pre-etchingとは 意味・読み方・使い方

To provide an apparatus equipped with a practical constitution, which is capable of preventing plasma from being diffused, and carry out a pre-etching process.例文帳に追加

プラズマの拡散を防止し、前工程エッチングのような処理を行うのに実用的な構成を備えた装置を提供する。 - 特許庁

To provide a pre-treating method for etching a semiconductor wafer, by which the semiconductor wafer of high flatness can be obtained, and the pre-treating method can be easily carried out without causing contamination to an environment.例文帳に追加

高平坦度の半導体ウェーハが得られ、さらに取扱いが容易で環境上も好ましい半導体ウェーハのエッチングの前処理方法を提供する。 - 特許庁

The defective part of a photomask is made thin by pre-etching, a correcting film is selectively formed only in a region except the region with the pre-etched defective part in a light transmissive part and then the correcting film and the pre-etched defective part are simultaneously etched to repair the opaque defective part.例文帳に追加

事前蝕刻段階により欠陥の厚さを薄くした後、光透過部領域内の事前蝕刻された欠陥が形成されている領域を除いた領域にのみ選択的に補正膜を形成した後、補正膜及び事前蝕刻された欠陥を同時に蝕刻して不透明欠陥を修理する。 - 特許庁

By etching in a pre-etching process, a least-adhesive layer having poor affinity with respect to the adhesive agent of an adhesive tape is formed uniformly on the surface of a resist pattern on a wafer W.例文帳に追加

前工程におけるエッチングによってウエハＷ上のレジストパターンの表面には、粘着テープの粘着剤との親和性の悪い難粘着層が不均一に形成される。 - 特許庁

The method may includes one or more mask layer forming procedures, one or more pre-processing measurement procedures, one or more partial-etching (P-E) procedures, one or more final-etching (F-E) procedures and one or more post-processing measurement procedures.例文帳に追加

当該方法は、1つ以上のマスク層生成手順、1つ以上の前処理測定手順、1つ以上の部分エッチング(P-E)手順、1つ以上の最終エッチング(F-E)手順、及び1つ以上の後処理測定手順を有して良い。 - 特許庁

Then, a pre-etching process through which all the area of the non-doped region 132 of the polysilicon layer 13 is removed as thick as prescribed is carried out before the dry etching process is carried out.例文帳に追加

そこで、上記ドライエッチング工程の前に、予めポリシリコン層１３におけるノンドープ領域１３２の全域を所定厚さ分除去しておくプリエッチング工程を設けている。 - 特許庁

A pre-treating method for etching a semiconductor wafer includes a process of applying acid that is one main component of a mixed acid, and functions as a relaxing agent on the surface of the semiconductor wafer before etching P4 is carried out by the use of the mixed acid.例文帳に追加

混酸エッチングＰ_４を行う前に、半導体ウェーハの表面に混酸の１主成分であり緩和剤の働きをする酸を塗布する半導体ウェーハエッチングの前処理方法。 - 特許庁

In the forming method of the electrode foil for the electrolytic capacitor before performing the etching processing of each electrolytic capacitor, there is performed etching pre-processing for immersing during 60-300 seconds aluminum original foil into a processing liquid containing a plural kinds of metal ions of pH 10-13 and at 60-90°C.例文帳に追加

エッチング処理を行う前に、複数種類の金属イオンを含有する、ｐＨが１０〜１３、液温が６０〜９０℃の処理液にアルミニウム原箔を６０〜３００秒、浸漬するエッチング前処理を行う。 - 特許庁