seed selectionとは 意味・読み方・使い方

The CPU 101 is provided with a random number operation part 1; a time variable generation part 2; a seed generation part 3; and a selection part 4.例文帳に追加

ＣＰＵ１０１は、乱数演算部１と、時間変数生成部２と、シード生成部３と、選択部４とを備える。 - 特許庁

MAFF caused mutation by 30 Kr gamma irradiation of dry seed of Takane nishiki, and Nagano Agricultural Experiment Station carried out the individual selection of the second generation.発音を聞く 例文帳に追加

農林水産省にてたかね錦の乾燥種子に30Krのガンマ線を照射して突然変異を起こさせ、長野県農事試験場にて第2世代の個体選抜を実施。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a document retrieval device outputting an appropriate retrieval result to a retrieval request without unnecessarily limiting selection of a seed document or expansion word.例文帳に追加

シード文書や拡張語の選択に余計な制限を設けることなく、検索要求に対して適切な検索結果を出力することのできる文書検索装置を提供すること。 - 特許庁

The rice seed sorter 1 comprises an awning unit 2 for charging and awning rice seeds, and a selection unit 3 for bringing the awned rice seeds into slidable contact with a sorting net surface 8 of the specified mesh and selecting the rice seeds.例文帳に追加

種籾選別装置１は、種籾を投入して脱芒処理を施す脱芒部２と、脱芒した種籾を規定網目の選別網面８に摺接させて選別する選別部３とで構成される。 - 特許庁

The selection part 4 selects one of the random number generation algorithms 1 to the random generation algorithm 8 based on the voltage value or current value of a battery changing according to the lapse of time and the torque sensor value of a power steering device or the like, and applies a seed S.例文帳に追加

選択部４は、時間の経過とともに変化するバッテリの電圧値や電流値、パワー捨てアルング装置のトルクセンサ値等に基づいて、乱数生成アルゴリズム１〜乱数生成アルゴリズム８の一つを選択し、シードＳを与える。 - 特許庁

To facilitate the selection, namely the screening work of an adequate literature by comparing answering literature set which is the retrieved result of retrieval by patent sorting, for similarity and clustering ranking display or an additional literature set obtained by adding a seed document to the answer literature set.例文帳に追加

特許分類による検索の検索結果である回答文献集合と類似度を比較して、ランキング表示、または回答文献集合に種文書を加えた追加文献集合をクラスタリング表示することにより、適合文献の選定つまりスクリーニング作業を容易にすることを課題とする。 - 特許庁

In succession, a silicon nitride film 13 is formed on the bases and wall surfaces of recessed parts 12b each interposed between the protuberant parts 12a, and then a GaN selection growth layer 14 is formed above the seed layer 12, coming into contact with the protuberant parts 12a so as to form air gaps between its under surface and the bases of the recessed parts 12b.例文帳に追加

続いて、凸部１２ａ同士に挟まれてなる各凹部１２ｂの底面及び壁面上に窒化シリコンからなるマスク膜１３を形成し、その後、シード層１２の上に、各凸部１２ａと接するようにＧａＮからなる選択成長層１４をその下面と溝部１２ｂの底面との間に空隙部１２ｃが設けられるように形成する。 - 特許庁