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normal ion beamとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 通常イオンビーム

JST科学技術用語日英対訳辞書での「normal ion beam」の意味

normal ion beam


「normal ion beam」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 12



例文

To provide an ion beam generator which generates an ion beam using solid or liquid raw materials at the normal temperature and can efficiently and stably generate ion beam of desired ion species in a wide dynamic range.例文帳に追加

常温で液体または固体の原料物質を用いてイオンビームを発生させるものであって、所望のイオン種のイオンビームを効率良く、かつ安定して、しかも広いダイナミックレンジで発生させることのできるイオンビーム発生装置を提供する。 - 特許庁

The angle of ion beam sputtering when the electrode film 33 is film-deposited is specified to be 30° or less to the normal of the substrate.例文帳に追加

電極膜33の成膜時のイオンビームスパッタリングの角度を基板面の法線に対して30゜以下とする。 - 特許庁

In a method for processing a solid surface to make it even by using a gas cluster ion beam, at least during part of a period of a gas cluster ion beam radiation process, a radiation angle made by the normal line of a solid surface and the gas cluster ion beam is made larger than 70°, and the gas cluster ion beam is focused using a lens mechanism without separating the monomer ion, thus radiating it.例文帳に追加

ガスクラスターイオンビームを用い、固体表面を平坦に加工する方法において、ガスクラスターイオンビームの照射過程の少なくとも一部の期間において固体表面の法線とガスクラスターイオンビームとがなす照射角度を70度より大きくし、かつモノマーイオンを分離せずにガスクラスターイオンビームをレンズ機構によってフォーカスさせて照射する。 - 特許庁

When the amount of noise is within a specified range, the ion implantation process is started (S4), and normal measurement of an ion beam current using the Faraday cage is carried out (S5).例文帳に追加

ノイズ量が規格範囲内であればイオン注入処理が開始され(S4)、ファラデーを利用した通常のイオンビーム電流の測定が行われる(S5)。 - 特許庁

An energy determination processor 26 determines whether energy of the ion beams after acceleration is normal or abnormal, based on a frequency of the high-frequency voltage and a position of the beam orbit.例文帳に追加

エネルギー判定処理装置26は高周波電圧の周波数及びビーム軌道の位置に基づいて加速終了後のイオンビームのエネルギーが正常であるか異常であるかを判定する。 - 特許庁

In carrying out a removal work of the three-dimensional shape by irradiating the ion beam, it is irradiated on the same point of the worked object by normal irradiation and bent and inclined irradiation, and by measuring secondary electrons emitted from a work point by the secondary detector, the shape of the ion beam worked part is measured.例文帳に追加

イオンビームを照射して3次元形状の除去加工を行う際にイオンビームを加工物の同一箇所に対して通常照射および屈曲傾斜させて照射し、加工点から放出される2次電子を2次検出器により計測することでイオンビーム加工された部分の形状を計測する。 - 特許庁

例文

After a macromolecular material 1 is cut with a focusing ion beam (FIB) 10 in a direction whose angle α to the surface of the macromolecular material is between 1 and 60°, a smooth face 1A of the macromolecular material formed by the cutting is photographed in a direction normal to the smooth face.例文帳に追加

高分子材料1を、集光イオンビーム(FIB)10を用いて、高分子材料の表面に対する角度αが1〜60°をなす方向に切削した後、切削により形成された高分子材料の平滑面1Aを、平滑面に対し垂直な方向から撮影する。 - 特許庁

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「normal ion beam」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 12



例文

A process waste 5, produced in mechanical processing with an atomic force microscope probe 3, is irradiated with a gas cluster ion beam 1, having energy that will not damage a normal pattern 6 or a glass substrate 7, but which can remove the process waste 5 which is weakly depositing thereon, so as to remove the waste by sputtering effects.例文帳に追加

原子間力顕微鏡探針3による機械加工で発生した加工屑5を正常パターン6やガラス基板7にはダメージを与えないが弱く付着した加工屑5は除去できるようなエネルギーを持ったガスクラスターイオンビーム1を照射してスパッタ効果で除去する。 - 特許庁

To provide a method for correcting an FIB wiring of a flip-chip LSI by an FIB of only a normal ion beam, by enabling removal of the upper layer interconnection and the lower layer interconnection on an FIB processing region through wet etching.例文帳に追加

FIB加工領域上の上層配線および下層配線をウェットエッチングで除去することができるようにすることにより、通常のイオンビームのみのFIBで、フリップチップLSIのFIB配線修正加工が可能である、フリップチップLSIの配線修正方法を提供する。 - 特許庁

In the fine region analyzer using focused ion beams, a laser beam 9a is irradiated to a surface 3a of a sample 3 through a window plate 8 of the analyzer 5 arranged in the normal of the sample surface and through a secondary particle take-in port 5a of the analyzer 5.例文帳に追加

集束イオンビームを用いる微細部位解析装置において、試料表面法線方向に配置した分析装置5の窓板8を通り、かつ分析装置5の2次粒子取り込み口5aを通ってレーザー光9aを試料3の表面3aに照射する。 - 特許庁

A normal conductor layer 12 and an insulator layer 13 are laminated between a first superconductor layer 11 and a second superconductor layer 14, and a region (a local conducting region 19) having no locally insulating property by an irradiation of a focused ion beam to a side of the insulator layer 13.例文帳に追加

第1超伝導体層11と第2超伝導体層14の間に常伝導体層12及び絶縁体層13を積層し、絶縁体層13の側面に集束イオンビームを照射することにより局所的に絶縁性を持たない領域(局所伝導領域19)を形成する。 - 特許庁

例文

To provide an ion source for a charged-particle beam device capable of cleaning a charged particle optical system easily by any person to restore performance, without breaking vacuum in the charged particle optical system to conduct disassembling, cleaning, and component replacement, even when a problem that normal detection and measurement for an analytical object get impossible is generated caused by contamination in the charged particle optical system.例文帳に追加

荷電粒子光学系の汚染によって分析対象の正常な検出、測定ができないという問題を生じても、荷電粒子光学系の真空を破って解体、洗浄、部品交換などを行なうことなく、誰でも簡単に荷電粒子光学系のクリーニングを行ない、性能の回復を図れるような荷電粒子線装置のイオン源を提供する。 - 特許庁

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