ultra low voltageとは 意味・読み方・使い方

LOW-VOLTAGE ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR USING ULTRA-THIN METAL OXIDE FILM AS GATE DIELECTRIC, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

超薄膜金属酸化膜をゲート絶縁体として利用した低電圧有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

The ultra low dropout voltage regulator includes a chip driving unit, a low voltage reference voltage generation unit, a pass element, a feedback resistor, a gate drive stage, an overheat protection circuit, an overcurrent limiter, and an overheat protection control logic.例文帳に追加

チップ駆動部と、低電圧基準電圧発生部と、パスエレメントと、フィードバック抵抗と、ゲートドライブ端と、過熱防止回路と、過電流制限器と、過熱防止制御ロジックとを含む。 - 特許庁

To provide an ultra low dropout voltage regulator which is designed so as to minimize the size of a chip by reducing standby power consumption, and is designed to stably and precisely shut down the chip by being more rapidly responded to the overload or overvoltage of the chip, thus giving ultra low dropout characteristics even at a low output voltage.例文帳に追加

消耗待機電力を減少させ、チップの大きさを最小化するように設計し、チップの過負荷又は過電圧に一層早く反応するようにし、安定的で確かに中止させるように設計し、低電圧出力でも超低電圧降下特性を有する超低電圧降下型電圧レギュレーターを提供する。 - 特許庁

This invention provides a structure of a level shifter, with a high-voltage drive capability and ultra-low power consumption through the adoption of dynamic charge control to the gate electrode of a high-voltage output transistor(TR).例文帳に追加

高電圧出力トランジスタのゲート電極へのダイナミックな荷電制御を採用して高電圧駆動能力および超低消費電力のレベルシフター構造が提供される。 - 特許庁

To provide a structure capable of forming a junction FET having a low on-voltage without using an alignment of an ultra-high accuracy or without requiring a fine electrode patterning.例文帳に追加

超高精度のアライメントを用いることなく、あるいは微細な電極パターニングを要することなく、オン電圧の低い接合FETを形成できる構造を提案する。 - 特許庁

To provide an ultra-high pressure mercury lamp which does not produce cracks in a sealing part, when repeating turning on/off, and which can surely turn on even with a low voltage applied to an ignitor.例文帳に追加

ランプの点灯消灯を繰り返した場合に封止部にクラックが生じることがなく、低いイグナイタ印加電圧でも確実に点灯させることが可能な超高圧水銀ランプを提供することを目的とする。 - 特許庁

An oscillation circuit 104 has a MOSFET of a body tie type PD SOI structure required for an analog operation, and is operated by the ultra-low constant voltage.例文帳に追加

発振回路１０４は、アナログ動作が要求されるボディタイ型のＰＤ型ＳＯＩ構造のＭＯＳＦＥＴにより構成し、超低定電圧で動作させる。 - 特許庁

To provide class AB power amplifier employing an ultra-low voltage CMOS for applications with small load impedance, which utilizes gate-source parasitic capacitance of a device for the compensation capacitance.例文帳に追加

補償容量としてそのデバイスのゲート・ソース寄生容量を利用して負荷インピーダンスが低いアプリケーション用の超低電圧ＣＭＯＳのＡＢ電力増幅器を得る。 - 特許庁