sample biasとは 意味・読み方・使い方

A bias power supply 6 for giving a bias voltage for discharging secondary electrons from a sample 3 is connected to a non-inverted input terminal of an operational amplifier 5 of a preamplifier 4, and hence the DC potential of a probe 1 becomes the bias potential concerned.例文帳に追加

プリアンプ４の演算増幅器５の非反転入力端子には、試料３から二次電子を放出させるためのバイアス電圧を与えるバイアス電源６が接続され、これにより探針１の直流電位は当該バイアス電位となる。 - 特許庁

A sample-hold circuit 20 is set at a sample mode, when the second input terminal 52 is on and current difference between the drive current ILD and a fixed current IM is sampled, thus determining a bias current IC.例文帳に追加

第２の入力端子５２がオンのときサンプルホールド回路２０をサンプルモードに設定し、駆動電流ＩLD と固定電流ＩM との電流差をサンプリングし、バイアス電流ＩC に定める。 - 特許庁

To apply a bias voltage to a sample independently at approach, to cut off sample bias at measurement, to measure the current between probes, and further to reduce the influence of a displacement current, when measuring current at the probe side in a multi-probe microscope.例文帳に追加

本発明が解決しようとする問題点は、マルチプローブ顕微鏡において、アプローチ時に試料に独立してバイアス電圧が印加できず、電流計測時に試料バイアスを切り離し、探針間の電流計測を行ことができなかったという点である。 - 特許庁

By applying a bias voltage to the sample and changing the bias voltage, the aimed peak is moved, the traveling track of the top is set to apparent spectrum sensitivity, and further correction considering a refraction phenomenon caused by the application of the bias voltage when charged particles are discharged from the sample is made, thus obtaining original spectrum sensitivity.例文帳に追加

この試料にバイアス電圧を印加し、このバイアス電圧を変化させることにより、着目ピークを移動させ、頂点の移動軌跡をみかけのスペクトル感度とし、更に、試料から荷電粒子が放出される際にバイアス電圧の印加に起因して生じる屈折現象を考慮した補正を施すことにより、本来のスペクトル感度を求める。 - 特許庁

When a negative bias voltage is applied to the probe 1 by the bias power supply 6 and the distance between the probe 1 and the sample 3 is reduced, a tunnel current flows to the probe 1, and tunnel currents in opposite directions and a secondary electron current based on secondary electron emission flow to the sample 3.例文帳に追加

バイアス電源６により探針１に負のバイアス電圧を印加して探針１と試料３との距離を近づけると、探針１にはトンネル電流が流れ、試料３には、互いに逆向きのトンネル電流と、二次電子放出に基づく二次電子電流が流れる。 - 特許庁

In addition, a self-bias voltage impressed on the n-type GaN substrate 1 (a sample to be etched 200) when forming the ridge portion 11 is set so as to become not less than 500 V.例文帳に追加

また、リッジ部１１の形成時にｎ型ＧａＮ基板１（被エッチング試料２００）にかかる自己バイアス電圧が５００Ｖ以上となるように設定する。 - 特許庁

The surface mobility of minority carriers in the semiconductor wafer or sample 10 is determined as a function of the applied electrical bias and the value of the measured current.例文帳に追加

半導体ウエハまたはサンプル１０中の少数キャリアの表面移動度が、印加された電気バイアスと測定電流値の関数として決定される。 - 特許庁

The voltage signal corresponding to the bias power can be detected stably even in a short bias power period without deteriorating the response of rise and fall of the waveform of the voltage signal supplied to the sample-and-hold circuit 213.例文帳に追加

サンプルホールド回路２１３に供給される電圧信号の波形の立ち上がりや立ち下がりの応答性が悪化することがなく、バイアスパワー期間が短い部分でも、当該バイアスパワーに対応した電圧信号を安定して検出できる。 - 特許庁