step-growthとは 意味・読み方・使い方

The crystal growth interrupted step 20 may include a low-temperature holding step 20b, between the temperature lowering step 20a and the temperature-rising step 20c.例文帳に追加

上記結晶成長中断工程２０において、降温工程２０ａと昇温工程２０ｃとの間に低温保持工程２０ｂを含むことができる。 - 特許庁

In the growth method of the nitride semiconductor thin film, TMG or TEG is supplied to a terrace 202 formed in a restricted region 102 by a step-flow growth (a first growth step) of a GaN substrate 101 having a mis-cutting at a second set value T2 which is a substrate temperature lower than that of the first growth step.例文帳に追加

ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（第１の成長工程）により制限領域１０２内に形成されたテラス２０２に、第１の成長工程よりも低い基板温度である第２の設定値Ｔ２でTMG又はTEGを供給する。 - 特許庁

After a step 110 of growing an active layer 4, a step 111 of interrupting growth is provided to raise the temperature of a substrate during the period of the step 111.例文帳に追加

活性層４を成長する工程１１０の後、成長中断工程１１１を設けてその期間中に基板温度を昇温する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises an ion implantation step for implanting ions into a first epitaxial growth layer 2 as a base layer at 300°C or higher, an anneal step for annealing following to the ion implantation step and a growth step for forming a second epitaxial growth layer 4 by epitaxial growth on the first epitaxial growth layer 2 as the base layer.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、基層としての第１のエピタキシャル成長層２に対して３００℃以上でイオンを注入するイオン注入工程を含み、上記イオン注入工程より後にアニールを行なうアニール工程と、基層としての第１のエピタキシャル成長層２の上にエピタキシャル成長を行ない、第２のエピタキシャル成長層４を形成する成長工程とを含む。 - 特許庁

Foreign matters produced in the epitaxial growth step are removed when the epitaxially grown surface 10a is polished in the epitaxially grown surface polishing step after the epitaxial growth step.例文帳に追加

またエピタキシャル成長後のエピタキシャル成長面研磨工程でエピタキシャル成長面１０ａを研磨することにより、その研磨の過程でエピタキシャル成長の段階で生成される異物を、除去することができる。 - 特許庁

On a generation picture for the growth program displayed on a CRT 2, the step of a process for inputting the data and growth conditions of this step and a step before comparison are displayed as two pictures.例文帳に追加

ＣＲＴ・２に表示される成長プログラムの生成画面には、データを入力するプロセスのステップと、このステップと比較する前のステップの成長条件が２つの画面でそれぞれ表示されている。 - 特許庁

Upon forming a plurality of elements on a semiconductor substrate 1 with a circular substrate surface by implementing a plurality of steps including at least an epitaxial growth step and a device step thereafter, a laser mark 2 is formed at a reference position of mask alignment in the device step before the epitaxial growth step, and the mask alignment is performed taking the laser mark 2 as a reference in the device step after the epitaxial growth step.例文帳に追加

基板面が円形の半導体基板１に、少なくともエピタキシャル成長工程とその後のデバイス工程を含む複数の工程を行って複数の素子を形成する際に、エピタキシャル成長工程以前に、デバイス工程でのマスク位置合わせの基準位置にレーザマーク２を施しておき、該エピタキシャル成長工程後のデバイス工程でそのレーザマーク２を基準としてマスク位置合わせをする。 - 特許庁

In a crystal growth step, the thin film is formed using a thin film forming apparatus 11.例文帳に追加

結晶成長工程では、薄膜形成装置１１を用いて薄膜を形成する。 - 特許庁