「"AMORPHOUS SELENIUM"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To uniformly manufacture amorphous selenium doped with an extremely fine amount of an alkali metal at high yield.例文帳に追加

極微量のアルカリ金属がドーピングされたアモルファスセレンを歩留まりよく、かつ均質に製造する。 - 特許庁

To provide a selenium vapor depositing apparatus which can deposit a uniform amorphous selenium film free from defects on a material to be vapor-deposited.例文帳に追加

被蒸着材上に均一で欠陥のない非晶質セレンの膜を形成できるセレン蒸着装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a storage container for a radiation image detector preventing the image detector equipped with amorphous selenium from burning in.例文帳に追加

アモルファスセレンを備えた放射線画像検出器の焼き付きを防止する放射線画像検出器用収納容器を提供する。 - 特許庁

To make a photodetector provided with a photoconduction layer containing amorphous selenium as the main component to be able to obtain a high-S/N high-quality image.例文帳に追加

アモルファスセレンを主成分とする光導電層を備えた光検出装置において、Ｓ／Ｎのよい高画質な画像が得られるようにする。 - 特許庁

The resin with low viscosity, however, requires a long time to cure, which causes deterioration of an amorphous selenium layer 1.例文帳に追加

しかしながら、粘度の低い樹脂は、硬化するのに時間がかかりすぎてしまい、これがアモルファスセレン層１の変質を招く。 - 特許庁

The signal generation part may use amorphous selenium which is one of chalcogen materials, or may use CdTe or CdZnTe which is a compound raw material using chalcogen.例文帳に追加

信号生成部は、カルコゲン素材のうち一つである非晶質セレンを使用するか、又はカルコゲンを利用した化合物素材であるＣｄＴｅ又はＣｄＺｎＴｅを使用できる。 - 特許庁

The first component is formed by using amorphous selenium (a-Se), lead iodide (PbI_2), a cadmium- tellurium alloy (DcTd), a cadmium-zinc-tellurium alloy (CdZnTe), or mercury iodide (HgI_2).例文帳に追加

また、第１の構成要素はアモルファスセレン（ａ-Ｓｅ）、沃化鉛（ＰｂＩ_２）、カドミウムテルル合金（ＣｄＴｅ）、カドミウム亜鉛テルル合金（ＣｄＺｎＴｅ）あるいは沃化水銀（ＨｇＩ_２）を用いて形成する。 - 特許庁

As a semiconductor layer sensitive to X-rays, an amorphous selenium (a-Se) semiconductor thick film 4 doped with alkali metal in a range of 0.01 ppm to 10 ppm is used.例文帳に追加

Ｘ線に有感な半導体層に、アルカリ金属が０．０１ｐｐｍから１０ｐｐｍの範囲だけドーピングされたアモルファス・セレン（ａ−Ｓｅ）半導体厚膜４を用いる。 - 特許庁

For a semiconductor layer sensitive to an X-ray, an amorphous- selenium (a-Se) semiconductor thick film 4 doped with alkali-metal in the range of 0.01 ppm to 10 ppm is used.例文帳に追加

Ｘ線に有感な半導体層に、アルカリ金属が０．０１ppmから１０ppmの範囲だけドーピングされたアモルファス・セレン（ａ−Ｓｅ）半導体厚膜４を用いる。 - 特許庁

To protect a photoconducting layer without problems of an image spot and a discharge breakdown in a radiation solid-state detector having the photoconducting layer consisting primary of amorphous selenium.例文帳に追加

アモルファスセレンを主成分とする光導電層を備えた放射線固体検出器において、画像斑や放電破壊等の問題を生じることなく光導電層を保護する。 - 特許庁

A top electrode of a suitable material is directly on an amorphous selenium-based charge generator layer allowing charge transport across the layer, thereby reducing ghosting.例文帳に追加

適宜の物質からなる上部電極が非晶質セレンをベースとした電荷発生器層のすぐ上側に設けられており、該層を横断しての電荷の輸送を可能とし、それによりゴーストを減少させる。 - 特許庁

To provide an X-ray detector with a large area which does not degree by suppressing a minimum structural defect latently produced during forming an amorphous-selenium (a-Se) semiconductor thick film and a variation in the defect to a charge capture center.例文帳に追加

アモルファス・セレン（ａ−Ｓｅ）半導体厚膜形成時に潜在的に生成される構造欠陥と、欠陥の電荷捕獲中心への変化を最低限に抑えて、感度が劣化しない大面積Ｘ線検出器を提供する。 - 特許庁

The organic layer is installed directly on an amorphous selenium-based charge generator layer, allowing the charge transfer across the layer, thereby, reducing ghosts.例文帳に追加

該有機層は非晶質セレンをベースとした電荷発生器層の上に直接的に設けられており、該層を横断しての電荷の輸送を可能とさせ、それによりゴーストを減少させている。 - 特許庁

To provide a large-area X-ray detector which minimizes the structural defects that are potentially generated at the formation of an amorphous selenium (a-Se) semiconductor thick film, minimizes the changes in defects, as nearing the charge trapping center, and the sensitivity of which will not deteriorate.例文帳に追加

アモルファス・セレン（ａ−Ｓｅ）半導体厚膜形成時に潜在的に生成される構造欠陥と、欠陥の電荷捕獲中心への変化を最低限に抑えて、感度が劣化しない大面積Ｘ線検出器を提供する。 - 特許庁

After producing a mother selenium alloy doped with an alkaline metal of concentration higher than a prescribed concentration in a closed system, the mother selenium alloy and pure selenium alloy are mixed with each other to manufacture amorphous selenium doped with the alkaline metal of the prescribed concentration.例文帳に追加

密閉系で所定濃度よりも高い濃度のアルカリ金属をドープした母セレン合金を作製した後、前記母セレン合金と純セレン合金を混合してアルカリ金属が所定濃度ドーピングされたアモルファスセレンを製造する。 - 特許庁

To reduce the influence even when bumping occurs during the vapor deposition of a vapor deposition layer in a method of manufacturing a radiograph detector provided with the vapor deposition layer formed by executing the vacuum deposition of a material whose main component is amorphous selenium on a substrate.例文帳に追加

基板上にアモルファスセレンを主成分とする材料を真空蒸着させてなる蒸着層を有してなる放射線画像検出器の製造方法において、蒸着層の蒸着中に突沸が発生した場合でもその影響を低減させる。 - 特許庁

The radiation detector is provided with electrodes on both sides of a photoconductive layer for recording, and detects electric charge generated within the photoconductive layer for recording as an electric signal by being irradiated with radiation while applying a predetermined bias voltage between the electrodes, and uses amorphous selenium having a coordination number of 1.95±0.02 for the photoconductive layer for recording.例文帳に追加

記録用光導電層の両側に電極が設けられ、該電極間に所定のバイアス電圧を印加した状態で、放射線の照射を受けることにより前記記録用光導電層内部に発生した電荷を電気信号として検出する放射線検出器において、記録用光導電層に１．９５±０．０２の配位数を有するアモルファスセレンを用いる。 - 特許庁

During the vapor deposition of a photoconductive layer for recording which is relatively thick as large as 100-2,000 μm in thickness, by making the temperature of the substrate higher than a temperature during normal vapor deposition in the first half part of the vapor deposition time during which the influence of the bumping strongly appears, the surface of the vapor deposition layer is smoothed while preventing the crystallization of the amorphous selenium.例文帳に追加

膜の厚さが１００μｍ以上、２０００μｍ以下と比較的厚い記録用光導電層の蒸着時において、突沸の影響が大きく表れる蒸着時間の前半部で基板の温度を通常蒸着時温度よりも上昇させることにより、アモルファスセレンの結晶化を防止しつつ蒸着層の表面をなだらかにさせる。 - 特許庁