例文 (345件) |
"substrate temperature"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 345件
SUBSTRATE TEMPERATURE CONTROL DEVICE例文帳に追加
基板温度制御装置 - 特許庁
SUBSTRATE TEMPERATURE CONTROLLING METHOD例文帳に追加
基板温度制御方法 - 特許庁
SUBSTRATE TEMPERATURE CONTROLLER例文帳に追加
基板温度制御装置 - 特許庁
SUBSTRATE TEMPERATURE MEASURING APPARATUS AND SUBSTRATE TEMPERATURE MEASUREMENT METHOD例文帳に追加
基板温度計測装置及び基板温度計測方法 - 特許庁
SUBSTRATE TEMPERATURE CONTROLLER AND METHOD OF CONTROLLING SUBSTRATE TEMPERATURE例文帳に追加
基板温度調整装置および基板温度調整方法 - 特許庁
STAGE FOR SUBSTRATE TEMPERATURE CONTROL DEVICE例文帳に追加
基板温度制御装置用ステージ - 特許庁
STAGE FOR SUBSTRATE TEMPERATURE CONTROLLER例文帳に追加
基板温度制御装置用ステージ - 特許庁
SUBSTRATE HOLDER, SUBSTRATE TEMPERATURE CONTROLLER, AND SUBSTRATE TEMPERATURE CONTROL METHOD例文帳に追加
基板保持台、基板温度制御装置及び基板温度制御方法 - 特許庁
To provide a substrate temperature measuring apparatus and a substrate temperature measurement method for highly accurately measuring a substrate temperature.例文帳に追加
基板温度を高精度に計測可能な基板温度計測装置及び基板温度計測方法を提供する。 - 特許庁
SUBSTRATE TEMPERATURE DETECTING METHOD, SUBSTRATE TEMPERATURE DETECTING DEVICE, AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS PROVIDED THEREWITH例文帳に追加
基板温度検知方法および基板温度検知装置ならびにそれを用いた基板処理装置 - 特許庁
SUBSTRATE TEMPERATURE ESTIMATING APPARATUS AND ITS METHOD AND SUBSTRATE TEMPERATURE CONTROLLER USING THE SAME例文帳に追加
基板温度推定装置及び方法、並びにそれを用いた基板温度制御装置 - 特許庁
SUBSTRATE TEMPERATURE DISPLAY DEVICE, REFLOW FURNACE COMPRISING THE SAME, AND SUBSTRATE TEMPERATURE CONFIRMING METHOD IN REFLOW FURNACE例文帳に追加
基板温度表示装置およびこれを具備するリフロー炉、リフロー炉における基板温度確認方法 - 特許庁
ELECTROSTATIC CHUCK AND SUBSTRATE TEMPERATURE ADJUSTING AND FIXING DEVICE例文帳に追加
静電チャック及び基板温調固定装置 - 特許庁
SUBSTRATE TEMPERATURE CONTROL MECHANISM AND VACUUM PROCESSING APPARATUS例文帳に追加
基板温度制御機構及び真空処理装置 - 特許庁
SUBSTRATE TEMPERATURE CONTROL METHOD AND PLASMA PROCESSING APPARATUS例文帳に追加
基板温度制御方法及びプラズマ処理装置 - 特許庁
SUBSTRATE TEMPERATURE CONTROLLER, AND SEMICONDUCTOR INSPECTION APPARATUS例文帳に追加
基板温度制御装置および半導体検査装置 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR EXPOSURE, AND SUBSTRATE TEMPERATURE REGULATOR例文帳に追加
露光方法及び装置、並びに基板温度調整装置 - 特許庁
SUBSTRATE SUPPORTING DEVICE AND SUBSTRATE TEMPERATURE CONTROL METHOD例文帳に追加
基板保持装置及び基板温度制御方法 - 特許庁
SUBSTRATE HEAT TREATMENT APPARATUS AND SUBSTRATE TEMPERATURE MEASURING METHOD例文帳に追加
基板熱処理装置および基板温度測定方法 - 特許庁
METHOD OF CONTROLLING SUBSTRATE TEMPERATURE AND ITS APPARATUS例文帳に追加
基板の温度を制御する方法及び装置 - 特許庁
SUBSTRATE TEMPERATURE-CONTROLLING DEVICE AND ITS CONTROLLER例文帳に追加
基板温度制御装置及びそのコントローラ - 特許庁
VAPOR PHASE EPITAXIAL GROWTH SYSTEM AND SUBSTRATE TEMPERATURE MEASURING METHOD例文帳に追加
気相成長装置および基板温度測定方法 - 特許庁
THERMAL PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE TEMPERATURE MEASUREMENT METHOD例文帳に追加
熱処理装置および基板温度測定方法 - 特許庁
SUBSTRATE PROCESSOR AND SUBSTRATE TEMPERATURE MEASUREMENT例文帳に追加
基板処理装置および基板温度計測方法 - 特許庁
The previous value of the substrate temperature sensor stored as a referential value of the substrate temperature sensor is employed for estimation operation of the substrate temperature until an abnormality of the substrate temperature sensor detected by a substrate temperature sensor abnormality detection means continues a predetermined time or longer.例文帳に追加
そして、基板温度センサ異常検出手段が検出した基板温度センサ異常が所定時間以上継続するまで、基板温度センサの基準値として記憶した基板温度センサの前回値を、基板温度の推定演算に使用する。 - 特許庁
The thin film layers are formed respectively after the formation of the barrier layer, during decrease in a substrate temperature and after the formation of the well layer, and during increase in the substrate temperature.例文帳に追加
薄膜層は、障壁層の形成後、基板の降温時と井戸層の形成後、基板の昇温時にそれぞれ形成される。 - 特許庁
To provide a method for controlling a substrate temperature, which can control the substrate temperature in the temperature range of 200-500°C, at high speed and with high accuracy.例文帳に追加
200〜500℃の温度範囲で、高速かつ高精度に基板温度を制御可能な基板温度制御を提供する。 - 特許庁
At this time, temperature control is performed in such a manner that the substrate temperature attains a minimal value and thereafter the substrate temperature is changed to photoconductive layer conditions.例文帳に追加
この際、基板温度が極小値をとるように温度制御した後、基板温度を光導電層条件へと変化させる。 - 特許庁
ELECTROSTATIC CHUCK AND ITS MANUFACTURING PROCESS, AND SUBSTRATE TEMPERATURE CONTROLLING/FIXING DEVICE例文帳に追加
静電チャック及びその製造方法、及び基板温調固定装置 - 特許庁
TEMPERATURE SETTING SUBSTRATE, TEMPERATURE SETTING DEVICE, REFLOW FURNACE, AND TEMPERATURE SETTING SYSTEM例文帳に追加
温度設定用基板、温度設定装置、リフロー炉、及び温度設定システム - 特許庁
In S4, a substrate temperature sensor 69 detects the temperature of a sensor substrate.例文帳に追加
S4では、基板温度センサ69によりセンサ基板の温度を検出する。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS, SUBSTRATE TEMPERATURE ADJUSTMENT METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
半導体製造装置及び基板温度調整方法及び半導体装置 - 特許庁
METHOD FOR MEASURING SUBSTRATE TEMPERATURE BY VACUUM FILM DEPOSITION SYSTEM AND VACUUM FILM DEPOSITION SYSTEM例文帳に追加
真空成膜装置での基板温度測定方法、及び真空成膜装置 - 特許庁
The amorphous silicon film is deposited at a substrate temperature of approximately 50°C or less.例文帳に追加
アモルファスシリコン膜は、約500℃以下の基板温度で堆積される。 - 特許庁
Thus, even when the shutter is opened, any variation of the substrate temperature can be suppressed.例文帳に追加
これにより、シャッターを開いても基板温度の変動を抑制できる。 - 特許庁
To provide a lithographic apparatus capable of controlling a substrate temperature.例文帳に追加
基板の温度を制御することができるリソグラフィ装置を提供する。 - 特許庁
SUBSTRATE TEMPERATURE DETECTION DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD AND METHOD FOR DETECTING TEMPERATURE OF SUBSTRATE例文帳に追加
基板温度検出装置、その製造方法及び基板温度検出方法 - 特許庁
SUBSTRATE TEMPERATURE ADJUSTING UNIT, STAGE UNIT, EXPOSURE UNIT, AND MANUFACTURING METHOD OF DEVICE例文帳に追加
基板温調装置、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 - 特許庁
The substrate temperature is changed from the first temperature to the second temperature.例文帳に追加
基板温度は、第1温度から第2温度への変更がなされる。 - 特許庁
METHOD FOR CALCULATING SUBSTRATE TEMPERATURE DATA AND VAPOR PHASE GROWTH APPARATUS例文帳に追加
基板温度データの演算方法および気相成長装置 - 特許庁
METHOD FOR MONITORING THIN-FILM THICKNESS AND METHOD FOR MEASURING SUBSTRATE TEMPERATURE例文帳に追加
薄膜の膜厚モニタリング方法及び基板温度測定方法 - 特許庁
To provide a substrate temperature controller for controlling substrate temperature through mitigation of influence of charging by a circulating medium, and to provide a semiconductor inspection apparatus using the substrate temperature controller.例文帳に追加
循環する媒体による帯電の影響を緩和した、基板の温度を制御する基板温度制御装置と、当該基板温度制御装置を用いた半導体検査装置を提供する。 - 特許庁
The growth of the first semiconductor is ceased, and the substrate temperature is changed to a second substrate temperature that is different from the first substrate temperature while a V group element material is supplied to the surface of the first semiconductor.例文帳に追加
第1の半導体の成長を停止させ、第1の半導体の表面に、V族元素の原料を供給しながら、基板の温度を、第1の基板温度とは異なる第2の基板温度に変化させる。 - 特許庁
The substrate temperature is measured by a contactless thermometer 17 just before a gate valve 16 is opened.例文帳に追加
ゲートバルブ16を開く直前に、非接触温度計17により基板温度を測定する。 - 特許庁
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