small avalancheとは 意味・読み方・使い方

Thereby, generation of whole avalanche can be prevented, the material cost and construction cost can be reduced to be superior in effect to cost performance, because of small size of the protrusion body 3.例文帳に追加

これにより全層雪崩の発生を防止することができ、突起物本体３が小型になるため、材料コストや施工コストの低減が可能となり、費用対効果に優れたものとなる。 - 特許庁

The ratio of the contacting area interposed between the source regions 12 and the source electrode 6 to the contacting area interposed between the channel region 11 and the source electrode 6 is so determined as to realize the small on-resistance and the high avalanche resistance of the semiconductor device.例文帳に追加

小さなオン抵抗および高いアバランシェ耐量を実現するように、ソース領域１２とソース電極６との接触面積とチャネル領域１１とソース電極６との接触面積との比率が決められる。 - 特許庁

Additionally, the light/electricity conversion circuit can select, for example, a first configuration using a PIN diode which is inexpensive and large light receiving sensitivity and a second configuration using an avalanche photodiode which is expensive and has small light receiving senstivity.例文帳に追加

また、光／電気変換回路は、例えば、安価で受光感度の大きいＰＩＮフォトダイオードを用いた第１の構成と、高価で受光感度の小さいアバランシェフォトダイオードを用いた第２の構成を選択できるようにする。 - 特許庁

To easily and surely prevent damage receiving the upstream face of the lower part of a steel pipe-made column material by the repeated collision of avalanche including comparatively small-sized gravels during normal time and during intermediate and small flood without enlarging the diameter and thickness of the whole column material.例文帳に追加

平常時および中小洪水時の比較的小型の礫を含む土石流の繰り返しの衝突によって、鋼管製柱材の下部上流面が受ける損傷を、柱材全体の径や板厚を大きくすることなく容易且つ確実に防止することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing a switching element from being broken owing to yielding when an overvoltage is applied even when a temperature of a junction or channel of the switching element having a small margin of avalanche resistance rises.例文帳に追加

アバランシェ耐量のマージンが小さいスイッチング素子のジャンクション又はチャネルの温度が上昇した場合であっても、過電圧を印加されたときの降伏によってスイッチング素子が破壊されるのを防止することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

An identification circuit 41 compares a current signal s50 resulting from converting a current flowing through an avalanche photodiode APD into a voltage with a threshold V_TH2 for detecting an initial very small current to provide an output of a first identification signal s60 and a signal s62 resulting from delaying the signal s60 by a time τ to a reset terminal of a D-FF circuit 60.例文帳に追加

識別回路４１は、アバランシェ・フォトダイオードＡＰＤに流れる電流を電圧変換した電流信号ｓ５０と初期微少電流を検出するためのしきい値Ｖ_TH2とを比較して第１識別信号ｓ６０を出力し、それを時間τだけ遅延した信号ｓ６２をＤーＦＦ回路６０のリセット端子へ出力する。 - 特許庁