1016万例文収録!

「"MICRO-CRYSTAL"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > "MICRO-CRYSTAL"に関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

"MICRO-CRYSTAL"を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 23



例文

MICRO-CRYSTAL OSCILLATOR例文帳に追加

超小型水晶発振器 - 特許庁

MICRO CRYSTAL OSCILLATOR PACKAGE例文帳に追加

超小型水晶振動子パッケージ - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING STEEL SHEET HAVING MICRO CRYSTAL GRAIN例文帳に追加

微細結晶粒を有する鋼板の製造方法 - 特許庁

CRYSTALLIZATION METHOD, CRYSTALLIZATION APPARATUS, AND MICRO-CRYSTAL例文帳に追加

晶析方法及び晶析装置並びに微小結晶 - 特許庁

例文

To provide a micro crystal oscillator package which has superior strength and is made of glass.例文帳に追加

強度に優れたガラス製の超小型水晶振動子パッケージを提供すること。 - 特許庁


例文

In the photoelectric conversion element, a light receiving layer 151c is formed of microcrystal semiconductor such as a micro crystal silicon (μ-CSi) or the like.例文帳に追加

受光層151cは、マイクロクリスタルシリコン(以下、“μ−CSi”と称す。)等の微結晶半導体から構成されている。 - 特許庁

To provide a method for producing carbon fibers having a high crystal orientation even if having a small micro-crystal size.例文帳に追加

結晶子サイズが小さいにも拘らず結晶配向度が高い炭素繊維の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor film of the driving transistor 6 is a lamination formed of a first semiconductor film 6b containing micro crystal silicon and a second semiconductor film 6c made of amorphous silicon.例文帳に追加

駆動トランジスタ6の半導体膜は、微結晶シリコンを含む第一半導体膜6bと、アモルファスシリコンからなる第二半導体膜6cとの積層体である。 - 特許庁

A photoelectric conversion element comprises a photoelectric conversion film including an organic layer comprised of an organic material wherein the organic layer is comprised of any one of a micro-crystal, polycrystal, or monocrystal of organic molecules.例文帳に追加

有機材料よりなる有機層を含む光電変換膜を有する光電変換素子であって、前記有機層が、有機分子の微結晶、多結晶、または単結晶のいずれかよりなる有機層であることを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁

例文

At least, a source terminal 64 and pixel electrode 47 of the TFT 54 are formed of a material permitting ohmic contact with a semiconductor and having conductivity, for example, micro-crystal n + silicon.例文帳に追加

少なくともTFT54のソース端子64および画素電極47は、半導体とのオーミック接触が可能でかつ導電性を有する材料、たとえば微結晶n+シリコンから形成される。 - 特許庁

例文

Then, a micro crystal silicon thin film 14 is deposited as a lower layer gate electrode, and then a metal film 15 is formed in succession as an upper layer gate electrode.例文帳に追加

次に下層ゲート電極としてマイクロクリスタルシリコン薄膜14を堆積した後、上層ゲート電極として金属膜15を続けて堆積する。 - 特許庁

The metal members constituting the vehicle body structure 100 are made of micro crystal grains of which average crystal grain size is 10 μm or less, more preferably 1 μm or less.例文帳に追加

これら車両構体100を構成する金属部材は、平均結晶粒径が10μm以下、より好ましくは1μm以下の微細化された結晶粒からなる。 - 特許庁

Properties combining advantage of a crystal structure with that of an amorphous structure can be obtained by allowing a micro crystal phase and an amorphous phase to coexist so as to obtain a volume fraction of crystal phase of 10 to 90%.例文帳に追加

結晶相の体積分率で10〜90%となるよう微細結晶相とアモルファス相を混在させることにより、結晶構造とアモルファス構造の利点を兼ね備えた物性を得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a microcrystal metallic stock capable of performing an efficient and long continuous work when an obtainable micro-crystal metallic stock is applied for the manufacture of wire and bar stock.例文帳に追加

得られる微細結晶金属材を線条体の製造に適用したとき、効率のよい長尺の連続作業を遂行することのできる微細結晶金属材の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a steel sheet having micro crystal grains by which its structure is micronized without lowering rollability using cross rolling and to provide various kinds of means suitable for implementing the manufacturing method.例文帳に追加

交叉圧延を用いて圧延性を落とさずに組織を微細化できる微細結晶粒を有する鋼板の製造方法を、その実施に好適な各種手段とともに提供する。 - 特許庁

To provide Al-Si based alloy having a fine crystal structure in which a micro-crystal structure is miniaturized by crystallizing a primary crystal α-Al, to provide a method for manufacturing the same, to provide a device for manufacturing the same, and to provide a method for manufacturing the casting of the same.例文帳に追加

初晶α−Alを晶出させることでミクロ結晶組織が微細化された微細結晶組織を有するAl−Si系合金、その製造方法、その製造装置及びその鋳物の製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, the melted semiconductor thin film 105 is cooled, and micro crystal grains S are generated adjacent to a boundary between the external area 107 and the internal area 109.例文帳に追加

次いで溶融した半導体薄膜105が冷却し外部領域107と内部領域109の境界近傍に微小結晶粒Sが生成する。 - 特許庁

As a crystal particle size of silicon forming a channel layer 141 of a peripheral TFT 110 is formed of micro crystal silicon, the variations of a threshold value voltage are suppressed to a certain degree while an on current is increased.例文帳に追加

周辺TFT110のチャネル層141を形成するシリコンの結晶粒径は、微結晶シリコンによって形成されているので、閾値電圧のばらつきをある程度抑えながら、オン電流を大きくすることができる。 - 特許庁

Furthermore, first lateral growth progresses using the micro crystal grains S as nucleus from the boundary toward the outside, and polycrystal grains L1 are generated in the external area 107.例文帳に追加

更に境界から外側に向かって微小結晶粒Sを核として第1ラテラル成長が進行し、外部領域107の部分に多結晶粒L1が生成する。 - 特許庁

To provide a fine grain dryer capable of increasing drying speed, achieving low-temperature drying, easily making a material amorphous or a micro-crystal due to high drying speed in some material to thereby improve quality and heighten an added value, further improving safety and coping with environmental measures, and especially suitable for a raw material containing a drug or a solvent.例文帳に追加

乾燥速度を速め、かつ低温乾燥ができ、さらに、物質によっては乾燥速度を早くできるためアモルファス化しやすく、或いは微小結晶化させやすくなり、高品質化、高付加価値化を実現でき、加えて、安全面の向上、環境対策に対応可能となる。 - 特許庁

This sliding member is formed by manufacturing, as a parent phase, an amorphous phase formed mainly of at least one element selected from group 3b elements and group 4b elements in the periodic table and putting, on a base material, a film formed by distributing, in the parent phase, micro crystal phase grains of nano size diameter formed mainly of a metal carbide.例文帳に追加

周期律表第IIIb族元素及び第IVb族元素から選択される少なくとも1つの元素を主要構成成分とする非晶質相を母相とし、母相中に金属炭化物を主要構成成分とするナノサイズ径の微細結晶相粒を分散させた被膜を基材上に被覆してなる摺動部材。 - 特許庁

A transparent oxide electrode 12 is provided on an insulating substrate, on which a diamond-like carbon layer 14, micro crystal p-type semiconductor layer 16, amorphous intrinsic semiconductor layer 20 and amorphous n-type semiconductor layer 22 are sequentially provided, with a metal electrode layer 24 provided on the amorphous n-type semiconductor layer 22.例文帳に追加

絶縁性基板上に透明酸化物電極12を設け、その透明酸化物電極上にダイヤモンドライクカーボン層14と微結晶p型半導体層16と非晶質真性半導体層20と非晶質n型半導体層22とを順次設け、非晶質n型半導体層22の上に金属電極層24とを設ける太陽電池装置およびその製造方法。 - 特許庁

例文

That is, a micro crystal defect existing in the surface layer part of the silicon wafer is actualized to be counted, by etching the silicon wafer surface selectively after forming the nitride film on the silicon wafer surface, in this method of inspecting the crystal defect in the surface layer part of the silicon wafer of the present invention.例文帳に追加

すなわち、本発明は、検査対象シリコンウェハ表面に窒化膜を形成した後、該シリコンウェハ表面を選択エッチングすることによりシリコンウェハ表層部に存在する微小な結晶欠陥を顕在化させて計数することを特徴とするシリコンウェハ表層部結晶欠陥検査方法である。 - 特許庁

索引トップ用語の索引



  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2024 GRAS Group, Inc.RSS