「"極性面"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ここで、半極性面とは（１０−１−３）面である。例文帳に追加

The semipolar face is a (10-1-3) face. - 特許庁

非極性面ＩＩＩ族窒化物の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING NONPOLAR GROUP-III NITRIDE - 特許庁

エミッタ層４をベース層５の窒素極性面に接合し、コレクタ層６をベース層５のガリウム極性面に接合する。例文帳に追加

The emitter layer 4 is jointed to a nitrogen polarity surface of the base layer 5, and the collector layer 6 is jointed to the gallium polarity surface of the base layer 5. - 特許庁

（ａ）Ｚｎ極性面を備える基板のＺｎ極性面上に、ｎ型ＺｎＯバッファ層を形成する。例文帳に追加

An n-type ZnO buffer layer is formed on the Zn polarity surface of a substrate having the Zn polarity surface (a). - 特許庁

窒化物半導体結晶２は、ＭＯＣＶＤ法等によって形成され、その成長表面が非極性面又は半極性面で成長する。例文帳に追加

The nitride semiconductor crystal 2 is formed by an MOCVD method etc., and its growing surface grows on the non- or semi-polar surface. - 特許庁

窒化物半導体結晶２は、ＳｉＣ基板１の非極性面又は半極性面上に、結晶成長させる。例文帳に追加

A nitride semiconductor crystal 2 is grown on a non- or semi-polar surface of an SiC substrate 1. - 特許庁

結晶性、表面平坦性に優れた非極性面や半極性面を主面とするIII 族窒化物半導体を製造すること。例文帳に追加

To produce a group III nitride semiconductor whose main surface is a non-polar plane or a semi-polar plane excellent in crystallinity and surface flatness. - 特許庁

また、ａ面は無極性面であるため、極性面のｃ面に比べて、さらなる発光効率の向上及び長波長化が図られる。例文帳に追加

Further, because the a-face is a nonpolar face, the a-face has a further improved light-emission efficiency and provides a long wavelength light in comparison with the c-face of polar face. - 特許庁

この発光素子は非極性面又は半極性面を主面とする窒化物半導体により構成される。例文帳に追加

The light emitting element 2 is constituted of a nitride semiconductor having a nonpolar surface or semi-polar surface as a principal surface. - 特許庁

窒素極性面１０_Nを、ＳｉＯ_2から成る被膜３０で覆う（１．Ｂ）。例文帳に追加

The nitride polarity plane 10_N is covered with a coat 30 composed of SiO_2 (1.B). - 特許庁

Ｍ面は、Ｇａ極性面やＮ（窒素）極性面ではなく、無極性面となるので、自発分極やピエゾ分極により発生する電界の影響を非常に小さくすることができる。例文帳に追加

Since the M plane is not a Ga polarization plane and an N (nitrogen) polarization plane, but a non-polar plane, the effect of an electric field caused by spontaneous polarization and piezoelectric polarization can be much reduced. - 特許庁

第１の結晶極性面と、前記第１の結晶極性面とは異なる第２の結晶極性面と、を含む主面を有する基板と、前記主面の上に設けられ、結晶極性が単一である単一極性層と、を備えたことを特徴とする窒化物系半導体が提供される。例文帳に追加

The nitride-based semiconductor is characterized by comprising: a substrate having a principal surface including a first crystal polarity surface, and a second crystal polarity surface different from the first crystal polarity surface; and a single polarity layer formed on the principal surface and having single crystal polarity. - 特許庁

Ｚｎ極性面を有するアンドープＺｎＯ層をチャンネル層とし、該Ｚｎ極性面を有するＺｎＯ層上には、極性面反転層を介して、ソース・ドレインに接続されたＯ極性高濃度ｎ型ＺｎＯ層が、選択的に形成されていることを特徴とするＺｎＯデバイスである。例文帳に追加

The ZnO device is characterized in that an undoped ZnO layer having a Zn polarity plane is used as a channel layer and on the ZnO layer having the Zn polarity plane, an O polarity high-concentration n-type ZnO layer connected to source/drain is formed selectively via an inversion layer. - 特許庁

ＧａＮ系半導体の窒素極性面上に、コンタクト抵抗の低いｎ型電極を形成する。例文帳に追加

To form an n-type electrode of low contact resistance on the nitrogen polar surface of a GaN-based semiconductor. - 特許庁

窒化物半導体結晶２は、ＳｉＣ基板１の非極性面上に、結晶成長させる。例文帳に追加

A nitride semiconductor crystal 2 is grown on a non-polar surface of an SiC substrate 1. - 特許庁

ＩＩＩ族金属窒化物の加工された非極性面を有する基板およびその製造方法例文帳に追加

SUBSTRATE OF GROUP III METAL NITRIDE HAVING NON-POLAR SURFACE PROCESSED - 特許庁

非極性面ＩＩＩ族窒化物８を種結晶膜６上にフラックス法によって育成する。例文帳に追加

A nonpolar group-III nitride 8 is grown on the seed crystal film 6 by a flux method. - 特許庁

半極性面を用いて低しきい値を提供できるIII族窒化物半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a group III nitride semiconductor laser capable of providing a low threshold by using a semipolar surface. - 特許庁

非極性面ＩＩＩ族窒化物１０を種結晶膜６上にフラックス法によって育成する。例文帳に追加

A nonpolar group-III nitride 10 is grown on the seed crystal film 6 by a flux method. - 特許庁

非極性面上に低抵抗な半導体結晶が形成された半導体を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor with a low-resistance semiconductor crystal formed on a nonpolar surface. - 特許庁

半極性面を用いて低しきい値を提供できるIII族窒化物半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a group III nitride semiconductor laser to provide a low threshold by utilizing a semipolar surface. - 特許庁

欠陥密度が低く高品質な半極性面III族窒化物基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a semipolar group III nitride substrate having a low defect density and high quality. - 特許庁

ｎ型層のＮ極性面に３５０℃以下のアニールでコンタクト電極を形成する。例文帳に追加

To form a contact electrode on an N-polar surface of an n-type layer through annealing at 350°C or lower. - 特許庁

具体的には、−ｃ軸方向、ｍ軸方向、または、半極性面の法線方向である。例文帳に追加

The direction is specifically a -c axis direction, an m axis direction or a normal direction of a semipolar face. - 特許庁

半極性面上に作製され良好な発光特性の発光ダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide a light emitting diode which is produced on a semipolar plane and has satisfactory light emitting characteristics. - 特許庁

非極性面または半極性面を主面とする結晶構造を有する基板をブレーキングして半導体素子を製造する方法において、該半導体素子の側面の形状を一定にするため有利な技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique advantageous for making semiconductor device side surfaces fixed in form in a method of manufacturing semiconductor devices by breaking a substrate having a crystal structure such that a nonpolar or semipolar plane is made a principal surface. - 特許庁

半極性面を有するサファイヤ基板の主面上に、ＡｌＮ,ＧａＮ又はＡｌＧａＮバッファ層を形成してなることを特徴とする半極性面を有する窒化物半導体成長基板。例文帳に追加

In the nitride semiconductor growth substrate with the semipolar plane, an AlN, GaN, or AlGaN buffer layer is formed on a principal plane of a sapphire substrate having a semipolar plane. - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板は、極性面または半極性面である主面１１ａと裏面１１ｂとを含み、Ｖ族元素としてＰまたはＡｓを含んでいる。例文帳に追加

The group III-V compound semiconductor substrate includes a principal surface 11a which is a polar surface or a semi polar surface and a backside 11b and includes P or As as a group V element. - 特許庁

非極性面または半極性面を成長主面としたIII族窒化物半導体を用いて、発光効率の向上された半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element improved in luminous efficiency by using a group III nitride semiconductor using a nonpolar surface or a semipolar surface as a growth principal surface. - 特許庁

非極性面または半極性面を成長主面としたIII族窒化物半導体を用いて、偏光比の大きな発光が可能な半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light-emitting element enabling light emission having a large polarization ratio using a group-III nitride semiconductor with a nonpolar or semi-polar surface as a growth main surface. - 特許庁

非極性面または半極性面を成長主面としたIII族窒化物半導体を用いて、発光効率の向上された半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light-emitting element which is improved in luminous efficiency using a group-III nitride semiconductor having a nonpolar plane or semipolar plane as a growth principal plane. - 特許庁

非極性面または半極性面（たとえばｍ面）を主面とするＧａＮ単結晶基板１上にIII族窒化物半導体層２が形成されている。例文帳に追加

A group-III nitride semiconductor layer 2 is formed on a GaN single-crystal substrate 1 with a nonpolar surface or a semi-polar surface (for example, an m surface) as a main surface. - 特許庁

窒化ガリウム単結晶基板１０は、ガリウム極性面１０_Gaが凹となり、−ｃ面である窒素極性面１０_Nが凸となる向きに反っている（１．Ａ）。例文帳に追加

A gallium nitride crystal substrate 10 is deflected, in a direction such that a gallium polarity plane 10_Ga becomes concave, while a nitride polarity plane 10_N as -c surface becomes convex (1.A). - 特許庁

非極性面または半極性面を成長主面としたIII族窒化物半導体を用いて、クラックの発生を抑制できる構造の半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element of a structure capable of suppressing occurrence of a crack by using a group III nitride semiconductor using a nonpolar surface or a semipolar surface as a growth principal surface. - 特許庁

光源１１は、非極性面または半極性面を主面として有するＧａＮ基板と、ＧａＮ基板の主面上に形成された発光素子（ＬＥＤまたはＬＤ）とを含む。例文帳に追加

The light source 11 includes: a GaN substrate having a non-polar plane or a semi-polar plane as a principal plane; and a light-emitting element (LED or LD) formed on the principal plane of the GaN substrate. - 特許庁

基板の表面を有効に利用すると共に、極性面及び非極性面の両特性を兼ね備える窒化物系半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor light-emitting device which allows a surface of a substrate to be effectively used and has the characteristics of a polar surface and a nonpolar surface. - 特許庁

非極性面または半極性面を成長主面としたIII族窒化物半導体を用いて低閾値電流を実現し、かつ、発光効率が向上された半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser device wherein a low threshold voltage is obtained using a group III nitride semiconductor having a nonpolar plane or a semipolar plane serving as a growth principal plane, and light emission efficiency is improved. - 特許庁

測定対象の薄膜結晶に対して、２つの2θにおける回折強度の比を求め、それがO極性面に対する検量線とZn極性面に対する検量線のいずれかの上に乗るかを調べる。例文帳に追加

As to thin film crystal that is a measuring object, a ratio is found between diffraction intensities at two 2θ to examine to which it conforms of the calibration curve as to the O polar surface and the calibration curve as to the Zn polar surface. - 特許庁

回折強度の比がZn極性面に対する検量線上にあれば、測定対象の薄膜結晶の表面はZn極性面であると判定する。例文帳に追加

If the ratio between the diffraction intensities is on the calibration curve as to the Zn polar surface, the surface of the film crystal that is the measuring object is determined to be a Zn polar surface. - 特許庁

回折強度の比がO極性面に対する検量線上にあれば、測定対象の薄膜結晶の表面はO極性面であると判定する。例文帳に追加

If the ratio between the diffraction intensities is on the calibration curve as to the O polar surface, the surface of the film crystal that is the measuring object is determined to be an O polar surface. - 特許庁

リード線をカシメ付けたタブ端子を両方の極性面に溶接したコイン形電池において、コイン電池の一方の極性面及びタブ端子カシメ部を被覆する第一のケースと他方の極性面及びタブ端子カシメ部を被覆する第二のケースを備え、前記第一のケースと前記第二のケースが連結部を介して一体化された樹脂成形体であることを特徴とする。例文帳に追加

The coin type battery in which a tab terminal having crimped lead wire is welded to each polarity surface has a first case covering one polarity surface of the coin battery and a tab terminal crimped part and a second case covering the other polarity surface and a tab terminal crimped part, and a resin molding in which the first case and the second case are integrated through a connecting part. - 特許庁

これらの窒化ガリウム半導体結晶２は、その成長表面がＮ（窒素）極性面やＧａ極性面ではなく、無極性面となるので、ｐ側のＧａＮ／ＡｌＧａＮの界面で発生する自発分極やピエゾ分極による電界の大きさを小さくすることができ、キャリア空乏化を回避することができる。例文帳に追加

In the gallium nitride semiconductor crystal 2, the growth surface becomes a nonpolar surface instead of an N (nitrogen) polar surface and a Ga polar surface, thus reducing the magnitude of an electric field due to the spontaneous polarization and the piezo polarization generated on the interface of p-side GaN/AlGaN and hence avoiding carrier depletion. - 特許庁

窒化ガリウム半導体結晶２は、その成長表面がＮ（窒素）極性面になるように成膜されている。例文帳に追加

The gallium nitride semiconductor crystal 2 is covered with film so that its growth surface may be become an N (nitrogen) polarity surface. - 特許庁

ガリウム極性面の粗研磨実施後の精密研磨実施中のクラック発生率を低下させることができる窒化ガリウム基板を提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride substrate which can reduce the rate of crack incidence during the operation of precision polishing after practising the rough polishing of a gallium polarity surface. - 特許庁

この窒化ガリウム系半導体層の半極性面に電極が接合を成すので、金属／半導体接合は良好なオーミック特性を示す。例文帳に追加

Since the electrode forms the junction on the semipolar plane of the gallium nitride-based semiconductor layer, a metal/semiconductor junction exhibits good ohmic characteristics. - 特許庁