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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > ultra low voltageに関連した英語例文

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ultra low voltageの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 20



例文

APPARATUS FOR BIASING ULTRA-LOW VOLTAGE LOGIC CIRCUIT例文帳に追加

超低電圧論理回路にバイアスをかけるための装置 - 特許庁

CLASS AB POWER AMPLIFIER EMPLOYING ULTRA-LOW VOLTAGE CMOS例文帳に追加

超低電圧CMOSのAB級電力増幅器 - 特許庁

ULTRA-HIGH SPEED AND LOW-VOLTAGE DRIVEN AVALANCHE MULTIPLICATION PHOTODETECTOR例文帳に追加

超高速・低電圧駆動アバランシェ増倍型半導体受光素子 - 特許庁

To provide a flash memory of fast low-voltage ballistic program, ultra-short channel, ultra-high integration level, and dual bit multi-level.例文帳に追加

高速低電圧バリスティックプログラム、超短チャネル、超高集積度、デュアルビット多準位のフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

例文

To provide a nitride semiconductor device that has ultra-low forward rising voltage and high reverse breakdown voltage characteristics in a simple configuration.例文帳に追加

簡単な構造で、極めて低い順方向立ち上がり電圧と、高い逆方向耐圧特性を有する窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁


例文

To provide a fluorescent lamp which is lighted rapidly at a low voltage, and in which ultra-violet rays are shielded at a lighting time.例文帳に追加

低電圧で速やかに点灯することができるとともに、点灯時に紫外線を遮蔽することのできる蛍光ランプを提供する。 - 特許庁

To provide an electron emitting source to be used in an ultra-thin display device, which can be driven with low voltage and has a long life.例文帳に追加

極薄型のディスプレイ装置に用いる、低電圧駆動可能で長寿命の電子放出源を提供する。 - 特許庁

LOW-VOLTAGE ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR USING ULTRA-THIN METAL OXIDE FILM AS GATE DIELECTRIC, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

超薄膜金属酸化膜をゲート絶縁体として利用した低電圧有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

The ultra low dropout voltage regulator includes a chip driving unit, a low voltage reference voltage generation unit, a pass element, a feedback resistor, a gate drive stage, an overheat protection circuit, an overcurrent limiter, and an overheat protection control logic.例文帳に追加

チップ駆動部と、低電圧基準電圧発生部と、パスエレメントと、フィードバック抵抗と、ゲートドライブ端と、過熱防止回路と、過電流制限器と、過熱防止制御ロジックとを含む。 - 特許庁

例文

To provide an ultra low dropout voltage regulator which is designed so as to minimize the size of a chip by reducing standby power consumption, and is designed to stably and precisely shut down the chip by being more rapidly responded to the overload or overvoltage of the chip, thus giving ultra low dropout characteristics even at a low output voltage.例文帳に追加

消耗待機電力を減少させ、チップの大きさを最小化するように設計し、チップの過負荷又は過電圧に一層早く反応するようにし、安定的で確かに中止させるように設計し、低電圧出力でも超低電圧降下特性を有する超低電圧降下型電圧レギュレーターを提供する。 - 特許庁

例文

This invention provides a structure of a level shifter, with a high-voltage drive capability and ultra-low power consumption through the adoption of dynamic charge control to the gate electrode of a high-voltage output transistor(TR).例文帳に追加

高電圧出力トランジスタのゲート電極へのダイナミックな荷電制御を採用して高電圧駆動能力および超低消費電力のレベルシフター構造が提供される。 - 特許庁

To provide a structure capable of forming a junction FET having a low on-voltage without using an alignment of an ultra-high accuracy or without requiring a fine electrode patterning.例文帳に追加

超高精度のアライメントを用いることなく、あるいは微細な電極パターニングを要することなく、オン電圧の低い接合FETを形成できる構造を提案する。 - 特許庁

To provide an ultra-high pressure mercury lamp which does not produce cracks in a sealing part, when repeating turning on/off, and which can surely turn on even with a low voltage applied to an ignitor.例文帳に追加

ランプの点灯消灯を繰り返した場合に封止部にクラックが生じることがなく、低いイグナイタ印加電圧でも確実に点灯させることが可能な超高圧水銀ランプを提供することを目的とする。 - 特許庁

An oscillation circuit 104 has a MOSFET of a body tie type PD SOI structure required for an analog operation, and is operated by the ultra-low constant voltage.例文帳に追加

発振回路104は、アナログ動作が要求されるボディタイ型のPD型SOI構造のMOSFETにより構成し、超低定電圧で動作させる。 - 特許庁

To provide class AB power amplifier employing an ultra-low voltage CMOS for applications with small load impedance, which utilizes gate-source parasitic capacitance of a device for the compensation capacitance.例文帳に追加

補償容量としてそのデバイスのゲート・ソース寄生容量を利用して負荷インピーダンスが低いアプリケーション用の超低電圧CMOSのAB電力増幅器を得る。 - 特許庁

An ultra-low constant voltage is generated from a potential difference between a first power source line VDD and a second power source line VSS externally supplied by a low voltage generator 102 having a MOSFET of a body tie type PD SOI structure, and supplied to a digital circuit 110 having a MOSFET of a floating body type PD SOI structure.例文帳に追加

ボディタイ型のPD型SOI構造のMOSFETにより構成された低電圧発生回路102により、外部から供給される第1の電源線V_DDと第2の電源線V_SSとの間の電位差から、超低定電圧を発生し、フローティングボディ型のPD型SOI構造のMOSFETにより構成されたディジタル回路部110に供給する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which can attain ultra-miniaturization and high density by controlling short-channelling due to bird's beaks without complicating the manufacturing processes and can realize a low operating voltage and improvement in charge holding characteristics, and also to provide a method of manufacturing the same device.例文帳に追加

製造工程を複雑にすることなく、バーズビークによる短チャネル化を抑制して微細化、高密度化を達成し、動作電圧の低電圧化及び電荷保持特性の向上を図ることができる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

Since power is fed to the area near the pump motor 1 using the ultra- multicore type low impedance cable 3, even if the power factor of pump motor is low, voltage drop of the power feeding line can be reduced, and since it is required to lay one cable, the cable laying work can be simplified and cost can also be reduced.例文帳に追加

超多芯型低インピーダンスケーブル3を用いてポンプ電動機1の近傍まで送電しているので、ポンプ電動機の力率が悪い場合でも、給電路の電圧降下を低減化することができ、また、1本のケーブルを布設するだけでよいので、布設作業を容易にしコストを低減化することができる。 - 特許庁

To accelerate R&D on nanotechnology, the National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), National Institute for Materials Science (NIMS), University of Tsukuba, and Japan Economic Federation work together to push ahead with “Tsukuba Innovation Arena (TIA)” to implementProject on new materials power semiconductors that actualize low-carbon society,” “Project on ultralow voltage devices that actualize low-carbon society,” “Project on ultra-lightweight, high-strength integrated materials that actualize low-carbon society,” and some other projects. 例文帳に追加

⑤つくばイノベーションアリーナ(TIA)の構築ナノテクノロジーの研究開発加速のため、産業技術総合研究所、物質・材料研究機構、筑波大学及び日本経済団体連合会が連携して「つくばイノベーションアリーナ(TIA)」を推進しており、「低炭素社会を実現する新材料パワー半導体プロジェクト」「低炭素社会を実現する超低電圧デバイスプロジェクト」「低炭素社会を実現する超軽量・高強度融合材料プロジェクト」等を実施した。 - 経済産業省

例文

To accelerate R&D on nanotechnology, the National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), National Institute for Materials Science (NIMS), University of Tsukuba, and Japan Economic Federation work together to push ahead with "Tsukuba Innovation Arena (TIA)" to implement "Project on new materials power semiconductors that actualize low-carbon society," "Project on ultralow voltage devices that actualize low-carbon society," "Project on ultra-lightweight, high-strength integrated materials that actualize low-carbon society," and some other projects.例文帳に追加

ナノテクノロジーの研究開発加速のため、産業技術総合研究所、物質・材料研究機構、筑波大学及び日本経済団体連合会が連携して「つくばイノベーションアリーナ(TIA)」を推進しており、「低炭素社会を実現する新材料パワー半導体プロジェクト」「低炭素社会を実現する超低電圧デバイスプロジェクト」「低炭素社会を実現する超軽量・高強度融合材料プロジェクト」等を実施した。 - 経済産業省

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