き込み動作を行う時、ビット線及びソース線を共通にする他のメモリセルにディスターブを与えるメモリセルをスクリーニングする。 - 特許庁

To read a memory cell at high speed by a large current by preventing read disturbance of the memory cell using a spin injection magnetization reversal.例文帳に追加

スピン注入磁化反転を用いたメモリセルの読み出しディスターブを防ぎ、大電流で高速に読み出す。 - 特許庁

To program a non-volatile memory system so as to reduce or prevent program disturbance.例文帳に追加

不揮発性メモリシステムを、プログラム妨害を低減又は防止するようにプログラムする。 - 特許庁

To improve disturbance resistance during writing in a flash memory with reduced voltage of Vcc.例文帳に追加

Ｖｃｃを低電圧化したフラッシュメモリで書き込み時のディスターブ耐性を改善する。 - 特許庁

To provide a memory capable of suppressing the loss of data due to disturbance by suppressing the accumulation of the disturbance in a memory cell included in a memory cell block to which an access operation is intensively performed.例文帳に追加

アクセス動作が集中的に行われたメモリセルブロックに含まれるメモリセルにディスターブが累積するのを抑制することにより、ディスターブによるデータの消失を抑制することが可能なメモリを提供する。 - 特許庁

To reduce disturbance failure while suppressing write-margin degradation in a semiconductor memory device.例文帳に追加

半導体記憶装置のライトマージンの低下を抑制しつつ、ディスターブ不良を低減する。 - 特許庁

To provide a memory system suppressing read disturbance while reducing a use area.例文帳に追加

使用領域を低減させつつ、リードディスターブを抑制させるメモリシステムを提供すること。 - 特許庁

To provide a twin MONOS type flash memory that controls disturbance from other control gates.例文帳に追加

他のコントロールゲートからのディスターブを抑制するツインＭＯＮＯＳ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁