threshold current densityとは 意味・読み方・使い方

By virtue of the field emission cathode device, a threshold voltage of field emission is reduced to increase the density of an emission current.例文帳に追加

この電界放出陰極装置によれば、電界放出の閾値電圧を減少して放出電流の密度を高める。 - 特許庁

To provide a semiconductor element obtained by using a GaInNAs based semiconductor as a quantum well structure and its manufacturing method, especially a semiconductor laser which is low in a threshold current density at room temperatures and is superior in temperature characteristics at the threshold current density particularly in a long wavelength band laser.例文帳に追加

ＧａＩｎＮＡｓ系半導体を量子井戸構造として用いた半導体素子及びその製造方法に関するもので、特に長波長帯レーザにおいて、室温でのしきい値電流密度が低く、しきい値電流密度の温度特性に優れた半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor light emitting element capable of reducing a threshold current density and continuously oscillating in a basic lateral mode.例文帳に追加

しきい値電流密度の低減と共に、基本横モードでの連続発振が可能な半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

[2] When the current density is lowered to the threshold value due to the increase of resistance, the duty is changed to start applying negative voltage (fig.5 (2)).例文帳に追加

▲２▼電流密度が抵抗上昇によりある閾値まで低下したならば、デュティの変更を行い負電圧の印加を開始する（図５（▲２▼））。 - 特許庁

Furthermore, the image forming apparatus supplies the bias current to a light emitting means when emitting light with a light amount corresponding to the minimum density level, and supplies a current exceeding the threshold current when emitting light with a light amount corresponding to a density level exceeding the minimum density level.例文帳に追加

さらに、本画像形成装置は、最小の濃度レベルに対応する光量で光を発光させる場合にバイアス電流を発光手段に供給し、最小の濃度レベルを超える濃度レベルに対応する光量で光を発光させる場合に閾値電流を超える電流を発光手段に供給する。 - 特許庁

To provide a junction field effect transistor capable of easily controlling a threshold voltage and capable of easily controlling a saturation current density of a channel.例文帳に追加

閾値電圧を容易に制御することができ、チャネルの飽和電流密度を容易に制御することができる接合型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting device which suppresses segregation of In and composition unevenness of In in an active layer and has a low threshold current density.例文帳に追加

活性層におけるＩｎの偏析及びＩｎの組成むらを抑制し、閾値電流密度が低い窒化物半導体発光装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element of low threshold current density, high light-emitting efficiency and high reliability, and a method for manufacturing it.例文帳に追加

しきい値電流密度が低く、発光効率が高くかつ信頼性の高い半導体発光素子およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁