A value of an ohmic resistance is detected at a specified time, and a shape and/or temperature of a capacity element is concluded based on the value of the resistance.例文帳に追加

所定の時点でオーミック抵抗の値を検出し、この抵抗の値に基づいて容量素子の形態および／または温度を結論する。 - 特許庁

For example, the resistance in an ohmic leakage current is determined based on a voltage value of 0.9 V (predetermined reference voltage value) or below (S3), the ohmic leakage current value at a rated voltage is calculated based on that resistance (S4), and the Faraday leakage current is calculated based on the ohmic leakage current value at the rated voltage (S5).例文帳に追加

例えば、０．９Ｖ（所定の基準電圧値）以下の電圧値に基づいて、オーミックな漏れ電流における抵抗値を求めておき（Ｓ３）、この抵抗値に基づいて定格電圧におけるオーミックな漏れ電流値を算出し（Ｓ４）、さらに定格電圧におけるオーミックな漏れ電流値に基づいて、ファラディックな漏れ電流値を算出する（Ｓ５）。 - 特許庁

To provide a method for producing a transparent conductive film showing a stable ohmic value, by appropriately evaluating film resistance.例文帳に追加

適正な膜抵抗の評価を行うことができ、安定した抵抗値が得られる透明導電膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

Two kinds of leakage current, i.e. a Faraday leakage current and an ohmic leakage current, are calculated by measuring the voltage value and the current value of an electric double layer capacitor during self-discharge.例文帳に追加

本発明の方法においては、電気二重層キャパシタの自己放電中の電圧値及び電流値を測定することによって、ファラディックな漏れ電流及びオーミックな漏れ電流の２種類の漏れ電流を算出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting device that has improved ohmic properties to a positive electrode and can suppress contact resistance to a low value.例文帳に追加

正電極に対してオーミック性に優れ、接触抵抗を低く抑えることができるコンタクト層を備えた半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an ohmic electrode which has a low contact resistance value and hardly generates peeling from a semiconductor layer, an n-type electrode and a nitride compound semiconductor light emitting element, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

低い接触抵抗値を有し、半導体層からの剥がれが生じにくいオーミック電極とｎ型電極と窒化物系化合物半導体発光素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The latch width sensor has an ohmic resistance having a measurement volume uniformly distributed overall, for example, a value Ω/mm per unit length and is provided with measurement strips 12 and 13 laid on a roadway 1 in the lateral direction.例文帳に追加

ラッチ幅センサは、全長にわたり均等に分布された計測量、例えば、単位長さ当たり特定の値Ω／ｍｍをもつオーム抵抗を有し、車道（１）上に横方向に設置された計測ストリップ（１２、１３）を備えている。 - 特許庁

According to the structure, the interdiffusion of Ga and As in the p-type GaAs layer 1 and Au in the metallic layer 5 is prevented while the fluctuation of the resistivity of the ohmic electrode 6 can be suppressed at a small value under the high-temperature and high-humid environment.例文帳に追加

上記構造とすることにより、ｐ型GaAs層１のGa、Asと、金属層５のAuの相互拡散を防止するとともに、高温・高湿環境下において、オーミック電極６の抵抗率の変動を小さく抑えることができる。 - 特許庁

As the result, the external pressure of the diaphragm can be measured by reading the amount of variation of its resistance value because the resistance between two ohmic electrodes (source electrode 107S and drain electrode 107D) changes correspondent to the external pressure.例文帳に追加

その結果、２つのオーミック電極（ソース電極１０７Ｓとドレイン電極１０７Ｄ）間の抵抗が、外圧に応じて大きく変化するため、その抵抗値の変動量を読み取ることによって、ダイアフラムの外圧を測定することができる。 - 特許庁

To obtain a laminated semiconductor ceramic device which is small in size, has an ohmic contact between a semiconductor layer and an Ni- containing inner electrode, a low resistance value at room temperature, and an sufficient range of resistance change induced by temperature change.例文帳に追加

半導体セラミック層とＮｉを含む内部電極との間にオーミック接触が得られるとともに、小型で、室温における抵抗値が低く、かつ温度変化による抵抗変化幅が十分な値を有する積層型半導体セラミック素子を得る。 - 特許庁

To provide a pressure-sensitive conductive material which can be used at a comparatively low voltage, is excellent in flexibility and a cushioning characteristic, and also enables improvement in detection accuracy by extremely largely varying an ohmic value depending on a range of varying a pressure.例文帳に追加

比較的低電圧での利用が可能で、柔軟性や緩衝性に優れ、圧力の変動幅に応じて抵抗値がきわめて大幅に変動することで、圧力検出精度も向上させることができる感圧導電性材料を提供すること。 - 特許庁

The light receiving surface electrode can therefore be made thin without causing the ohmic contact nor line resistance to deteriorate, so even when light reception area is increased by the thinning, contact resistance is sufficiently low and an FF value thereby does not decrease, so that a solar cell with high photoelectric conversion efficiency can be obtained.例文帳に追加

したがって、オーミックコンタクトやライン抵抗の悪化を伴うことなく受光面電極の細線化が可能になるため、細線化して受光面積を大きくしても十分に接触抵抗が低いことからＦＦ値が低下しないので、光電変換効率の高い太陽電池が得られる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor element which enhances pattern recognition performance by a method wherein it is possible to prevent a peeling of an AuSi film or an increase in an ohmic contact resistance value, and also to form a bonding pad face of a high mirror face.例文帳に追加

ＡｕＳｉ膜の剥がれ又はオーミックコンタクト抵抗値の増大が防止でき、また、鏡面の高いボンディングパット面を形成できる事でパターン認識性が向上する化合物半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a metal mask for sputtering, which does not give an adverse effect such as increase in an ohmic value due to moisture adsorbed in a resinous salient, to a transparent conductive film, even when the film is formed with the use of the metal mask provided with the resinous salient for sputtering.例文帳に追加

樹脂の凸部を設けたスパッタ用メタルマスクを用いて透明導電膜を成膜しても、樹脂の凸部に吸着された水分に起因する抵抗値の上昇といった悪影響を受けないスパッタ用メタルマスクを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming a transparent electroconductive film such as ITO on a resin film substrate; a method for forming a film provided with the transparent electroconductive film showing a low ohmic value, excellent surface smoothness and high productivity; and the film provided with the transparent electroconductive film produced by the forming method.例文帳に追加

樹脂フィルム基板上に形成されるＩＴＯ等の透明導電膜の形成方法に関し、抵抗値が低く、且つ表面の平滑性が優れた、生産性が高い透明導電膜付フィルムの形成方法、及び該形成方法で生産された透明導電膜付フィルムを提供する。 - 特許庁

The surface impurity concentration of the lower implanted layer 12a can be easily set at a certain value suitable for forming a Schottky electrode or an ohmic electrode, and the upper implanted layer 12b containing many defects is removed, so that the surface region of the substrate 11 can be improved in crystallinity.例文帳に追加

この下部注入層１２ａの表面の濃度を、ショットキー電極やオーミック電極を形成するのに適した不純物濃度に制御することが容易であり、かつ、欠陥の多い上部注入層１２ｂを除去することで、基板の表面領域の結晶性も向上する。 - 特許庁

The employment of the aluminized steel sheet of which the electrification ohmic value is controlled to be 10 mΩ or more and 100 mΩ or less, when two steel sheets are piled and subjected to the measurement, enables a spot welding nugget to be stably formed, and the aluminized steel sheet most suitable for the fuel tank material to be obtained.例文帳に追加

（２）上記（１）で言うアルミ系めっき鋼板のめっき層組成が質量％で、Ｓｉ：３〜１５％、Ｍｇ：０．１〜１５％、Ｚｎ：０．１〜５０％の１または２種以上を含有し、残分がアルミ及び不随的成分及び／又は不可避的不純物であるスポット溶接性に優れるアルミ系めっき鋼板。 - 特許庁

The transparent electrode for the gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device comprises: a contact metal layer formed on a p-type semiconductor layer by the ohmic contact; a current diffusion layer which is formed on the contact metal layer and has a lower resistance value per unit distance on an electrode plane than a contact metal; and the bonding pad formed on the current diffusion layer.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用の透光性電極であって、ｐ型半導体層上にオーミック接触により形成されたコンタクトメタル層と、該コンタクトメタル層上に形成され、コンタクトメタルよりも電極平面での単位距離あたりの抵抗値が低い電流拡散層と、該電流拡散層上に形成されたボンディングパッドと、からなる透光性電極。 - 特許庁