x-iiiとは 意味・読み方・使い方

On a sapphire substrate 10, a low-temperature GaN buffer layer 11 and a p-type Al_xGa_(1-x)N (0≤x≤1) layer 12 as the III nitride semiconductor are stacked in this order.例文帳に追加

サファイア基板１０上には、低温ＧａＮバッファー層１１、III族窒化物半導体としてのｐ型Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ｎ（０≦ｘ≦１）層１２が順次に積層されている。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor consisting mainly of a composition component of Al_xGa_1-x-yIn_yN (wherein 0≤x, 0≤y, and 1-x-y≤1) and oriented in an orientation except the axis c to inhibit the generation of an internal electric field, for example, in a crystal orientation having reversal symmetry.例文帳に追加

内蔵電界などの生成を抑制すべくｃ軸以外の方位、例えば反転対称性を有する結晶方位などへ配向した、Al_xGa_1-x-yIn_yN（0≦x,y、1-x-y≦1）なる組成成分を主成分として含むIII族窒化物半導体を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device is a group-III nitride semiconductor heterojunction field effect transistor, having a heterojunction formed on a channel layer 2 of Al_xIn_yGa_1-x-yN (0≤x<1, 0≤y<1) as an electron supply layer 3 of Al_zGa_1-zN (Al composition z satisfies 0≤z≤1).例文帳に追加

半導体装置は、Al_xIn_yGa_1-x-yN(0≦x<1, 0≦y<1)のチャネル層２上に、Al_zGa_1-zN(Al組成zは0≦z≦1)の電子供給層３から成るヘテロ接合を形成したIII族窒化物半導体ヘテロ接合電界効果型トランジスタである。 - 特許庁

A film formation treatment is performed in a B-containing atmosphere to form a group III nitride semiconductor containing as the principal component a compositional component of Al_xGa_1-x-yIn_yN (wherein 0≤x, 0≤y, and 1-x-y≤1) on the substrate so that the semiconductor may be oriented in an orientation which slants more than the axis c does.例文帳に追加

次いで、Ｂを含む雰囲気において成膜処理を実行し、前記基板上にAl_xGa_1-x-yIn_yN（0≦x,y、1-x-y≦1）なる組成成分を主成分として含むIII族窒化物半導体を、そのｃ軸より傾斜した方位において配向するようにして形成する。 - 特許庁

Finally, highly efficient group III-V solar cells 201-206 are grown on the Ge_xSi_1-x buffer layer.例文帳に追加

最後に、高効率III−Ｖ太陽電池２０１〜２０６がＧｅ_ｘＳｉ_１−ｘ緩衝層上に成長する。 - 特許庁

The process for producing free-standing III-N layer comprises depositing at least one first III-N layer 15 by means of molecular beam epitaxy on an Li(Al, Ga)O_x substrate 7, where 1≤x≤3.例文帳に追加

Li(Al, Ga)O_X基板（１≦ｘ≦３）７上に、分子線エピタキシ法により少なくとも１つの第一のIII-N層１５を堆積させる工程を備える。 - 特許庁

By making the Al compsn. of the AlGaN (AlxGa1-xN, 0<x<1) substrate 1 set near to those of the AlGaN (AlxGa1-xN, 0<x<1) layers 2, 4 of the group III nitride type compound semiconductor element, a substrate having fewer occurrences of cracks can be obtained.例文帳に追加

窒化アルミニウムガリウム（Al_xGa_1-xN、0＜x＜1）基板１のアルミルニウム組成は形成するIII族窒化物半導体素子の窒化アルミニウムガリウム（Al_xGa_1-xN、0＜x＜1）層２及び４の組成に近いものとすることでクラックの発生を更に小さいものとすることができる。 - 特許庁

The p-type oxide semiconductor consists of oxide of group X(=II, III, IV, V) and metal-nitrogen bond composed of at least one among group Y(≤X) nitrides, for instance, Li-N, Be-N, Mg-N, Al-N, Ga-N is introduced into the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

X ( =II 、III 、IV 、V ) 族酸化物からなるｐ型酸化物半導体であって、前記ｐ型酸化物半導体中にY ( ≦X ）族窒化物のなかの少なくとも1 つ、例えばLi-N、Be-N、Mg-N、Al-N、Ga-N Aなど、からなる金属−窒素結合を導入する。 - 特許庁