surface breakdown deviceとは 意味・読み方・使い方

To enhance reliability of a surface emission device by preventing electrostatic breakdown, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

面発光型装置及びその製造方法に関して、静電破壊を防止して、信頼性の向上を図る。 - 特許庁

To provide an ion implantation method and an ion implantation device which effectively restrain dielectric breakdown of a wafer surface.例文帳に追加

ウエハ表面の絶縁破壊を有効に抑制するイオン注入法及びイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a dielectric separation type semiconductor device for improving a breakdown voltage without losing RESURF (Reduced SURface Field) effect.例文帳に追加

ＲＥＳＵＲＦ効果を損なうことなく耐圧を向上させた誘電体分離型半導体装置を得る。 - 特許庁

In a wide-gap semiconductor device, only a first termination 212 for achieving a forward breakdown voltage is formed on one main surface of the semiconductor device and a second termination 217 for achieving a backward breakdown voltage is formed on the other main surface of the semiconductor device; thereby achieving both forward and backward breakdown voltages.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体装置において、順方向耐圧を達成するための第１のターミネーション２１２のみを半導体装置の一方の主表面に形成し、逆方向耐圧を達成するための第２のターミネーション２１７は半導体装置の他方の主表面に形成することにより順逆両耐圧を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a limiter circuit which can output selectively one-level data from a binary high voltage value utilizing difference between surface breakdown characteristics of a high breakdown strength MOS transistor and a low breakdown strength transistor.例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳトランジスタと低耐圧ＭＯＳトランジスタの表面ブレイクダウン特性の違いを利用し、二値の高電圧値を選択的に一値出力することができるリミッタ回路を有する半導体記憶装置の提供。 - 特許庁

To provide a vertical semiconductor device which ensures stable reverse breakdown voltage and has improved utilization efficiency of the chip surface.例文帳に追加

安定した逆耐圧を確保し、かつチップ表面の利用効率を向上させた縦型半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave device which prevents electrostatic breakdown of an IDT electrodes and is small-sized and is superior in reliability.例文帳に追加

ＩＤＴ電極の静電破壊を防止し、小型で信頼性に優れた弾性表面波装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device comprising a horizontal high breakdown voltage element having an extremely high breakdown voltage which is not restricted by electric field concentration of an SOI layer surface.例文帳に追加

ＳＯＩ層表面の電界集中に制限されることのない格段に高い耐圧を有する横型高耐圧素子を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁