「"substrate temperature"」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

An Si thin film 2 of thickness 100 nm is formed on a sapphire substrate 1 of thickness 300 μm, and an AlN intermediate layer 3 of thickness 200 nm is grown in crystal on the Si thin film 2 at a substrate temperature of 1000°C.例文帳に追加

厚さ３００μｍのサファイア基板１上に、厚さ１００ｎｍのＳｉ薄膜２を形成し、基板温度１０００℃で，Ｓｉ薄膜２上に厚さ２００ｎｍのＡｌＮ中間層３を結晶成長する。 - 特許庁

The lamp power control section lights the lamp section intermittently and controls irradiation intensity of the lamp section depending on the substrate temperature calculated on the basis of radiation light received by the temperature sensor when the lamp section is not lighting.例文帳に追加

ランプパワー制御部は、ランプ部を間欠的に点灯し、ランプ部を点灯していない時に温度センサの受光した輻射光に基づき算出した基板温度に応じて、ランプ部の照射強度を制御する。 - 特許庁

According to the thus composed substrate for growing carbon nanotubes, the catalyst metal layer 103 on the silicon oxide film 102 is diffused and disappears at a stage for raising the substrate temperature in the growing of carbon nanotubes by a well known catalyst metal method.例文帳に追加

このように構成されたカーボンナノチューブ成長用基板によれば、よく知られた触媒金属法によるカーボンナノチューブの成長において、基板温度を上昇させる段階で、シリコン酸化膜１０２の上の触媒金属層１０３は、拡散して消滅する。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck having a ceramic board for mounting a substrate in which temperature variation of a substrate mounted on the substrate mounting surface can be reduced, and to provide a substrate temperature controlling/fixing device.例文帳に追加

本発明は、基板を載置するセラミック板を有した静電チャック及び基板温調固定装置に関し、基板載置面に載置された基板の温度ばらつきを低減することができる静電チャック及び基板温調固定装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

An amorphous oxide film containing vanadium as a main component and having a high resistance temperature coefficient of ≥-5%/°C and a low resistivity is formed by spattering a vanadium oxide target at a substrate temperature of <300°C in an atmospheric gas containing oxygen in a pressure of ≥8 mTorr.例文帳に追加

３００℃未満の基板温度で酸化バナジウムターゲットを８ｍＴｏｒｒ以上の圧力の酸素を含む雰囲気ガス中でスパッタリングして、−５％／℃以上の高い抵抗温度係数および低い比抵抗を有するバナジウムを主成分とした非晶質の酸化物膜を成膜する。 - 特許庁

Thereafter, trimethylgallium, ammnonia and silane are introduced, while the substrate temperature of 1,050°C and pressure in the furnace are maintained at 1,050°C and 30 kPa, respectively, and a GaN buffer layer 3 of 1 micrometer thickness is grown on the substrate 1.例文帳に追加

その後、摂氏１０５０度の基板温度を摂氏１０５０度、炉内圧力を３０キロパスカルに保持したまま、トリメチルガリウム、アンモニア、シランを導入して、厚さ1マイクロメートルの型ＧａＮバッフア層３を基板１に成長する。 - 特許庁

This method is characterized by controlling a refraction index of a formed GeN thin film through controlling a nitro-pressure, a substrate temperature, and a high frequency output, with reactive high-frequency ion plating using Ge for an evaporation source in an atmosphere of introduced nitrogen gas.例文帳に追加

窒素ガスを導入した雰囲気で蒸発源としてＧｅを用いる反応性高周波イオンプレーティングであって、窒素ガス圧、基板温度および高周波出力を制御することで、屈折率を制御してＧｅＮ薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide a heating assembly which is used for rapid thermal processing a semiconductor substrate, hardly deteriorated in performance even when operated in a vacuum, and capable of keeping an optimal output in accordance with controlling a substrate temperature much better.例文帳に追加

半導体基板の急速熱処理で使用される加熱アセンブリであって、真空中で動作した場合であってもヒータアセンブリの劣化がなく、基板の温度をよりよく制御しながら最適の出力を維持できる加熱アセンブリを提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering device and a thin film forming method, wherein a multilayer film having a clean interface can be formed at a substrate temperature optimal for each film quality, and a predetermined surface treatment can be continuously carried out on a deposited film surface.例文帳に追加

本発明は、清浄な界面を有する多層膜をぞれぞれの膜質に最適な基板温度で形成することができ、また、堆積した膜表面に所定の表面処理を連続的に施すことができるスパッタリング装置及び薄膜形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

For example, when mixed gas (air containing water vapor) containing condensable gas at partial pressure slightly lower than vapor pressure at substrate temperature is supplied onto the silicon oxide film 2 under the condition of the substrate cooled, the liquid phase 4 is formed only around a contact 10 owing to capillary condensation.例文帳に追加

例えば、基板冷却下で、基板温度における蒸気圧よりわずかに小さい分圧で凝縮性ガスを含んでいる混合ガス（例えば、水蒸気を含む空気）を酸化シリコン膜２上に供給すると、毛管凝縮によって接点１０の周囲にのみ液体相４が形成される。 - 特許庁

A first interlayer dielectric is formed on a semiconductor substrate having a semiconductor element formed thereon, and a tantalum nitride film is formed on the first interlayer dielectric by first sputtering at a substrate temperature from a normal temperature to 400°C with a nitride gas partial pressure ratio of 3-10% in a reaction gas.例文帳に追加

半導体素子が形成された半導体基板上に第１層間絶縁膜を形成し、基板温度を常温から４００℃までの温度に設定し、反応ガス中の窒素ガス分圧比を３乃至１０％として、第１スパッタリングにより、前記第１層間絶縁膜上に窒化タンタル膜を形成する。 - 特許庁

Further, since the substrate temperature is raised to 500°C, a silicon oxide layer having high reliability as an interlayer insulating layer 211 is formed without generating the hillock in the AlNd layer 203, and thereby a highly reliable TFT 220 is provided.例文帳に追加

また、基板温度を５００℃まで上げられることから、層間絶縁層２１１として信頼性が高い酸化シリコン層をＡｌＮｄ層２０３にヒロックを発生させることなく形成することができ、信頼性が高いＴＦＴ２２０を提供することが可能となる。 - 特許庁

In an oxidation furnace 13 of a process system 1 which forms the Ge oxide film on the surface of the Ge substrate 2, the Ge oxide film is formed on the surface of the substrate by supplying an ozone gas from an ozone supply device 11 to the Ge substrate 2 under a pressure of ≤1,000 Pa at a substrate temperature of ≤300°C.例文帳に追加

Ｇｅ基板２の表面にＧｅ酸化膜を形成するプロセスシステム１の酸化炉１３において、１０００Ｐａ以下の圧力及び３００℃以下の基板温度のもとでＧｅ基板２にオゾン供給装置１１からオゾンガスを供して当該基板の表面にＧｅ酸化膜を形成する。 - 特許庁

A mounting base 2 capable of controlling substrate temperature, a substrate 3, a tungsten wire 4 used as heat catalyst, and a gas inlet 5 are prepared within a chamber 1, and a gas introducing pipe 6 connecting to the gas inlet 5 and an exhaust pipe 7 for pressure reduction are arranged in the chamber.例文帳に追加

チャンバー１内に基板温度を制御し得る載置台２、基板３、熱触媒となるタングステンワイア４、および気体導入口５を備え、また、チャンバーには、気体導入口５につながる気体導入配管６および減圧用排気管７を配備している。 - 特許庁

To provide a catalytic chemical vapor deposition method and a catalytic chemical vapor deposition device in which the control of a substrate temperature can easily be performed without the limitation of substrate materials, the efficiency of energy is high while increasing a thin film deposition rate, and the stabilization of film performance is possible.例文帳に追加

基板材料の制約がなく、基板温度の制御が容易にでき、薄膜形成速度を増大させながらエネルギー効率がよく、皮膜性能の安定化が可能な触媒化学気相成長方法および触媒化学気相成長装置を提供する。 - 特許庁

In the pattern forming method, when the at least one photosensitive resin layer contains a naphthoquinonediazido derivative, in the step of transferring the photosensitive transfer material, a substrate temperature is 120-180°C, a roll temperature is 130-160°C, or a conveyance speed is 1-2 m/min.例文帳に追加

また、少なくとも一層のナフトキノンジアジド誘導体を含む感光性転写材料の転写工程の基板温度が１２０℃以上１８０℃以下、又はロール温度が１３０℃以上１６０℃以下又は搬送速度が１ｍ／分以上２ｍ／分以下であるパターン形成方法。 - 特許庁

A CVD method is carried out by using Cu (hfac) tmvs as VCD material and setting a substrate temperature at a temperature in the vicinity of a boundary temperature, at which a governing mechanism of Cu layer deposition reaction on a substrate surface varies from a surface reaction governing type to a source material supply governing type, or a temperature higher therethan.例文帳に追加

Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓをＣＶＤ原料として使い、基板温度を基板表面におけるＣｕ層の堆積反応の律速機構が表面反応律速型から原料供給律速型に変化する境界温度近傍の温度、あるいはそれ以上の温度に設定してＣＶＤ法を実行する。 - 特許庁

To obtain a zirconium complex having a broad temperature range in which the amount of deposited zirconium has no change depending on substrate temperature and which is overlapped to the temperature range having no change in the amount of deposited lead and titanium in preparing a PZT (plumbum zirconate titanate)-based thin film by solution vaporization CVD (chemical vapor deposition) method.例文帳に追加

溶液気化ＣＶＤ法によるＰＺＴ系薄膜の作製において基板温度に対するジルコニウム堆積量の変化がない温度範囲が広く、かつその温度領域が基板温度に対する鉛、チタン堆積量の変化がない温度範囲と重なる範囲が広いジルコニウム錯体を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the electronic component comprises an electrode film forming process for forming the electrode film consisting of the α phase tungsten on a substrate at the substrate temperature of 100-300°C by a sputtering method; a process for working the electrode film into a desired shape; and a process for heat-treating the electrode film.例文帳に追加

基板上に、α相タングステンからなる電極膜を１００〜３００℃の基板温度でスパッタリング法により形成する電極膜形成工程と、該電極膜を所望の形状に加工する工程と、電極膜を熱処理する工程とを備える、電子部品の製造方法。 - 特許庁

Depositing rate in each metallic component in the precursor solution, is decided and a MOCVD for controlling the PCMO composition is provided by deciding the mole ratio of a metal based on respective depositing rates and the deposited PCMO composition in the temperature range of a substrate temperature and a vaporizer temperature.例文帳に追加

プリカーサ溶液内の各金属成分の堆積速度を決定し、基板温度および蒸発器温度の温度範囲内でそれぞれの堆積速度ならびに堆積されるＰＣＭＯの組成に基づいて金属のモル比を決定することによって、ＰＣＭＯの組成を制御するＭＯＣＶＤプロセスが提供される。 - 特許庁

To deposit a high reflection optical thin film having high reflectivity without the occurrence of a face change of an oxide substrate by establishing a deposition method capable of eliminating the "water molecules etc.," existing at the boundary between the oxide substrate and the high reflection optical thin film at a substrate temperature <200°C.例文帳に追加

酸化物基板と高反射光学薄膜との界面に存在する「水分子等」を、基板温度200℃未満でなくすことができる成膜方法を確立し、酸化物基板の面変化を発生させることなく高い反射率を有する高反射光学薄膜を成膜することである。 - 特許庁

In a method for manufacturing the semiconductor device for forming a semiconductor element on the substrate, temperature is increased step-by-step to heat the substrate 1, by transporting the substrate on heating boards 304, 305, and 306 during heat treatment of the substrate 1.例文帳に追加

基板上に半導体素子を形成する半導体装置の製造方法において、加熱による前記基板１の加熱処理時に、加熱基板３０４、３０５、３０６上を搬送することで、段階的に上昇する加熱を前記基板１に施す。 - 特許庁

This electron emitter material is a pyramid shape structural body of which the surface is covered by a CN layer of around several nanometers obtained by controlling H/N radical density ratio and substrate temperature and by etching an organic material by N-H series plasma.例文帳に追加

Ｈ／Ｎラジカル密度比と基板温度を制御して、有機材料をＮ−Ｈ系プラズマでエッチングして得られる、表面が数ｎｍ程度のＣＮ層で覆われたピラミッド状の構造体であることを特徴とする電子放出素子材料。 - 特許庁

The film is prepared by forming a thin film on a substrate by using a target comprising an oxide having a fluorite structure and sputtering under a sputter gas pressure of 1.0×10^-2-3×10^-1 Torr (1.3-40.0 Pa) at a substrate temperature of 200-900°C.例文帳に追加

このような酸化物薄膜は、蛍石型構造を持つ酸化物からなるターゲットを用いて、スパッタガス圧が１．０×１０^−２〜３×１０^−１Ｔｏｒｒ（１．３〜４０．０Ｐａ）、基板温度が２００〜９００℃の条件下でスパッタリングすることにより、基板上に薄膜を成膜することにより得られる。 - 特許庁

This can realize a high workability of resist stripping at a high etching rate of 500 nm/min in etching speed within a range of 150-250°C in substrate temperature when a density of hydrogen radical (H^*) is appropriately selected in a range of 10^13 cm^-3 to 10^15 cm^-3 in high density.例文帳に追加

これにより、水素ラジカル（Ｈ^*）の密度が１０^13cm^-3〜１０^15cm^-3の高密度の範囲で適宜選定すると、基板温度１５０〜２５０℃の範囲でエッチング速度５００ｎｍ／ｍｉｎ．以上の高エッチングレートによるレジスト剥離の高作業性を実現することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electrode plate for a liquid crystal display, by which the deterioration in the characteristics of a TFT element can be suppressed even when a color filter is formed at low substrate temperature at which a color filter is not discolored, when the TFT element is formed on a glass substrate on which the color filter is formed.例文帳に追加

カラーフィルタが形成されたガラス基板上にＴＦＴ素子を形成する際に、カラーフィルタを変色、褪色させない低い基板温度で成膜しても、ＴＦＴ素子の特性の低下を少なくする液晶表示装置用電極板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In an inert-gas feeding line 14 for purges provided independently of a gas feeding line 15 for metal raw materials and a water feeding line 16, an inert gas is so heated to a temperature higher than a substrate temperature by a heat exchanger 8 provided just before a film forming chamber 1 as to feed it to the film forming chamber 1.例文帳に追加

金属原料ガス供給ライン１５及び水供給ライン１６とは別個に設けられたパージ用不活性ガス供給ライン１４において、成膜室１直前に設けられた熱交換器８により不活性ガスを基板温度以上の温度に加熱し、成膜室１に供給する。 - 特許庁

The substrate W is placed in a standby state in a hot plate HP1 in this state until the substrate temperature is decreased to at least a temperature at which the generation of the sublimate is stopped, from the antireflection film after the stoppage of firing, and thereafter, a transport robot transports the substrate W from the hot plate HP1.例文帳に追加

この状態にて焼成後の反射防止膜から昇華物の発生が停止する温度以下に基板温度が降温するまでホットプレートＨＰ１内に基板Ｗを待機させてから搬送ロボットがホットプレートＨＰ１から基板Ｗを搬出する。 - 特許庁

Furthermore, while heating the substrate 6 with a substrate heater 7 so that the substrate temperature exceeds the melting point of the compound of the halogen gas and the substrate material, the surface of the substrate 6 is processed by using the plasma 15 that is generated between the electrode 2 and the substrate 6.例文帳に追加

そして、上記ハロゲンガスと基板材料との化合物の沸点以上の温度になるように基板６を基板ヒータ７により加熱しながら、電極２と基板６との間に生成されたプラズマ１５により基板６の表面を加工する。 - 特許庁

The substrate temperature-control securing device includes a base on which an object to be attracted is mounted, the adhesion layer, and a base plate, and has the base fixed on the base plate with the adhesion layer interposed, the adhesion layer contains a substance having plasma resistance.例文帳に追加

吸着対象物が載置される基体と、接着層と、ベースプレートとを有し、前記基体は、前記接着層を介して前記ベースプレート上に固定されている基板温調固定装置であって、前記接着層は、耐プラズマ性を有する物質を含有することを特徴とする。 - 特許庁

Polished surface of the GaN single crystal substrate 11 is subjected to heat treatment at ≥990°C and ≤1,010°C substrate temperature in an atmosphere of a mixed gas containing at least a NH_3 gas and a plurality of holes 13 are formed on the surface.例文帳に追加

本発明に係るＧａＮ単結晶基板１１は、研磨された表面が、少なくともＮＨ_３ガスを含む混合ガス雰囲気中、基板温度９９０℃以上１０１０℃以下で熱処理されて、表面に複数の孔１３が形成されている。 - 特許庁

A Bi_0.5Sr_0.5MnO_3 thin film can be manufactured on an SrTiO_3 substrate under such conditions that the substrate temperature at the time of growth of the thin film is ≥450 and ≤600°C, the oxygen pressure in the atmosphere is ≥10 mTorr(1.33322 Pa) and ≤20 mTorr(2.66644 Pa).例文帳に追加

薄膜成長時の基板温度を４５０℃以上６００℃以下、雰囲気中の酸素圧を１０ｍＴｏｒｒ（１.３３３２２Ｐａ）以上、２０ｍＴｏｒｒ（２.６６６４４Ｐａ）以下の条件下でＳｒＴｉＯ_3基板上にＢｉ_0.5Ｓｒ_0.5ＭｎＯ_3薄膜を製造することができる。 - 特許庁

With respect to the heat treatment method, a wafer 10 is introduced supportively in an under low-temperature region (position B in the vertical direction) of a temperature space 8, which is present in a radiation equilibrium state formed, by a heating means 4 in a chamber 2 to increase gradually its substrate temperature to 750-800°C.例文帳に追加

加熱手段４によりチャンバ２内に形成された放射平衡状態にある温度空間８の下部低温域（鉛直方向位置Ｂ）に、ウエハ１０を導入して保持し、基板温度を７５０℃〜８００℃まで、緩やかに上昇させる。 - 特許庁

To provide a method of application of a film to a sheet-shaped organic EL structure (substrate) under vacuum, wherein the film has high quality by increasing of density, reduction of film porosity and internal stresses therein, and reduction of the substrate temperature during the process of application of the film coating on its surface.例文帳に追加

シート状の有機ＥＬ構造体（基板）の面に真空下で成膜される薄膜の密度が高く、薄膜気孔率および内部応力が低く、成膜プロセス中に基板温度が低下することにより高品質な薄膜及び基板面への薄膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

Then, while the substrate temperature of 1,050°C is held at 1,050°C and the internal pressure in the furnace is held at 30 kPa as they are, a trimethyl gallium, an ammonia and a silane are introduced, and an n-type GaN buffer layer 3, having a thickness of 1 μm, is grown on the substrate 1.例文帳に追加

その後、摂氏１０５０度の基板温度を摂氏１０５０度、炉内圧力を３０キロパスカルに保持したまま、トリメチルガリウム、アンモニア、シランを導入して、厚さ1マイクロメートルの型ＧａＮバッフア層３を基板１に成長する。 - 特許庁

Furthermore, a film formation rate on a surface of the substrate is raised due to an improvement of the sputtering efficiency resulting from an increase of sputtering particles around the target, and the rise of the substrate temperature can be controlled in minimum due to the inhibition of plasma scattering toward the vicinity of the substrate.例文帳に追加

そして、ターゲット近傍におけるスパッタ粒子が増加して、スパッタの効率を向上するため基板表面における成膜速度を高めることができ、且つ、基板近傍へのプラズマの拡散を抑止することにより、基板温度の上昇を最小限に抑えることが可能となる。 - 特許庁

This device is equipped with a substrate temperature fluctuation reducing means for reducing ascending or descending fluctuation in the temperature of a film substrate 10 heated in an upstream processing process, in one or more portions of a roll transfer process between an unwinding chamber of a film substrate and a winding chamber.例文帳に追加

フィルム基板の巻出し室と巻取り室との間のロール搬送処理工程上の少なくとも一部に、上流の処理工程において加熱されたフィルム基板１０の上昇または降下の温度差を低減させる基板温度差低減手段を備える。 - 特許庁

In this method, a substrate temperature is set to 400°C or higher, and the absorption layer 4 made of a group I-III-VI_2 compound and the buffer layer 3 made of a group II-III_2-VI_4 compound are continuously formed in the same apparatus by a vapor deposition process.例文帳に追加

当該製造方法において、基板温度を４００℃以上に設定し、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ_2族化合物からなる光吸収層４、およびＩＩ−ＩＩＩ_2−ＶＩ_4族化合物からなるバッファ層３を蒸着法により同一装置において連続的に形成する。 - 特許庁

The cooling method of the substrate includes the steps of dividing cooling plates 2a, 2b into nine in all to a substrate region, dividing them into four regions and controlling the temperature so that the temperature become higher toward the periphery of the substrate, and cooling the substrate in the state that the substrate temperature is maintained uniformly.例文帳に追加

冷却プレート２ａ，２ｂをそれぞれ基板領域に合わせて９分割し、それらを４つの領域に分けて基板周辺部へ至るにしたがって温度が高くなるように温度制御することで、基板温度を均一に維持した状態で冷却する。 - 特許庁

Also, a bias RF power to be impressed to a substrate is controlled within a range from 50W to 200W, and the gas pressure of source gas is controlled so as to be 532mPa(40mTorr) or less, and a substrate temperature is controlled so as to be 60°C or less so that further the film damage can be suppressed.例文帳に追加

また、基板に印加するバイアスＲＦ電力を５０〜２００Ｗの範囲内に制御し、ソースガスのガス圧力を５３２ｍＰａ（４０ｍＴｏｒｒ）以下に制御し、基板温度を６０℃以下に制御することで、さらなる膜ダメージの抑制が可能になる。 - 特許庁

This apparatus has a pretreatment chamber 1, an ultrasonic cleaning chamber 2, a pure-water cleaning chamber 3, a first liquid cut-off chamber 4, a post-treatment chamber 5, a second liquid cut-off chamber 6, a substrate-temperature elevating chamber 7, and a substrate cooling chamber 8 in this order in the direction of conveying a substrate 10.例文帳に追加

洗浄装置は、前処理室１、超音波洗浄室２、純水洗浄室３、第一液切り室４、後処理室５、第二液切り室６、基板昇温室７、および、基板冷却室８を、基板１０の搬送方向に沿ってこの順に備えている。 - 特許庁

In the growth method of the nitride semiconductor thin film, TMG or TEG is supplied to a terrace 202 formed in a restricted region 102 by a step-flow growth (a first growth step) of a GaN substrate 101 having a mis-cutting at a second set value T2 which is a substrate temperature lower than that of the first growth step.例文帳に追加

ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（第１の成長工程）により制限領域１０２内に形成されたテラス２０２に、第１の成長工程よりも低い基板温度である第２の設定値Ｔ２でTMG又はTEGを供給する。 - 特許庁

To provide a method of producing a transparent electroconductive film, by which crystallization of an a-Si layer being a ground layer is prevented, and the diffusion of an impurity doped is suppressed, and to provide the transparent electroconductive film exhibiting a low resistivity at a substrate temperature of about 150°C and high transmissivity when its thickness is ≤100 nm.例文帳に追加

下地層としてのａ−Ｓｉ層を結晶化させることなく、かつドーピングした不純物の拡散を生じない透明導電膜の製造方法、および約１５０℃の基板温度で低抵抗であり、かつ膜厚１００ｎｍ以下で高透過率を示す透明導電膜を提供する。 - 特許庁

The temperature measuring circuit includes the temperature sensor which is held inside a substrate circuit case and an ambient temperature estimating part which estimates the ambient temperature being the temperature of the outside of the substrate circuit case, based on a substrate temperature being the temperature measured by the temperature sensor.例文帳に追加

温度測定回路が、基板回路ケースの内部に収容されている温度センサと、温度センサが測定した温度である基板温度に基づいて、基板回路ケースの外部の温度である周囲温度を推定する周囲温度推定部と、を有する。 - 特許庁

A nitride semiconductor substrate having a two-monolayer step structure on the substrate surface is obtained by heat treating a GaN single crystal substrate 1 having a polished substrate surface in an atmosphere containing H_2 gas at a substrate temperature of 800°C or higher and 1,000°C or lower.例文帳に追加

基板表面が研磨されたＧａＮ単結晶基板１をＨ2ガスを含んだ雰囲気中、基板温度８００℃以上１０００℃以下で熱処理することにより、基板表面が２モノレイヤーステップ構造となった窒化物系半導体基板が得られる。 - 特許庁