「"MAGNETIC-RAM"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC RAM例文帳に追加

マグネティックＲＡＭの製造方法 - 特許庁

MAGNETIC RAM AND FORMING METHOD THEREFOR例文帳に追加

マグネチックラム及びその形成方法 - 特許庁

MAGNETIC RAM AND ITS FORMATION METHOD例文帳に追加

マグネチックラムおよびその形成方法 - 特許庁

MAGNETIC RAM AND METHOD FOR FORMING THE SAME例文帳に追加

マグネチックラム及びその形成方法 - 特許庁

METHOD OF OPERATING MAGNETIC RAM DEVICE USING SPIN INJECTION, AND MAGNETIC RAM DEVICE例文帳に追加

スピン注入を用いて磁気ラム素子を駆動させる方法、及び磁気ラム素子 - 特許庁

MAGNETIC RAM USING SCHOTTKY DIODE例文帳に追加

ショットキーダイオードを用いたマグネチックＲＡＭ - 特許庁

METHOD OF FORMING MTJ CELL OF MAGNETIC RAM例文帳に追加

マグネチックラムのＭＴＪセル形成方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF MTJ CELL OF MAGNETIC RAM例文帳に追加

マグネチックラムのＭＴＪセル製造方法 - 特許庁

MAGNETIC-RAM CELL HAVING SPLIT SUB-DIGITLINE例文帳に追加

分割されたサブデジットラインを有する磁気ラムセル - 特許庁

METHOD FOR FORMING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION LAYER OF MAGNETIC RAM例文帳に追加

磁気ＲＡＭの磁気トンネル接合層の形成方法 - 特許庁

MAGNETIC RAM ELEMENT HAVING REFERENCE CELL AND ITS STRUCTURE例文帳に追加

基準セルを有する磁気ラム素子及びその構造体 - 特許庁

The magnetic RAM includes a substrate consisting of a semiconductor.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、半導体からなる基板を含む。 - 特許庁

To provide a magnetic RAM having a multi-bit cell array structure.例文帳に追加

マルチビットセルアレイ構造を持つマグネチックＲＡＭを提供する。 - 特許庁

WRITING METHOD FOR MAGNETIC RAM USING BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR例文帳に追加

バイポーラ接合トランジスターを用いたマグネチックＲＡＭの動作方法 - 特許庁

MAGNETIC TUNNELING JUNCTION CELL HAVING FREE MAGNETIC FILM AND MAGNETIC RAM INCLUDING SAME例文帳に追加

フリー磁性膜を具備する磁気トンネリング接合セル及びそれを含む磁気ＲＡＭ - 特許庁

The magnetic-RAM cells having split digit lines (split sub-digit lines) are provided.例文帳に追加

分割されたデジットライン（ｓｐｌｉｔ ｓｕｂ−ｄｉｇｉｔｌｉｎｅｓ）を有する磁気ラムセルを提供する。 - 特許庁

The magnetic-RAM cell has a pair of sub-digit lines provided above a semiconductor substrate.例文帳に追加

前記磁気ラムセルは、半導体基板上部に配置された一組のサブデジットラインを具備する。 - 特許庁

MAGNETIC RAM USING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT HAVING WRITE AND READ CIRCUIT例文帳に追加

書込み及び読出し回路を有する磁気トンネル接合素子を利用した磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

To provide a magnetic RAM using a Schottky diode achieving high integration of the memory device.例文帳に追加

メモリ素子の高集積化を可能にするショットキーダイオードを用いたマグネチックＲＡＭを提供する。 - 特許庁

MAGNETIC RAM USING SPONTANEOUS HALL EFFECT, AND METHOD FOR RECORDING AND PLAYING BACK DATA BY USING IT例文帳に追加

自発ホール効果を用いた磁気ＲＡＭ及びこれを用いたデータ記録及び再生方法 - 特許庁

To provide a magnetic RAM (hereinafter MRAM) which has a plurality of resistance variation elements.例文帳に追加

本発明は複数の抵抗変化素子を有するマグネチックＲＡＭ(maguneticRAM、以下ＭＲＡＭ)と称する）に関する。 - 特許庁

MAGNETIC RAM DEVICE HAVING CONTACT PLUG BETWEEN MAGNETIC TUNNEL JUNCTION STRUCTURE AND SUBSTRATE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気トンネル接合構造体と基板との間にコンタクトプラグを有する磁気ラム素子及びその製造方法 - 特許庁

Furthermore, since the difference in spontaneous Hall voltage according to the magnetization states of the memory layers is large, the magnetic RAM has a high data-sensing margin.例文帳に追加

また、メモリ層の磁化状態による自発ホール電圧差が大きいので、高いデータセンシングマージンを有する。 - 特許庁

To provide a magnetic tunneling junction cell having a free magnetic film with a low magnetic moment and a magnetic RAM including the same.例文帳に追加

磁気モーメントの低いフリー磁性膜を具備する磁気トンネリング接合セル及びそれを含む磁気ＲＡＭを提供する。 - 特許庁

This magnetic RAM device is equipped with a semiconductor substrate and magnetic tunnel junction structure arranged on the semiconductor substrate.例文帳に追加

磁気ラム素子は、半導体基板及び前記半導体基板上に配置された磁気トンネル接合構造体を具備する。 - 特許庁

To accelerate data read from an MRAM(Magnetic RAM) device formed of a magnetic substance memory cell having a magnetic tunnel junction section.例文帳に追加

磁気トンネル接合部を有する磁性体メモリセルによって形成されるＭＲＡＭデバイスのデータ読出を高速化する。 - 特許庁

To improve reliability of reading/writing operation in an MRAM (magnetic RAM) device having a memory cell array in which a defective memory cell exists.例文帳に追加

欠陥のあるメモリセルが存在するメモリセルアレイを有するＭＲＡＭデバイスにおいて、読出しおよび書込み動作の信頼性を高めること。 - 特許庁

To provide a method of forming the MTJ cell of a magnetic RAM which is capable of turning the surface structure of a pinned magnetic layer amorphous by applying a physical impact to it.例文帳に追加

本発明は、固定磁化層表面に物理的衝突を加えて表面構造を非晶質化させるマグネチックラムのＭＴＪセル形成方法に関する。 - 特許庁

To provide a method of forming the MTJ cell of a magnetic RAM making free magnetic layers amorphous and oxidizing this to inhibit the generation of etching residues.例文帳に追加

本発明は、自由磁化層を非晶質化し、これを酸化させてエッチング残留物の発生を抑制するマグネチックラムのＭＴＪセル形成方法に関する。 - 特許庁

The magnetic RAM 300 is capable of easily writing multi-bit data in the resistance change element and reducing an effective area per bit at the time of the utilization of a plurality of resistance change elements.例文帳に追加

マグネチックＲＡＭ３００は、マルチビットデータを抵抗変化素子に容易に書き込め、複数個の抵抗変化素子の利用時にもビット当り有効面積を縮小できる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magnetic tunnel junction structure which is improved to be adaptable to a high-performance magnetic RAM element, and a magnetic tunnel junction structure manufactured with the same.例文帳に追加

高性能磁気ラム素子に適合な改善された磁気トンネル接合構造体の製造方法及びそれにより製造された磁気トンネル接合構造体を提供すること。 - 特許庁

A double annealing process is carried out to remove a magnetization probe failure while a low magnetic field is successively applied in a state wherein a magnetization probe failure occurs when a high magnetic field is applied in a process of forming the MTJ cell of a magnetic RAM having a SAF structure, so that the MTJ cell of the magnetic RAM improved in uniformity in the direction of spin can be formed.例文帳に追加

本発明は、ＳＡＦ構造のマグネチックラムのＭＴＪセル形成工程時に高い磁場の印加による磁化プローブ不良が発生した状態で順次に低い磁場の印加による２重アニーリング工程を実施して磁化プローブ不良を除去し、スピン方向の均一性を向上させたマグネチックラムのＭＴＪセルを形成することができる。 - 特許庁

A magnetic RAM 300 comprises an access transistor TR formed on a substrate, first to third resistance change elements MTJ 1-3, and first to third current impression lines CSL 1-3.例文帳に追加

基板に形成されるアクセストランジスタＴＲ、第１ないし第３抵抗変化素子ＭＴＪ１〜３及び第１ないし第３電流印加ラインＣＳＬ１〜３を備えるマグネチックＲＡＭ３００。 - 特許庁

The magnetic RAM is characterized by that the plurality of resistance variation elements which are connected in series or parallel are included in each unit cell and multi-level data are stored.例文帳に追加

単位セル当り直列又は並列に連結される複数の抵抗変化素子が包含されて多重レベルのデータを格納することを特徴とするマグネチックＲＡＭを提供する。 - 特許庁

A digitizing tablet part of the apparatus is composed of an array of magnetic RAM (MRAM) cells 212, and each of the MRAM cells 212 responds to a magnetic field 112 which is applied from the outside.例文帳に追加

本発明によれば、その装置のうちのデジタイジングタブレット部は磁気ＲＡＭ（ＭＲＡＭ）セル２１２のアレイから構成され、各ＭＲＡＭセル２１２は外部からかけられる磁界１１２に反応する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetic RAM with device characteristics and reliability improved by securing an MTJ cell region without damage to the lead layer below the MTJ layer.例文帳に追加

ＭＴＪ層下方の下部リード層の損傷を防ぎつつ、ＭＴＪセル領域を確保して、素子の特性及び信頼性を向上させることができるマグネティックＲＡＭの製造方法を提供すること。 - 特許庁

According to this setup, the problem of higher coercivity due to high integration of the magnetic RAM and a thermal instability of a cell can be solved, and the compactness of the cell can realize ultrahigh speed operation, and the simplicity of the manufacturing process can reduce production cost.例文帳に追加

本発明により、高集積による保磁性の増加及びセルの熱的安定性問題を解消することができ、セル抵抗が小さくて超高速動作が可能であり、製造工程が単純で製造コストを低減することができる。 - 特許庁

The magnetic RAM comprises: a MOS transistor; a memory layer, to which the source of the MOS transistor is connected and in which data are recorded; a heating means, which heats the memory layer; and a recording line, to which a magnetic field is applied in order to change a magnetization state of the heated area of the memory layer when data recording.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタと、このソースと連結され、データの記録されるメモリ層と、メモリ層を加熱するための加熱手段と、データ記録時に前記メモリ層の加熱された領域の磁化状態を変えるため磁気場を印加するように備えられた記録ラインを備える。 - 特許庁

The magnetic RAM using the Schottky diode includes a stacked structure of word lines, a resistance variation pattern, and bit lines and is characterized by that a resistance variation element pattern and the semiconductor layer pattern or the semiconductor layer pattern and bit lines form the Schottky diode.例文帳に追加

ワードライン、抵抗変化素子パターン、半導体層パターン及びビットラインの積層構造を含み、抵抗変化素子パターンと半導体層パターン又は半導体層パターンとビットラインはショットキーダイオードを形成することを特徴とするショットキーダイオードを用いたマグネチックＲＡＭである。 - 特許庁