vertical mobilityとは 意味・読み方・使い方

To develop and provide a vehicle mounted type vertical hole excavating device excelling in excavating performance with high work efficiency, workability, mobility, economical efficiency and durability, environmentally friendly and easily handled by anyone, and an excavating method.例文帳に追加

掘削性能が優れ、作業性・施工性・機動性・経済性・耐久性が良く、且つ、環境に優しく、誰もが容易に取り扱える車両搭載型縦穴掘削装置及び掘削方法を開発・提供する事。 - 特許庁

Since this treatment allows the interface state density at the interface between the silicon carbide layer 12 and the gate insulating film to be lowered, the electron mobility in an off-cut direction A is higher than that in a vertical direction to the off-cut direction A.例文帳に追加

これにより、炭化珪素層１２とゲート絶縁膜の界面において界面準位密度が低下するため、オフカット方向Ａに垂直な方向よりもオフカット方向Ａのほうが電子移動度が高くなる。 - 特許庁

Therefore, on case when the polycrystal Si film 12 is used to form a TFT, a difference in mobility can be suppressed between a TFT having a channel in the scanning direction 21 and that having a channel in the vertical direction to the scanning direction 21.例文帳に追加

そのため、多結晶Ｓｉ膜１２を用いてＴＦＴを形成した場合に、スキャン方向２１のチャネルを有するＴＦＴと、スキャン方向２１に垂直な方向のチャネルを有するＴＦＴの移動度の差を抑制できる。 - 特許庁

Since a tensile stress occurs in the direction vertical to the surface of the silicon epitaxial layer 112, the mobility of electron can be larger for forming a channel along the side of the channel formation part 121, resulting in a larger on current.例文帳に追加

これに対して、シリコンエピタキシャル層１１２の表面と垂直な方向には引張応力が発生するので、チャネル形成部１２１の側面に沿ってチャネルを形成することにより、電子の移動度を大きくすることができ、オン電流を大きくできる。 - 特許庁

The formation of a vertical element such as a vertical power MOSFET by the n^+-type SiC substrate 1 whose both surfaces are the (000-1) C-faces can obtain high channel mobility on the first surface side of the n^+-type SiC substrate 1, and can reduce the contact resistance between a drain electrode and a SiC contact face on the second surface side.例文帳に追加

また、このように両面が（０００−１）Ｃ面のｎ^+型ＳｉＣ基板１を用いて、縦型パワーＭＯＳＦＥＴなどの縦型素子を形成することにより、ｎ^+型ＳｉＣ基板１の表面側においては高チャネル移動度が得られ、裏面側においてはドレイン電極とＳｉＣ接触面とのコンタクト抵抗を低くすることができる。 - 特許庁

To remove an insulating film and a natural oxide film formed on a hole bottom surface without damaging the gate insulating film 10 nor lowering mobility in a method of manufacturing a vertical MISFET in which a channel portion 12 is formed after a gate electrode 7 is formed.例文帳に追加

ゲート電極７作製後にチャネル部１２を作製する縦型ＭＩＳＦＥＴの製造方法において、ゲート絶縁膜１０に損傷を与えたり移動度を劣化させたりすることなく、孔底面に形成された絶縁膜や、自然酸化膜を除去する。 - 特許庁

On the contrary, for the second thin-film transistor TR2 constituting a vertical driving circuit DR1 and a horizontal driving circuit DR2, a light-shielding film 11 is not provided and its average crystal particle size is set at comparatively large, and thus, the mobility is not deteriorated.例文帳に追加

一方、垂直駆動回路ＤＲ１及び水平駆動回路ＤＲ２を構成する第２の薄膜トランジスタＴＲ２については、遮光膜１１が設けられておらず、平均結晶粒径は比較的大きく設定されているので、移動度の低下はない。 - 特許庁

In order to improve the mobility of the carriers present in the Si post 11a, a stress applying layer 21 for giving to the Si post 11a an extending stress in the vertical direction orthogonal to the principal surface of the Si substrate 11 is disposed constitutionally on each side surface of the Si post 11a.例文帳に追加

Ｓｉポスト１１ａでのキャリア移動度を向上させるために、Ｓｉポスト１１ａの各側面には、Ｓｉ基板１１の主表面と直交する垂直方向に伸び応力を与えるための、ストレス印加層２１が設置されてなる構成となっている。 - 特許庁