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n OR gateとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 NOR回路; 否定論理和素子
「n OR gate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 107件
The maximum P/N ratio or the minimum P/N ratio is selected and a noise signal at the input of the gate can be simulated.例文帳に追加
最大のP/N比又は最小のP/N比を選択して、ゲートの入力におけるノイズ信号をシミュレートすることができる。 - 特許庁
Otherwise, a gate width or a gate length of the n type TFT of the odd-numbered inverter is made larger than that of the n type TFT of the even-numbered inverter.例文帳に追加
または、奇数段目のインバータのn型TFTのゲート幅あるいはゲート長を、偶数段目のインバータのn型TFTのそれより大きくする。 - 特許庁
A gate insulation film 52 and a gate electrode 54 are formed in a substrate 36, containing an N type impurity such as P, As, or the like.例文帳に追加
PやAs等のN型不純物を含む基板36にゲート絶縁膜52およびゲート電極54を形成する。 - 特許庁
Besides the aforementioned, the inverter 21 includes m (m is an integer of one or more) NMOS transistor(s) having a gate electrode G3 and n (n is an integer of zero or more) NMOS transistor(s) having a gate electrode G4.例文帳に追加
また、インバータ21は、ゲート電極G3を有するm(mは1以上の整数)個のNMOSトランジスタ及びゲート電極G2を有するn(nは0以上の整数)個のNMOSトランジスタを有する。 - 特許庁
Furthermore, the gate electrodes of the P-channel or N-channel transistors are so arranged as to connect to adjacent gate electrodes of the complementary N-channel or P-channel transistors, when inverted.例文帳に追加
また、PチャネルまたはNチャネルのトランジスタのゲート電極を、反転させた時に、相補していたNチャネルまたはPチャネルのトランジスタのゲート電極の隣のゲート電極に接続するように配置させる。 - 特許庁
The thickness of gate insulating films of a load type P-type MOS and a drive type N-type MOS is 4 nm or less.例文帳に追加
負荷型P型MOS及び駆動型N型MOSのゲート絶縁膜厚は、4nm以下である。 - 特許庁
Furthermore, lowering of gate threshold voltage of the n-type MOS field effect transistor N2 is suppressed by contriving the layout of gate region or employing a high threshold voltage.例文帳に追加
さらに、このトランジスタN2は、ゲート領域のレイアウトの工夫あるいは高閾値電圧化により、ゲート閾値電圧の低下が抑制されている。 - 特許庁
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Wiktionary英語版での「n OR gate」の意味 |
NOR gate
出典:『Wiktionary』 (2025/09/20 18:11 UTC 版)
名詞
- (electronics) A logic gate performing a Boolean logic NOR operation.
「n OR gate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 107件
The n-bit matrix operation circuit 10 is arranged for a control circuit 11 including at least either an exclusive OR gate XORx taking an exclusive OR of the n-bit input signal A and the n-bit output signal or an excusive OR gate XORx taking an exclusive OR of both output signals.例文帳に追加
nビットマトリクス演算回路10には、nビットの入力信号Aとnビットの出力信号の排他的論理和をとる排他的論理和ゲートXORxと、nビットの出力信号の相互の排他的論理和をとる排他的論理和ゲートXORxの少なくとも一方を含む制御回路11が設けられる。 - 特許庁
The threshold level change means employs a CMOS inverter circuit, comprising P-channel or N-channel field effect transistors connected in parallel or series, or whose gate length or gate width are differentiated or employs a comparator circuit or other configurations.例文帳に追加
スレショルドレベル変更手段には、CMOSインバータ回路のPチャネルまたはNチャネルの一方を複数並列接続したもの、複数直列接続したもの、双方のゲート長・ゲート幅に差異を設けたもの、比較回路を用いたもの等を使用する。 - 特許庁
A first polysilicon layer doped with an N type dopant or a P type dopant is formed at least on a gate oxide layer.例文帳に追加
少なくともゲート酸化層上に、N型ドーパントまたはP型ドーパントでドープされた第1ポリシリコン層が形成される。 - 特許庁
Further, at least one n/p or p/n junction which is, provided between the first and second junctions, arrayed laterally there, and at least one gate terminal G contacting the p-or n-doped region of the first junction or n- or p-doped region of the second junction, are provided.例文帳に追加
それはまた、第一および第二接合の間に配置され、そこに横方向に配列されている少なくとも一つのn/pまたはp/n接合と、第一接合のpまたはnドープされた領域または第二接合のnまたはpドープされた領域に接触している少なくとも一つのゲート端子とを含む。 - 特許庁
In the first implantation step, n-type or p-type conductivity-type ions are implanted in regions or gate electrodes 9 and 10 of a semiconductor substrate 1, wherein a gate insulating film 5 and a film 6 for the gate electrodes 9 and 10 are formed.例文帳に追加
第1注入工程ではゲート絶縁膜5と、ゲート電極9、10となる膜6と、が形成された半導体基板1のゲート電極9、10となる部分に、n型又はp型の導電型のイオンを注入する。 - 特許庁
The circuit change is performed by giving the structure data to an input inversion portion by a programmable NOT gate for an N-operation, a fundamental circuit where a two input NAND gate or a two input OR gate is a tree structure of a binary tree and is connected by installing the programmable NOT gate between respective connection lines, and an output inversion portion by the programmable NOT gate for the N-operation.例文帳に追加
この回路変更は、N操作のためのプログラマブルNOTゲートによる入力反転部と、2入力NANDゲートまたは2入力ORゲートが、二分木の木構造で、それぞれの接続線の間にプログラマブルNOTゲートを介在させて接続された基本回路と、N操作のためのプログラマブルNOTゲートによる出力反転部とに、構成データを与えることにより行う。 - 特許庁
The basic cell for designing a gate array or a standard cell integrated circuit has N and P wells arranged in checker board pattern wherein each well includes P and N devices.例文帳に追加
ゲートアレイまたはスタンダードセル集積回路設計のための基本セルは、チェッカー盤態様に編成されたNおよびPウェルを有し、各ウェルはそれぞれPおよびNデバイスを含む。 - 特許庁
The gate oxide film is constituted by using one or two or more chemical elements selected from the group consisting of Zr, Hf and Ln and by using Si, O and N.例文帳に追加
Zr,Hf,Lnの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の元素と、Siと、Oと、Nとが用いられて構成されてなるゲート酸化膜。 - 特許庁
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