schottky defectとは 意味・読み方・使い方

To provide a Schottky diode which is improved in electrical properties by forming a clean Schottky interface where irregularities at atomic level are not present and no crystal defect and no contaminant reside.例文帳に追加

ショットキーダイオードにおいて、原子レベルで凹凸がなく、結晶欠陥や汚染物を挟まない清浄なショットキー界面を形成することによって、電気特性を向上させること。 - 特許庁

To enhance a soft recovery characteristic by reducing the possibility of generation of a defect in a Schottky junction interface.例文帳に追加

ショットキー接合界面に欠陥が生じてしまうおそれを低減し、ソフトリカバリー特性を向上させる。 - 特許庁

To provide a Schottky diode capable of suppressing an effect of a crystal defect, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

結晶欠陥の影響が抑制されたショットキーダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since a chemically instable Schottky layer is covered with the cap layer and the boundary region between the Schottky layer/cap layer and the Schottky electrode susceptible to surface defect is covered with the upper structure of the Schottky electrode, occurrence of surface detect is retarded and a highly reliable semiconductor device can be fabricated at high yield.例文帳に追加

かかる構成によれば，化学的に不安定なショットキ層がキャップ層に覆われるとともに，表面欠陥が生じやすい，ショットキ層／キャップ層とショットキ電極との境界領域についても，ショットキ電極の上部構造により，覆われるので，表面欠陥が生じにくく，したがって高い信頼性を有する半導体装置を高い歩留まりで製造することが可能となる。 - 特許庁

By this constitution, metal ions on the substrate of the package are gettered by the defect layer 2 on the side and/or the defect layer 2 on the reverse surface, and the Schottky barrier.例文帳に追加

この構成により、パッケージの基板上の金属イオンは、側面の欠陥層２及び／又は裏面の欠陥層２、ショットキー障壁によりゲッタリングされる。 - 特許庁

In addition, in case when the light emitting device is applied to an electronic device, the n-type AlN layer extremely superior in electrical conductivity can be obtained thanks to the undoped AlN layer having less defect, so that Schottky barrier height or breakdown voltage can be increased.例文帳に追加

また、電子素子に適用した場合は、欠陥の少ないアンドープＡｌＮ層により電気伝導性が極めて優れたｎ型ＡｌＮ層が得られるので、ショットキーバリア高さや絶縁破壊電圧を大幅に増加することができる。 - 特許庁

An excessive surface 22, of bad crystalinity and comprising defect, which is deposited with a remaining gas in a temperature-falling process from a crystal growth temperature at completion of growth of silicon carbide is removed, and a Schottky electrode 25 is formed on a silicon carbide 24 with reduced defect.例文帳に追加

炭化珪素成長終了時の結晶成長温度からの降温過程で残留ガスにより堆積した結晶性が悪く欠陥を含んだ余分な表面２２を除去し、欠陥が低減された炭化珪素２４上にショットキー電極２５を形成する。 - 特許庁