「pre-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To prevent a metal strip of a support for a pre-sensitized plate from being damaged by an etching solution.例文帳に追加

本発明は、ＰＳ版の支持体である帯状金属板のエッチング溶液に起因する損傷を防止する。 - 特許庁

GRANULAR MAGNETIC RECORDING MEDIUM WITH IMPROVED CORROSION RESISTANCE BY CAP LAYER AND PRE-OVERCOAT ETCHING例文帳に追加

キャップ層とオーバーコート前のエッチングとによって改善された耐食性を有するグラニュラ磁気記録媒体 - 特許庁

To provide an apparatus equipped with a practical constitution, which is capable of preventing plasma from being diffused, and carry out a pre-etching process.例文帳に追加

プラズマの拡散を防止し、前工程エッチングのような処理を行うのに実用的な構成を備えた装置を提供する。 - 特許庁

To provide a pre-treating method for etching a semiconductor wafer, by which the semiconductor wafer of high flatness can be obtained, and the pre-treating method can be easily carried out without causing contamination to an environment.例文帳に追加

高平坦度の半導体ウェーハが得られ、さらに取扱いが容易で環境上も好ましい半導体ウェーハのエッチングの前処理方法を提供する。 - 特許庁

The defective part of a photomask is made thin by pre-etching, a correcting film is selectively formed only in a region except the region with the pre-etched defective part in a light transmissive part and then the correcting film and the pre-etched defective part are simultaneously etched to repair the opaque defective part.例文帳に追加

事前蝕刻段階により欠陥の厚さを薄くした後、光透過部領域内の事前蝕刻された欠陥が形成されている領域を除いた領域にのみ選択的に補正膜を形成した後、補正膜及び事前蝕刻された欠陥を同時に蝕刻して不透明欠陥を修理する。 - 特許庁

By etching in a pre-etching process, a least-adhesive layer having poor affinity with respect to the adhesive agent of an adhesive tape is formed uniformly on the surface of a resist pattern on a wafer W.例文帳に追加

前工程におけるエッチングによってウエハＷ上のレジストパターンの表面には、粘着テープの粘着剤との親和性の悪い難粘着層が不均一に形成される。 - 特許庁

The method may includes one or more mask layer forming procedures, one or more pre-processing measurement procedures, one or more partial-etching (P-E) procedures, one or more final-etching (F-E) procedures and one or more post-processing measurement procedures.例文帳に追加

当該方法は、1つ以上のマスク層生成手順、1つ以上の前処理測定手順、1つ以上の部分エッチング(P-E)手順、1つ以上の最終エッチング(F-E)手順、及び1つ以上の後処理測定手順を有して良い。 - 特許庁

Then, a pre-etching process through which all the area of the non-doped region 132 of the polysilicon layer 13 is removed as thick as prescribed is carried out before the dry etching process is carried out.例文帳に追加

そこで、上記ドライエッチング工程の前に、予めポリシリコン層１３におけるノンドープ領域１３２の全域を所定厚さ分除去しておくプリエッチング工程を設けている。 - 特許庁

A pre-treating method for etching a semiconductor wafer includes a process of applying acid that is one main component of a mixed acid, and functions as a relaxing agent on the surface of the semiconductor wafer before etching P4 is carried out by the use of the mixed acid.例文帳に追加

混酸エッチングＰ_４を行う前に、半導体ウェーハの表面に混酸の１主成分であり緩和剤の働きをする酸を塗布する半導体ウェーハエッチングの前処理方法。 - 特許庁

In the forming method of the electrode foil for the electrolytic capacitor before performing the etching processing of each electrolytic capacitor, there is performed etching pre-processing for immersing during 60-300 seconds aluminum original foil into a processing liquid containing a plural kinds of metal ions of pH 10-13 and at 60-90°C.例文帳に追加

エッチング処理を行う前に、複数種類の金属イオンを含有する、ｐＨが１０〜１３、液温が６０〜９０℃の処理液にアルミニウム原箔を６０〜３００秒、浸漬するエッチング前処理を行う。 - 特許庁

In addition, before the main etching step, a pre-etching step is performed by supplying a third amount of high-frequency power which is larger than the first amount of high-frequency power to the stage electrode 14 so as to change the etching gas inside the vacuum chamber 11 into the plasma state.例文帳に追加

加えて、このメインエッチング工程の前に、ステージ電極１４に第一の電力量よりも大きい第三の電力量で高周波電力を供給して、真空槽１１内のエッチングガスをプラズマにするプレエッチング工程を行う。 - 特許庁

The method of controlling dimensions of structures formed on the substrate using the etching process includes a step 204 of measuring pre-etching dimensions of the respective elements of a patterned etching mask, a step 206 of adjusting the process recipe of the etching process using the results of the pre-etch measurements, and a step 208 of adjusting the process recipe of the etching process, using the patterned etch mask.例文帳に追加

エッチングプロセスを用いて基板上に形成された構造物の寸法を制御する方法がパターン化されたエッチングマスクのそれぞれの素子のエッチング前の寸法を測定するステップ２０４、前記エッチング前の測定結果を用いてエッチングプロセスのプロセスレシピを調整するステップ２０６及びパターン化されたエッチングマスクを用いてエッチングプロセスを行い、プロセスレシピを調整するステップ２０８を有する。 - 特許庁

Specified metal 4 is plasma-etched as a pre-processing before the start of etching when the exposure stage of specified metal affecting the fluctuation of the etching rate is included, and a surface where specified metal is not exposed is etched in the initial stage of etching from the start of plasma etching to the end.例文帳に追加

プラズマエッチングの開始から終了までの間に、エッチングレートの変動に影響を与える特定金属の露出段階が含まれ、且つ、エッチング初期には特定金属が露出していない表面に対してエッチングを行う際に、エッチングの開始前の前処理として、特定金属４をプラズマエッチングする。 - 特許庁

In a step S2, etching time corresponding to an etching shift amount for obtaining expected sizes of the sparse pattern and dense pattern using the exposure amount determined by the first correlation is determined using second correlation, pre-obtained, between etching times of the space pattern and dense pattern and the etching shift amount.例文帳に追加

ステップＳ２では、予め取得された、疎パターン及び密パターンにおけるエッチング時間とエッチングシフト量との第２の相関関係を用いて、第１の相関関係により決定された露光量による疎パターン及び密パターンをそれぞれ所期の寸法とするためのエッチングシフト量に対応したエッチング時間を決定する。 - 特許庁

The aluminum foil can be manufactured in such a way that an aluminum original foil is dipped into a sodium hydroxide solution of concentration of 1-8% to execute pre-processing, thermal processing is applied at a temperature of about 400°C after the pre-processing, and constant current etching is executed in a mixed liquid of a hydorchloric acid and a sulfuric acid.例文帳に追加

そのアルミニウム箔の製造方法は、アルミニウム原箔を１〜８％濃度の水酸化ナトリウム溶液に浸漬して前処理し、その前処理後４００℃前後の温度で熱処理し、その熱処理後、塩酸と硫酸の混合液中で、定電流エッチングを行うことで製造できる。 - 特許庁

The manufacturing method of the present invention includes, for example, the steps of: forming a conductor film on a material substrate; forming the contact electrode 13 and a pre-driving electrode from the conductor film; and forming the driving electrode 15 thinner than the electrode 13 by subjecting the pre-driving electrode to etching.例文帳に追加

本発明の製造方法は、例えば、材料基板上に導体膜を形成する工程と、当該導体膜からコンタクト電極１３およびプレ駆動電極を形成する工程と、プレ駆動電極に対してエッチング処理を施して、電極１３より薄い駆動電極１５を形成する工程とを含む。 - 特許庁

Deposition-preventive shields 261-264 for preventing deposition of a material emitted from a substrate 9 are disposed in an exchangeable manner in the pre-etching chamber 2 which is connected to a sputter chamber 4 for performing the deposition by the sputtering so as to ensure the continuous vacuum and performs the pre-etching of the surface of the substrate 9 therein.例文帳に追加

スパッタリングによる成膜処理が行われるスパッタチャンバー４に真空が連続するよう接続され、スパッタリングに先立ち基板９の表面をエッチングする前処理が内部で行われる前処理エッチングチャンバー２内には、基板９から放出された材料の付着を防止する防着シールド２６１〜２６４が交換可能に設けられている。 - 特許庁

A moving mechanism 29 moves a plate 91 to be etched which is formed of the same material as that emitted from the substrate 9 and thicker than the substrate 9 between the evacuation position in an evacuation chamber 28 adjacent to the pre-etching chamber 2 so as to be communicated with the inner space and the same position as the position of the substrate 9 during the pre- etching.例文帳に追加

移動機構２９は、基板９から放出される材料と同じ材料で形成された板材であって基板９より厚い被エッチング板９１を、前処理エッチングチャンバー２と内部空間が連通するよう隣接して設けられた退避チャンバー２８内の退避位置と、前処理エッチングの際の基板９の位置と同じ位置との間でを移動させる。 - 特許庁

The iron alloy after the pre-process which is placed inside of the wet etching tank 111 is taken out and placed in a film forming chamber 330, and after the oxidized coating film is further removed by ion beam etching, a carbon film is formed on the surface by arc discharge etc.例文帳に追加

ウェットエッチング槽１１１の内部に置かれた前処理後の鉄合金は、取り出されて成膜チャンバー３３０に置かれ、イオンビームエッチングにより酸化被膜をさらに除去された後、アーク放電などにより表面に炭素膜を形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electronic device using multiple layers of a pre-porous dielectric material that is made porous subsequent to etching and metal filling in an aperture.例文帳に追加

エッチングおよび開口の金属充填の後に多孔性にされる予備多孔性誘電材料の複数の層を使用した電子デバイスを製造する方法を提供する。 - 特許庁

Another example includes a method for processing a wafer in a plasma environment, pre-loading a reactive gaseous flow and previously preventing the erosion of a wafer mask or an etching stop layer.例文帳に追加

他の実施例は、プラズマ環境においてウエハを処理し、反応性気体流を事前ロードしてウエハマスクまたはエッチングストップ層の浸食を防ぐ方法を含む。 - 特許庁

In a pre-via type dual damascene method, a via hole 10 and a wiring groove 13 are formed, and then an SiN film 8, the exposed part of an SiC film 5 and the exposed part of an SiC film 3 are removed by etching.例文帳に追加

先ビア方式のデュアルダマシン法において、ビアホール１０及び配線溝１３を形成した後、ＳｉＮ膜８、ＳｉＣ膜５の露出部及びＳｉＣ膜３の露出部をエッチングにより除去する。 - 特許庁

To provide a method of etching on a processing platform (e.g. a cluster tool) in which robust pre-etch and post-etch data may be obtained in-situ.例文帳に追加

本発明は、粗いエッチング前及びエッチング後のデータがその場所で得られる処理台(例えば、クラスターツール)においてエッチングする方法を提供する。 - 特許庁

Afterwards, pre-treatment with HF is applied while utilizing the difference of an etching rate between the N-type impurity high concentration layer 36 and an oxide film 26, to which the N-type impurity is not implanted.例文帳に追加

その後、Ｎ型不純物高濃度層３６とＮ型不純物が注入されていない酸化膜２６とのエッチングレートの差を利用して、ＨＦによる前処理を施す。 - 特許庁

The method includes a pre-baking process of heating the sapphire substrate at a temperature higher than that during the irradiation with the ultraviolet rays after the application of the photoresist and before the irradiation with the ultraviolet rays, and a post-baking process of heating the sapphire substrate at a temperature higher than that during the pre-baking process after the irradiation with the ultraviolet rays and before the dry etching.例文帳に追加

本発明の方法は、フォトレジストを塗布した後、紫外線光を照射する前に前記紫外線光の照射時よりも高い温度で前記サファイア基板を加熱するプリベーク工程と、紫外線光を照射した後、ドライエッチングする前に前記サファイア基板をプリベーク工程よりも高い温度で加熱するポストベーク工程を有する。 - 特許庁

The method comprises steps of obtaining pre-etched critical dimension (CD) measurements of a feature on a substrate, etching the feature, treating the etched substrate so as to reduce and/or remove sidewall polymers deposited on the feature during etching, and obtaining post-etched CD measurements.例文帳に追加

本方法は、基板上のフィーチャのエッチング前の臨界寸法(CD)の測定値を得るステップと、フィーチャをエッチングするステップと、エッチング中にフィーチャ上に堆積された側壁上のポリマーを減少及び/又は除去するために、エッチングされた基板を処理するステップと、エッチング後のＣＤ測定値を得るステップとを有する。 - 特許庁

This electrode degradation preventing system comprises an electrode 12 which is provided in a reaction chamber 10 of an etching device and supports a substrate 26 to be etched and has a plurality of openings 24, and a gas line 122 for supplying a gas passing through respective openings 24 to prevent the adherence of the deposited materials onto the openings 24 during the pre-process or post-process of the etching processing.例文帳に追加

電極部劣化防止機構は、エッチング装置の反応室１０に設けられる電極部であって、エッチング処理される基板２６を支持するとともに、開口部２４を複数有する電極部１２と、エッチング処理の前工程または後工程における、開口部２４に対する堆積物の付着を防止するため、開口部２４のそれぞれに通気されるガスを供給するためのガスライン１２２とを具える。 - 特許庁

Furthermore, the sequential plasma treatments can be conducted in a variety of plasma processing chambers of an integrated processing sequence, including pre-clean chambers, PVD chambers, etching chambers and other plasma processing chambers.例文帳に追加

更に、シーケンシャルプラズマ処理が、統合プロセスシーケンスの種々のプラズマ処理チャンバ内で実施可能であり、それら処理チャンバには、プリクリーニングチャンバ、ＰＶＤチャンバ、エッチングチャンバ、及び他のプラズマ処理処理チャンバがある。 - 特許庁

High-frequency energy is given to a gas introduced into the processing chamber 2D by a gas inlet means 6 from a high-frequency power supply 71 through the intermediary of a matching device 72 to produce a plasma P, and the surface of a substrate 9 held by the substrate holder 5 located at a closing position is subjected to pre-process etching.例文帳に追加

ガス導入手段６が導入したガスに、基板ホルダー５と一体に移動する整合器７２を介して高周波電源７１から高周波エネルギーが与えられてプラズマＰが形成され、閉位置にある基板ホルダー５に保持された基板９の表面が前工程エッチング処理される。 - 特許庁

To provide a method for producing a master disk of an optical disk in which a land pre-pit(LPP) and its adjacent grooves have a shape not affecting reproduced signals when pits and grooves of different depths are formed on the same master disk by using plasma etching and ashing processes.例文帳に追加

プラズマエッチングとアッシングプロセスを用いて、深さが異なるピットとグルーブを同一原盤内に形成する際に、ランドブリピット(LPP)及びその隣接グルーブが再生信号に影響を与えることない形状の光ディスク原盤の製造方法を提供する。 - 特許庁

The hair-spring is manufactured by photolithography and etching in a strip 3 pre-cut from a quartz monocrystal such that the height h of the spring forms, relative to the crystallographic axis z, an angle theta for adapting the thermal behavior of the hair-spring to that of the balance, thereby reducing the variation of rate due to temperature variations.例文帳に追加

結晶軸ｚに対して角θを形成するように石英単結晶から予めカットした薄辺のフォトリソグラフィおよびエッチング加工によりゼンマイの高さｈのひげゼンマイを製作することによって、ひげゼンマイの熱的振舞いをてんぷの熱的振舞いに適応させ、それによって温度変化による速度変化を減少させる。 - 特許庁

Such a flexure blank for a magnetic head as equipped with the flying lead 8 is processed in a manner that, after a surface protective layer 9 is formed for a wiring pattern 7, a corrosion-resistant thin film layer like a thin film chrome layer 10 is formed at least on the outer face of the flying lead 8 as an etching pre-processing for a spring metallic layer 1.例文帳に追加

このようなフライングリ−ド８を備えた磁気ヘッド用フレクシャーブランクは、配線パタ−ン７に対する表面保護層９を形成した後に、バネ性金属層１に対するエッチング前処理として少なくともフライングリ−ド８外面に薄膜クロム層１０等の耐腐食性薄膜層を形成する。 - 特許庁

The pre-processing of the sample for this atom probe device is composed of a step for cutting a sample desired observation region into a block shape using an FIB device, a step for transferring the block-shaped cut sample to a sample substrate to fix the same and a step for processing the block-shaped sample fixed on the sample substrate into a needle tip shape by FIB etching processing.例文帳に追加

本発明のアトムプローブ装置用試料の予備加工は、ＦＩＢ装置を用いて試料所望観察部位をブロック状に切り出すステップと、該ブロック状の切り出し試料を試料基板上に移送して固定するステップと、該試料基板上に固定されたブロック状の試料をＦＩＢエッチング加工によって針先形状に加工するステップとからなる。 - 特許庁