「threshold current density」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a quantum cascade laser that oscillates at lower threshold current density without giving any influence on oscillation wavelength.例文帳に追加

発振波長に影響を与えることなく、より低い閾値電流密度で発振する量子カスケードレーザを提供する。 - 特許庁

Positive holes injected from the Ni electrode 10 are injected in the active layer 6 with high current density and can reduce a laser oscillating threshold current.例文帳に追加

Ni電極１０から注入された正孔は高い電流密度で活性層６に注入され、レーザ発振しきい値電流を小さくすることができる。 - 特許庁

By virtue of the field emission cathode device, a threshold voltage of field emission is reduced to increase the density of an emission current.例文帳に追加

この電界放出陰極装置によれば、電界放出の閾値電圧を減少して放出電流の密度を高める。 - 特許庁

To provide a semiconductor element obtained by using a GaInNAs based semiconductor as a quantum well structure and its manufacturing method, especially a semiconductor laser which is low in a threshold current density at room temperatures and is superior in temperature characteristics at the threshold current density particularly in a long wavelength band laser.例文帳に追加

ＧａＩｎＮＡｓ系半導体を量子井戸構造として用いた半導体素子及びその製造方法に関するもので、特に長波長帯レーザにおいて、室温でのしきい値電流密度が低く、しきい値電流密度の温度特性に優れた半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor light emitting element capable of reducing a threshold current density and continuously oscillating in a basic lateral mode.例文帳に追加

しきい値電流密度の低減と共に、基本横モードでの連続発振が可能な半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

[2] When the current density is lowered to the threshold value due to the increase of resistance, the duty is changed to start applying negative voltage (fig.5 (2)).例文帳に追加

▲２▼電流密度が抵抗上昇によりある閾値まで低下したならば、デュティの変更を行い負電圧の印加を開始する（図５（▲２▼））。 - 特許庁

Furthermore, the image forming apparatus supplies the bias current to a light emitting means when emitting light with a light amount corresponding to the minimum density level, and supplies a current exceeding the threshold current when emitting light with a light amount corresponding to a density level exceeding the minimum density level.例文帳に追加

さらに、本画像形成装置は、最小の濃度レベルに対応する光量で光を発光させる場合にバイアス電流を発光手段に供給し、最小の濃度レベルを超える濃度レベルに対応する光量で光を発光させる場合に閾値電流を超える電流を発光手段に供給する。 - 特許庁

To provide a junction field effect transistor capable of easily controlling a threshold voltage and capable of easily controlling a saturation current density of a channel.例文帳に追加

閾値電圧を容易に制御することができ、チャネルの飽和電流密度を容易に制御することができる接合型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting device which suppresses segregation of In and composition unevenness of In in an active layer and has a low threshold current density.例文帳に追加

活性層におけるＩｎの偏析及びＩｎの組成むらを抑制し、閾値電流密度が低い窒化物半導体発光装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element of low threshold current density, high light-emitting efficiency and high reliability, and a method for manufacturing it.例文帳に追加

しきい値電流密度が低く、発光効率が高くかつ信頼性の高い半導体発光素子およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser where, a threshold current density for a short wavelength semiconductor laser using a nitride compound semiconductor can be reduced, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体レーザ及びその製造方法に関し、ナイトライド系化合物半導体を用いた短波長半導体レーザのしきい値電流密度を低減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element of long life and low threshold current density with no occurrence of multiple-mode by reducing the crystal defect of a nitrogen compound semiconductor film.例文帳に追加

窒素化合物半導体膜の結晶欠陥を低減し、寿命が長く、閾値電流密度が低く、多重モードの発生しない半導体レーザ素子を得る。 - 特許庁

To provide a biomedical electrode capable of stimulating a living body with as small as possible a stimulation threshold value (energy) by devising size, a shape, or arrangement of a lead electrode of a pacemaker to change a density or a flow way (a current density distribution) of a stimulation current.例文帳に追加

ペースメーカのリード電極の寸法、形状あるいは配置を工夫することによって刺激電流の密度あるいは流れ方（電流密度分布）を変えることによって可能な限り小さな刺激閾値（エネルギ）で生体を刺激できる生体用電極を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element capable of preventing the increase of a threshold current density and capable of elongating the life of element while being improved in reliability, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

閾値電流密度の増大を防ぎ、素子寿命を長くすることができる、信頼性の向上した半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To enable to reduce threshold voltage of a carbon nano-tube electron emitter and enable to obtain higher electric current density as for a highly efficient electron emitter and its manufacturing method.例文帳に追加

高効率電子エミッタおよびその製造方法に関し、カーボンナノチューブ電子エミッタの閾電圧をより低下させ、かつ、より高い電流密度を得ることができる。 - 特許庁

In the fuel cell system, since the current density is a threshold or lower, reduction of the effective power generation area at sub-zero starting can be suppressed.例文帳に追加

本発明に係る燃料電池システムによれば、電流密度をしきい値以下にすることから、氷点下起動時における有効発電面積低下を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element using such a III-V nitride compound semiconductor that can reduce the threshold current density by hardly raising the operating voltage.例文帳に追加

動作電圧をほとんど上昇させることなく、閾値電流密度を低減することのできる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To obtain a GaN based semiconductor laser having optical and electrical characteristics excellent in stable single transverse mode operation, low threshold level current density, or the like, with high reproducibility.例文帳に追加

安定な単一横モード動作、低しきい値電流密度等に優れる光学的及び電気的特性を有するＧａＮ系半導体レーザ装置を再現性良く得られるようにする。 - 特許庁

To reduce a threshold current density in a short wavelength semiconductor laser using a nitride compound semiconductor, relating to a semiconductor laser, a semiconductor light emitting element, and a method for manufacturing it.例文帳に追加

半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法に関し、ナイトライド系化合物半導体を用いた短波長半導体レーザのしきい値電流密度を低減する。 - 特許庁

To provide an economically excellent vacuum micro-element at a low fabricating cost, capable of uniformizing the current density distribution through suppression of the concentration of current by improving the distance accuracy between a cold cathode and a conductor, establishing a large current operation, and controlling the threshold of the drive voltage accurately.例文帳に追加

冷陰極と導体の距離精度を改善することにより、電流の集中を抑制して電流密度分布の均一化し、大電流化を図ると共に、駆動電圧のスレッシュホールドを精度良く制御可能であり、且つ製作コストが安価で経済的に優れた真空マイクロ素子を提供する。 - 特許庁

As a result, a device manufactured can have a large quantity of current per unit area of a silicon because it has a threshold voltage and a current density that does not depend on the depth and controlled with accuracy, and also its mesa quantity is extremely high compared with a mesa which can be formed by a conventional technology.例文帳に追加

この結果できたデバイスは、深さに依存せず精度よく制御された閾値電圧と電流密度を有し、かつ従来技術で形成できるメサに比べて、メサ高が極めて高いのでシリコンの単位面積あたり、大電流を有することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element in which a lowering in recombination probability of electron and hole due to piezoelectric effect can be suppressed without causing such a problem as a lowering in response or an increase in threshold current density.例文帳に追加

応答速度の低下や閾値電流密度の増加などの問題点を発生させることなく、ピエゾ効果による電子−正孔の再結合確率の低下を抑制することが可能な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

Control of a critical current density is exerted by irradiating particle beams on a second-class superconductor in bulk form, whose energy is of a magnitude transmittable through the bulk body and lower than the generation threshold of columnar loss.例文帳に追加

バルク状の第二種超伝導体に対し、エネルギーが前記バルク体を透過可能な大きさで、かつ、柱状欠損の生成閾値よりも低い粒子ビームを照射して臨界電流密度の制御を行った。 - 特許庁

To provide a structure of a ridge waveguide type III group nitride compound semiconductor laser diode element capable of stabilizing a transverse horizontal mode without increasing threshold current density and operating voltage.例文帳に追加

リッジ導波路型ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体レーザダイオード素子において、閾電流密度及び動作電圧の上昇を伴うことなく水平横モードを安定化することが可能な構造を提供する。 - 特許庁

The amplitude of the high frequency signal generated by the high frequency generation circuit 51 is fixed to such a value that the minimum value of a superposition signal from the superposing unit 54 is lower than the threshold current Ith when the DC signal from the operational amplifier 53 shows a current value corresponding to the maximum density of the image.例文帳に追加

高周波発生回路５１が発生する高周波信号の振幅は、オペアンプ５３からの直流信号が画像の最大濃度に対応する電流値であるときに、重畳器５４からの重畳信号の極小値がしきい値電流Ｉthを下回るような値に固定されている。 - 特許庁

To provide a field emitting type cold cathode having a low emission threshold voltage and high current density and to provide a manufacturing method capable of producing it with a simple process, in a field emitting cold cathode having a gate and an emitter of a carbon film.例文帳に追加

ゲート、炭素膜のエミッタを有する電界放出型冷陰極において、エミッションしきい値電圧の低い、電流密度の高い電界放出型冷陰極とそれをより簡単なプロセスで作製できる製造方法を提供する。 - 特許庁

The impurity density of a p-base region of each cell which constitutes each IGBT chip is increased, the threshold voltage of the gate is set high, and a collector saturation current of each IGBT chip is suppressed to three times as high as rated current or below in order to increase the breaking current of an IGBT pack 20 (semiconductor device) for performing turn-off wherein the IGBT chips 1 are stored.例文帳に追加

ＩＧＢＴチップを構成する各セルのｐベース領域の不純物濃度を高くして、ゲートしきい値電圧を高く設定し、ＩＧＢＴチップのコレクタ飽和電流値を定格電流の３倍以下に抑制し、ＩＧＢＴチップ１が収納されたＩＧＢＴパック２０（半導体装置）のターンオフ可能遮断電流の向上を図る。 - 特許庁

In a step of increasing voltage, when a voltage is increased at a contact surface pressure of 0, a voltage at a first change point C that allows a current density to start to decrease after an increase is defined as a threshold voltage and the voltage is increased so that the voltage in a region where a barrier film is exposed is higher than the threshold voltage.例文帳に追加

電圧を高める工程では、接触面圧を０とした状態で、電圧を高めた場合に、電流密度が増加から減少に転じる第１変化点Ｃ電圧を閾値電圧とし、バリア膜を露出させた領域における電圧が、閾値電圧を超えるように、電圧を高めることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a field effect transistor (FET), chief of which is diamond, which can accommodate high-frequency operation and an increase in current density and has an excellent controllability for threshold voltage, and has little variation in element characteristics in the plane of a wafer and little variation among lots.例文帳に追加

ダイヤモンドを主材料として有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であって、高周波動作、高電流密度化に好適であると共に、閾値電圧の制御性に優れ、素子特性のウェーハ面内バラツキ、ロット間バラツキが小さいＦＥＴの提供。 - 特許庁

The fuel cell system 80 includes a control means 70 for controlling a power generation amount of the fuel cells such that power generation current density becomes a threshold or lower at sub-zero starting of the fuel cells 10.例文帳に追加

本発明に係る燃料電池システム（８０）は、燃料電池（１０）の氷点下起動時において、発電電流密度がしきい値以下になるように燃料電池の発電量を制御する制御手段（７０）を備えることを特徴とするものである。 - 特許庁

It is possible to form a waveguide of an effective refractive index type or a loss type excellent in confinement of light due to properties of light absorption and a low refractive index of the current constriction layer 24, and therefore, it is possible to obtain a GaN based semiconductor laser of a single transverse mode type by the refractive index waveguide stable in low-threshold current density.例文帳に追加

前記電流狭窄層２４の光吸収や低屈折率の性質によって光閉じ込めの良好な実屈折率導波型や損失導波型の導波路を形成することができ、低しきい値電流密度で安定した屈折率導波による単一横モード型ＧａＮ系半導体レーザを実現できる。 - 特許庁

To provide a nitride laser element improved in life by relaxing stress caused by an electron blocking layer while reducing threshold current density by a structure arranged the electron blocking layer including an Al layer between a p-type guide layer and a p type clad layer.例文帳に追加

ｐ型ガイド層とｐ型クラッド層との間にＡｌを含む電子ブロック層を配置した構造によって閾値電流密度の低減を図りながら、電子ブロック層に起因する応力を緩和して寿命特性の向上を図ることができる窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a spin injected inverted magnetization MTJ element which is less in failure in writing and has small threshold of write current density by improving transient characteristics during writing, and can be highly integrated, made fast, and reduced in power consumption, and to provide a magnetic memory device using the same.例文帳に追加

書き込み時の過渡特性を改善して、書き込みの失敗が少なく、書き込み電流密度のしきい値が小さく、高集積化、高速化、および低消費電力化が可能なスピン注入磁化反転型ＭＴＪ素子及びそれを用いた磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electronic trip device, concerning an electronic circuit breaker equipped with threshold parameterization, current measurement, a test connector, a display and communication functions or the like, capable of incorporating into an existing opening and closing device, and also simplified irrespective of density of incorporated functions.例文帳に追加

しきい値パラメータ設定、電流測定、テストコネクタ、表示および通信機能等を備える電子式回路遮断器に関して、既存の開閉装置に組み込み可能であるとともに、組み込まれた機能の密度にかかわらず簡素化された電子式トリップ装置を提供する。 - 特許庁

The number of p-type semiconductor layers in the nitride based semiconductor laser structure 200 is decreased by the p-n tunnel junction 220 to reduce dispersion loss, threshold current density thereby decreases to lower total series resistance, and higher growth temperature is obtained to improve structural quality of a laser.例文帳に追加

このｐ−ｎトンネル接合２２０により、窒化物系半導体レーザ構造２００におけるｐ型半導体層の数が減り、それによって分散損失が低減され、閾値電流密度が低下し、全体的な直列抵抗が低下すると共に、より高い成長温度が可能となることによってレーザの構造的な品質が向上する。 - 特許庁

To provide a reliable integrated semiconductor laser which has a low threshold current density and a superior temperature characteristic and can be used suitably for an optical pickup head for both DVD and CD by monolithically integrating a plurality of 'effective refractive-index-guide type' lasers having high lateral mode controllability in a unique constitution.例文帳に追加

横モード制御に優れる「実屈折率ガイド型」の複数のレーザを、独特の構成によりモノリシックに集積することにより、しきい値電流密度が低く、温度特性や信頼性にも優れ、ＤＶＤ／ＣＤ兼用光ピックアップヘッドに用いて好適な集積型半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In this manufacturing method, electric field intensity at the tip of an emitter is enhanced by forming the emitter formed of a carbon film 2 into a needle-like projection structure having sharp tips and by forming a gate 3 in its extreme vicinity, and a threshold voltage is lowered and current density is heightened by uniformly forming the minute needle-like emitter all over the region of the emitter.例文帳に追加

炭素膜からなるエミッタを先端が先鋭な針状の突起構造とすること、ごく近傍にゲートを形成することによって、エミッタ先端への電界強度が高くなり、更にその微細な針状エミッタをエミッタ領域一面に均一に形成することにより、しきい値電圧を低くし、電流密度を高くすることができる。 - 特許庁