「surface breakdown device」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a production method of a surface acoustic wave device which is able to prevent pyroelectric breakdown when fixing the surface acoustic wave device to a package.例文帳に追加

弾性表面波素子をパッケージに固定する際の焦電破壊を防止できる弾性表面波デバイスの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave device which can prevent the dielectric breakdown of an inter-digital electrode.例文帳に追加

櫛形電極の静電破壊を防止することのできる弾性表面波デバイスを提供することを目的とする。 - 特許庁

To enhance reliability of a surface emission device by preventing electrostatic breakdown, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

面発光型装置及びその製造方法に関して、静電破壊を防止して、信頼性の向上を図る。 - 特許庁

To provide an ion implantation method and an ion implantation device which effectively restrain dielectric breakdown of a wafer surface.例文帳に追加

ウエハ表面の絶縁破壊を有効に抑制するイオン注入法及びイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a dielectric separation type semiconductor device for improving a breakdown voltage without losing RESURF (Reduced SURface Field) effect.例文帳に追加

ＲＥＳＵＲＦ効果を損なうことなく耐圧を向上させた誘電体分離型半導体装置を得る。 - 特許庁

In a wide-gap semiconductor device, only a first termination 212 for achieving a forward breakdown voltage is formed on one main surface of the semiconductor device and a second termination 217 for achieving a backward breakdown voltage is formed on the other main surface of the semiconductor device; thereby achieving both forward and backward breakdown voltages.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体装置において、順方向耐圧を達成するための第１のターミネーション２１２のみを半導体装置の一方の主表面に形成し、逆方向耐圧を達成するための第２のターミネーション２１７は半導体装置の他方の主表面に形成することにより順逆両耐圧を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a limiter circuit which can output selectively one-level data from a binary high voltage value utilizing difference between surface breakdown characteristics of a high breakdown strength MOS transistor and a low breakdown strength transistor.例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳトランジスタと低耐圧ＭＯＳトランジスタの表面ブレイクダウン特性の違いを利用し、二値の高電圧値を選択的に一値出力することができるリミッタ回路を有する半導体記憶装置の提供。 - 特許庁

To provide a vertical semiconductor device which ensures stable reverse breakdown voltage and has improved utilization efficiency of the chip surface.例文帳に追加

安定した逆耐圧を確保し、かつチップ表面の利用効率を向上させた縦型半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave device which prevents electrostatic breakdown of an IDT electrodes and is small-sized and is superior in reliability.例文帳に追加

ＩＤＴ電極の静電破壊を防止し、小型で信頼性に優れた弾性表面波装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device comprising a horizontal high breakdown voltage element having an extremely high breakdown voltage which is not restricted by electric field concentration of an SOI layer surface.例文帳に追加

ＳＯＩ層表面の電界集中に制限されることのない格段に高い耐圧を有する横型高耐圧素子を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which has high-breakdown voltage transistor and low-breakdown voltage transistor that are provided on the same substrate and which can achieve miniaturization of the entire semiconductor device by reducing the surface area of a high-breakdown voltage transistor region, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

高耐圧トランジスタと、低耐圧トランジスタとを同一基板に備える半導体装置であって、特に高耐圧トランジスタ領域の面積の削減を図り、半導体装置の全体の小型化を実現することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of etching a surface of a base by using plasma without causing discharge breakdown on the base.例文帳に追加

基板に、放電破壊を起すことなくプラズマを用いて基板表面のエッチングを行うことができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device is a method of forming an SiO_2 film 11, which becomes a gate insulating film of high breakdown voltage MOS, in a whole surface of p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１の全面に高耐圧ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜となるＳｉＯ_２膜１１を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device and a method for its manufacturing, wherein a blocking breakdown voltage at a chip surface part is improved, while a current is prevented from flowing the chip surface part in measuring breakdown voltage characteristics, for preventing element breakages.例文帳に追加

チップ表面部の阻止耐圧を向上させるとともに、耐圧特性測定時にチップ表面部で電流が流れることを防ぐことができ、素子破壊を防止することができる半導体集積回路装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this semiconductor device, the SiO_2 film i.e. the oxide film of a SiC material is formed on the surface of the material, and the semiconductor device is manufactured by forming the SiO_2 film showing soft breakdown characteristics on the surface of the SiC material and improving the soft breakdown characteristics of the SiO_2 film obtained.例文帳に追加

ＳｉＣ材料の表面にその酸化膜であるＳｉＯ_２膜が形成されてなる半導体装置は、ＳｉＣ材料の表面にソフトブレークダウン特性を示すＳｉＯ_２膜を形成し、得られたＳｉＯ_２膜のソフトブレークダウン特性を改善することにより製造する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has high- and low-breakdown voltage transistors provided on the same substrate and which can realize the miniaturization of the entire semiconductor device by reducing the surface area of a high-breakdown voltage transistor zone, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

高耐圧トランジスタと、低耐圧トランジスタとを同一基板に備える半導体装置であって、特に高耐圧トランジスタ領域の面積の削減を図り、半導体装置の全体の微細化を実現できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electro-optical device, a method for manufacturing the same and an electronic apparatus that can implement a thin device design and prevent soil on a substrate surface while preventing an electrostatic breakdown.例文帳に追加

静電破壊を防止するとともに装置の薄型化を図り、基板表面の汚れを防止することができる電気光学装置、その製造方法、電子機器を提供する。 - 特許庁

To raise breakdown voltage of an insulating film formed on the side surface of a gate electrode in a semiconductor device where a contact hole is formed by a self-alignment process.例文帳に追加

自己整合的にコンタクトホールを形成する半導体装置において、ゲート電極の側面に形成する絶縁膜の耐圧を大きくする。 - 特許庁

To provide an AlGaInP-based semiconductor light-emitting device suppressing a variation in reverse breakdown voltage Vr in a wafer surface while maintaining optical output and ensuring high yield.例文帳に追加

光出力を維持しつつ逆耐圧Vrのウエハ面内ばらつきを抑え、高い歩留りを確保することができるAlGaInP系半導体発光装置を提供する - 特許庁

To provide a semiconductor light receiving device in which the electrostatic breakdown and the surface inversion of an isolation region are eliminated while enhancing light receiving sensitivity.例文帳に追加

受光感度の向上を図りつつ、静電気による静電破壊や素子分離領域の表面反転の生じない半導体受光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device having high reliability, by improving an electrostatic breakdown voltage by integrating a surface-emitting type semiconductor laser and a protective element.例文帳に追加

面発光型半導体レーザと保護素子を集積化することで静電破壊電圧を向上させ、信頼性の高い半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁

Thus, when compared with a case when an oxide film is formed on the inner wall surface of the trench 13, the insulating breakdown strength of the silicon carbide semiconductor device can be improved.例文帳に追加

このため、トレンチ１３の内壁面に酸化膜を形成する場合と比べて、炭化珪素半導体装置の絶縁耐圧を向上させることができる。 - 特許庁

Upon the breakdown of the existing wiper device X, the body section 1 is fixed at an appropriate position on the surface of the windshield F in consideration of the operational range of the blade or the position of the existing wiper device X.例文帳に追加

既設のワイパー装置Ｘが故障したとき、本体部１をブレードの動作範囲や既設ワイパー装置Ｘの位置等を考慮してフロントガラスＦ表面の適当な位置に固定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing breakdown of a part on the bottom surface of a gate trench, in a gate insulating film, while suppressing increase in the thickness of a part on the side surface of the gate trench.例文帳に追加

ゲート絶縁膜における、ゲートトレンチ側面上の部分の厚さの増大を抑制しつつ、ゲートトレンチ底面上の部分の絶縁破壊を抑制することのできる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

The silicon carbide trench MOS type semiconductor device includes a protective diode 100 on a surface of a peripheral breakdown voltage region, wherein a cathode is connected to a second main electrode 10 through an insulating film 6-3, and the breakdown voltage of the protective diode is lower than that of a MOS type semiconductor device.例文帳に追加

周辺耐圧領域表面に絶縁膜６−３を介して、前記第二主電極１０にカソードが接続される保護ダイオード１００を備え、該保護ダイオードの耐圧がＭＯＳ型半導体装置の耐圧よりも低い炭化珪素トレンチＭＯＳ型半導体装置とする。 - 特許庁

To provide an electrostatic discharge (ESD) protection device for protecting an IC internal circuit without increasing the process steps and capable of applying to HV-CMOS device by the simplest method by dropping breakdown voltage of the contact surface of the ESD protection device.例文帳に追加

静電防護装置接触面の崩壊電圧を下げ、プロセスステップを増やさず、同時にＨＶ−ＣＭＯＳに利用することにより、最も簡易な方法でＩＣ内部回路を保護する静電防護装置の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can have a high breakdown voltage of transistor, and can reduce a surface area occupied by a region for formation of such transistors.例文帳に追加

トランジスタを高耐圧に保持することができ、しかも、トランジスタが形成される領域の占有面積を縮小することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a display device and a manufacturing method thereof by which bright display can be obtained and defects such as position shift and breakdown of a partition wall and a reflection surface are hardly generated.例文帳に追加

明るい表示を得ることができると共に、隔壁及び反射面の位置づれ、倒壊等の欠陥を起こしにくい表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, where a p-channel MOS transistor having high performance and a high breakdown voltage with a surface channel structure is formed on the same substrate as a memory cell, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

メモリセルと同一の基板上に、表面チャネル構造を有する高性能な高耐圧のｐチャネル型ＭＯＳトランジスタが形成された半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fixing device capable of reducing the intensity of an electric field applied on an insulating layer formed on the surface of a fixing roller while forming the electrical field of desired intensity between the surface of a recording sheet and the surface of the fixing roll, and effectively preventing both of explosion type and breakdown type fixation smudges while avoiding the breakdown of the insulating layer.例文帳に追加

記録シートの表面と定着ロールの表面との間には所望の強度の電界を形成しつつも、定着ローラ表面の絶縁層に対して作用する電界強度を軽減し、以て該絶縁層の破壊を回避しつつ爆発型及び破壊型双方の定着スマッジの発生を効果的に防止することが可能な定着装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of easily forming a diffusion isolation layer whose depth reaches a rear face of a thick semiconductor substrate for a high breakdown voltage from its surface.例文帳に追加

高耐圧用の厚い半導体基板の表面から裏面に達する程度の深さの拡散分離層を容易に形成することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the device is a high breakdown voltage MOSFET formed on an SOI substrate, and a leakage current flowing through the interface between a surface silicon layer and a buried oxide film is made not to be generated by the potential difference between the surface silicon layer and the support substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成した高耐圧ＭＯＳＦＥＴであって、表面シリコン層と支持基板との電位差によって、表面シリコン層と埋め込み酸化膜の界面を流れるリーク電流を発生させない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave device excellent in reliability, which has a CSP (chip scale package) structure, is suitable for miniaturization and hardly causes electrode breakdown resulting from contact with a finger and another member.例文帳に追加

ＣＳＰ構造を有し、小型化に適しており、かつ手指や他の部材との接触や静電気の付加による電極破壊が生じ難い、信頼性に優れた弾性表面波装置を提供する。 - 特許庁

To restrain creeping dielectric breakdown by gaining a creeping distance between a heat dissipation surface and a terminal in a semiconductor device of a resin mold type which is formed by electrically and thermally connecting a metallic plate to a semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子に金属板を電気的・熱的に接続してなる樹脂モールドタイプの半導体装置において、放熱面と端子の一部との間の沿面距離を稼ぎ、沿面絶縁破壊を抑制する。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave device of a cascade connected resonator type where a passing band width is wide, an insertion loss and VSWR are small, electrode formation is easy and pressure-resistance deterioration in breakdown voltage is not caused easily.例文帳に追加

通過帯域幅が広く、挿入損失及びＶＳＷＲが小さく、かつ、電極形成が容易で、耐圧劣化を引き起こし難い、縦結合共振子型の弾性表面波装置を提供する。 - 特許庁

To provide a trench insulated gate type semiconductor device capable of obtaining a low on-voltage without a decrease in a breakdown voltage even when it has a trench surface pattern in which a surface spacing is different between a parallel trench part contacted by a cell area and a parallel trench part uncontacted.例文帳に追加

セル領域が接する平行トレンチ部分と接しない平行トレンチ部分の表面間隔が異なるトレンチ表面パターンを有していても、耐圧低下がなく、低オン電圧が得られるトレンチ絶縁ゲート型半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for preventing element characteristics from deteriorating, due to the short-circuiting of an element by preventing a surface from retreating due to the etching of an element isolation oxide film and hence improving the isolation breakdown voltage between elements.例文帳に追加

素子分離酸化膜のエッチングによる表面の後退が生じることを防止して素子間分離耐圧を改善し、素子の短絡による素子特性の低下を防止する半導体装置とその製造方法の提供。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a substrate 1 having a primary surface; and a silicon carbide layer (a breakdown-voltage holding layer 2, a semiconductor layer 3, an n-type source contact layer 4, and a p-type contact region 5) including inclined side surfaces with respect to the primary surface.例文帳に追加

半導体装置は、主表面を有する基板１と、基板１の主表面上に形成され、主表面に対して傾斜した側面を含む炭化珪素層（図２の耐圧保持層２、半導体層３、ｎ型ソースコンタクト層４、およびｐ型のコンタクト領域５）とを備える。 - 特許庁

Even if the electrostatic chuck device is subjected to etching process, etc., corrosion from its side surface can be suppressed, thus preventing formation of a corrosion-eroded part, for superior plasma-resistance and etching- resistance, while dielectric breakdown is prevented and high durability is imparted.例文帳に追加

静電チャック装置をエッチング処理等に供しても、その側面からの侵食を抑制でき、侵食欠損部の形成を防ぐことのできる耐プラズマ性、耐エッチング性に優れ、絶縁破壊を防止し、耐久性能が高い。 - 特許庁

To provide a surge protection device capable of being made of a single main constituting member having a high-resistance film, for protecting a device used by a use from a surge by use of a the high-resistance film insulation breakdown on a metal surface, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

本発明は、金属表面の高抵抗性被膜の絶縁破壊現象を利用し、サージからユーザの利用装置を防御するための対サージ防御装置であって、高抵抗性被膜を有する単一の主構成部材で作製可能な対サージ防御装置及びその作製方法に関する。 - 特許庁

The resistance thin film 18 between the interdigital electrodes 14 and 16 exerts no influence when a SAW (surface acoustic wave) device 10 operates and also has enough resistance value to prevent dielectric breakdown by discharging the electric charges accumulated in the interdigital electrode 14 or 16.例文帳に追加

櫛形電極１４と１６との間の抵抗薄膜１８は、ＳＡＷデバイス１０の動作時に影響を与えず、且つ、櫛形電極１４または１６に蓄積された電荷を放電し、静電破壊を防止するのに十分な程度の抵抗値を有している。 - 特許庁

To provide a pressure contact type semiconductor device which can uniformize a pressure contact stress distribution within a surface of a semiconductor element, can prevent a current concentration of the semiconductor element, and can enhance electric reliability by preventing a breakdown of the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子面内の圧接応力分布を均一化することができ、半導体素子の電流集中を防止することができ、半導体素子の破壊を防止することにより、電気的信頼性を向上することができる圧接型半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for improving a breakdown voltage in a semiconductor device, where a buried insulator is formed at a deep section in a trench, an insulating layer is formed on the wall surface of a shallow section in the trench, and the inside of the insulating layer is filled with a trench inner conductor.例文帳に追加

トレンチの深部に埋め込み絶縁体が形成されており、トレンチの浅部の壁面に絶縁層が形成されており、その絶縁層の内側にトレンチ内導体が充填されている構成の半導体装置の耐圧を向上させる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a metallic member having a high surge resistance film for the main constituting member, which protects other devices from a surge by utilizing a dielectric breakdown phenomenon of the high surge resistance film on the metallic surface, i.e., a counter-surge protecting device.例文帳に追加

本発明は、金属表面の高抵抗被膜の絶縁破壊現象を利用し、サージから他の装置を防御するための装置、即ち対サージ防御装置の主構成部材である高抵抗被膜を有する金属部材を作製する方法に関する。 - 特許庁

To provide a wire-bonding device and a method for controlling the same, capable of stabilizing a load to be applied to a bonding surface from a leading end of a capillary after landing and to further provide a wire bonding device and a method for controlling the same, capable of suppressing wire breakdown in scrubbing and insufficient wire bonding.例文帳に追加

着地後のキャピラリの先端からボンディング面にかかる荷重を安定させることが可能なワイヤボンディング装置およびその制御方法を提供し、さらに、スクラブ処理においてワイヤ切れの発生および不充分なワイヤ接合の発生を抑制することが可能なワイヤボンディング装置およびその制御方法を提供する。 - 特許庁