「"substrate temperature"」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

An image processing part 30 detects a pedestrian on the basis of a thermal image generated by a far infrared light image sensor 20 in the state of a substrate temperature Ta.例文帳に追加

画像処理部３０は、基板温度Ｔａの状態で遠赤外線イメージセンサ２０により生成された熱画像に基づいて、歩行者を検出する。 - 特許庁

The ITO film is evaporated onto a crystalline substrate (e.g. YSZ single crystal substrate) at 500 to 1,000°C substrate temperature using a pulsed laser assisted vapor deposition method.例文帳に追加

パルス・レーザー・蒸着法を用いて結晶性基板（例えば、ＹＳＺ単結晶基板）上に基板温度５００〜１０００℃においてＩＴＯ膜を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus which prevents the increase of a substrate temperature to suppress thermal budget and heats the substrate evenly, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

基板温度の上昇を抑えサーマルバジェットを抑制しつつ、基板を均一に加熱することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, a radiation thermometer 37 receives only a radiation light ray from the substrate W, accurately detects a radiation light ray intensity from the substrate W and can accurately measure the substrate temperature.例文帳に追加

これによって、放射温度計３７が基板Ｗからの放射光のみを受光することとなり、基板Ｗからの放射光強度を正確に検出して高い精度にて基板温度を計測することができる。 - 特許庁

To make it possible to measure a constantly right substrate temperature without adjusting the focal position of a noncontact radiation thermometer even if a substrate processing position changes depending on a substrate processing condition.例文帳に追加

基板処理条件によって基板処理位置が変わっても、非接触放射温度計の焦点位置を調整することなく、常に正しい基板温度を測定することを可能とする。 - 特許庁

In the substrate pretreatment washing process when semiconductor devices are prepared, a substrate temperature is maintained from the room temperature to 1200°C, and ultraviolet rays are applied onto the substrate surface for carrying out ozone exposure.例文帳に追加

半導体デバイス作製時の基板前処理洗浄工程おいて、基板温度を室温から1200℃の範囲に保ち、基板表面に紫外線を照射しつつオゾン暴露を行う。 - 特許庁

Related to the method for manufacturing it, a crystallite silicon layer of refractive index 3 or below is provided by film-forming at a hydrogen dilution rate 100 times or less at a substrate temperature 100°C or below.例文帳に追加

製造方法としては，１００℃以下の基板温度、且つ１００倍以下の水素希釈度で製膜することにより、屈折率が３以下の微結晶シリコン層が得られる。 - 特許庁

A substrate temperature sensor 31 and a cover temperature sensor 32 are set at the head substrate 41 and the head cover 42, respectively to measure respective temperatures.例文帳に追加

ヘッド基板４１と、ヘッドカバー４２には、それぞれ基板温度センサ３１及びカバー温度センサ３２が設けられており、それぞれの温度を測定する。 - 特許庁

With a substrate temperature (film forming temperature) being kept at about 370°C by an ECR sputtering, a metal oxide (SBT) consisting of strontium (Sr), bismuth (Bi), tantalum (Ta), and oxygen (O) is deposited on a substrate 101.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ法により基板温度（成膜温度）を３７０℃程度とした状態で、ストロンチウム（Ｓｒ）とビスマス（Ｂｉ）とタンタル（Ｔａ）と酸素（Ｏ）とからなる金属酸化物（ＳＢＴ）を基板１０１の上に堆積する。 - 特許庁

A base contact portion 15 is formed by implanting Al ions at an impurity concentration of 2e20 cm^-3 while holding the substrate temperature between 400-800°C.例文帳に追加

基板温度を４００℃以上８００℃以下に保持しつつ、不純物濃度が２ｅ２０ｃｍ^-3以上のＡｌイオンをイオン注入することで、ベースコンタクト部１５を形成する。 - 特許庁

Then the substrate temperature is adjusted by means of alternative molecular epitaxy to a temperature suitable for growing II-VI semiconductor and crystalline II-VI semiconductor buffer layer (16) is grown on the III-V buffer layer.例文帳に追加

基板の温度を交互分子線エピタキシーによってＩＩ−ＶＩ半導体成長に適切な温度まで調整し、結晶質ＩＩ−ＶＩ半導体バッファ層（１６）をＩＩＩ−Ｖバッファ層上に成長させる。 - 特許庁

After transmission stops, the transmitting/receiving part 60 receives an electromagnetic wave from the temperature detecting element 80 via the sensor coil 72 and a temperature calculating part 69 calculates a substrate temperature based on the frequency of such electromagnetic wave.例文帳に追加

送信停止後、検温素子８０からの電磁波をセンサコイル７２を介して送受信部６０が受信し、その電磁波の周波数に基づいて温度算定部６９が基板温度を算定する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step of forming a barrier metal on a polysilicon plug via a contact metal, and a step of performing heat treatment to the barrier metal in a nitriding atmosphere at a substrate temperature of 500°C or higher.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、ポリシリコンプラグ上に、コンタクトメタルを介してバリアメタルを形成するステップと、基板温度を５００℃以上として、バリアメタルを窒化性ガス雰囲気下で熱処理するステップとを有する。 - 特許庁

The electroless deposition station also includes various fluid delivery devices and substrate temperature controlling devices to perform a contamination-free and uniform electroless deposition process.例文帳に追加

また、無電界堆積ステーションは、汚染のない均一な無電界堆積プロセスを遂行するために種々の流体配送及び基板温度制御装置も備えている。 - 特許庁

With the active layer 5 includes a quantum well layer of 10 nm or less, the contact layer 9 is growth through the temperature difference LPE with a substrate temperature of 700°C or less.例文帳に追加

さらに、活性層５が厚さ１０ｎｍ以下の量子井戸層を含む場合には、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層９を基板温度７００℃以下の温度差ＬＰＥ法により成長させる。 - 特許庁

A silicon nitride film used in an etching stopper film is formed by a Catalytic-CVD method at a substrate temperature of 250-400°C and a catalyst temperature of 1,600-2,000°C.例文帳に追加

本発明は、エッチングストッパー膜に用いたシリコン窒化膜を触媒ＣＶＤ（Ｃａｔａｌｙｔｉｃ−ＣＶＤ）法により、基板温度２５０〜４００℃、触媒体温度１６００〜２０００℃で成膜する。 - 特許庁

At that time, the ALD method and the MOCVD method are continuously carried out essentially at the same substrate temperature in one and the same film formation apparatus without being exposed to the air in the middle of the process.例文帳に追加

その際、ＡＬＤ法とＭＯＣＶＤ法とを連続して、同一の成膜装置中において、途中で大気に露出することなく、実質的に同一の基板温度で実行する。 - 特許庁

To provide a transparent conductive film manufacturing method capable of depositing a transparent conductive film on a resin substrate with low resistance and sufficient bonding strength at a relatively low substrate temperature.例文帳に追加

樹脂基板上に、低抵抗でかつ十分な付着強度をもって密着した透明導電膜を比較的低い基板温度で形成することが可能な透明導電膜の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a substrate for a solar cell which can fully raise a substrate temperature in film formation of a semiconductor film and can prevent generation of air bubbles in the substrate, and to provide a solar cell using the same.例文帳に追加

半導体膜の製膜時において、基板温度を充分に上げることができる上、基板内における気泡の発生を防止することができる太陽電池用基板とこれを用いた太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate holding device with which heating control of a substrate temperature to a prescribed temperature is possible by a simple configuration, and also to provide a substrate processing apparatus.例文帳に追加

簡易な構成によって、基板温度を所定の温度に加熱制御することが可能な基板保持装置、及びこのような基板保持装置を配設した基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a substrate processing device which can quickly keep the substrate temperature on a plate, realize a uniform temperature, and has a simplified and compact structure.例文帳に追加

プレート上の基板を迅速に所望の温度に維持することができるとともに、温度の均一性が高く、しかも構造が簡易でかつコンパクトな基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

To improve both embeddability and film quality, while maintaining the merit that a substrate temperature is low at forming of a titanium nitride film through CVD(chemical vapor deposition) method, using organic metal raw material gas.例文帳に追加

有機金属原料ガスを用いたＣＶＤ法により窒化チタン膜を成膜するにあたり、基板温度が低いという利点を維持したままで、埋め込み性及び膜質の向上を両立させる。 - 特許庁

When film formation has been completed and the substrate temperature has been lowered to almost the room temperature, manufacture of a p-type GaN based semiconductor 17a and an epitaxial wafer E is completed.例文帳に追加

成膜を完了して、基板温度を室温近傍まで低下させたとき、ｐ型ＧａＮ系半導体１７ａ及びエピタキシャルウエハＥの作製は完了している。 - 特許庁

When the gate electrode with the Ti layer and the Au layer is to be formed on the InGaP layer, the Ti and Au layers are formed at a substrate temperature of 180°C or lower.例文帳に追加

さらに、Ｔｉ層とＡｕ層とを有するゲート電極をＩｎＧａＰ層の上面に形成する場合において、１８０℃以下の基板温度でＴｉ層およびＡｕ層を成膜する。 - 特許庁

To synthesize good quality single crystal diamond at a high growth rate by suppressing an increase in substrate temperature even in the manufacture of single crystal diamond by a plasma CVD process under high pressure exceeding about 80 Torr.例文帳に追加

80torr程度を超えるような高圧下におけるプラズマＣＶＤ法による単結晶ダイヤモンドの製造においても、基板温度の上昇を抑制して、良質な単結晶ダイヤモンドを速い成長速度で合成することを可能とする。 - 特許庁

After the photoresist has been removed, the substrate temperature is made high, and the entire oxide film 7 is etched back under etching conditions of a large selection ratio with respect to the nitride film.例文帳に追加

フォトレジストを除去後、基板温度を高温にして、窒化膜に対して選択比の大きなエッチング条件で酸化膜７を全面エッチバックする。 - 特許庁

Furthermore, a gate insulation film 105 is formed on the semiconductor layer 103 at 100°C or lower in substrate temperature, and it is heated at 100°C or higher.例文帳に追加

その後半導体層１０３上に基板温度１００℃以下でゲート絶縁膜１０５を形成し、しかる後に１００℃以上の温度で熱処理を施す。 - 特許庁

To provide a substrate supporting device which can make a substrate temperature uniform on a surface during a heating/cooling period by adsorbing a substrate by suitable adsorbing power according to the warpage state of the substrate.例文帳に追加

基板の反り状態に応じて適切な吸着電力で基板を吸着して、加熱冷却時に基板温度をその面内で均一にできる基板保持装置を提供する。 - 特許庁

To provide a screen printing method and a screen printing machine with a substrate temperature-adjustment function which enables homogeneous printing when a substrate or a pallet of a different temperature from a recommended printing temperature is used for printing.例文帳に追加

印刷推奨温度と温度差のある基板やパレットを使用して印刷する場合において、均質な印刷を可能とするスクリーン印刷方法及び基板温度調節機能付きスクリーン印刷装置を提供する。 - 特許庁

Also, the method for producing the photocatalytic titanium dioxide may comprise forming TiO_2 by laser evaporation at a substrate temperature of 400-600°C in oxygen-containing atmosphere and then depositing Ti_2O_3 by vacuum evaporation.例文帳に追加

また、本発明は、基板温度４００〜６００℃において、レーザ蒸着法により酸素を含む雰囲気下でＴｉＯ_２を成膜し真空下でＴｉ_２Ｏ_３を蒸着する、上記方法を課題解決手段とする。 - 特許庁

A temperature sensor 20 is mounted on a substrate 51 inside the electronic controller 5 and the atmospheric temperature of the controller 5 is estimated from the substrate temperature by a CPU 9.例文帳に追加

電子制御装置５内部の基板５１に温度センサ２０を実装し、この基板温度から制御装置５の周囲温度をＣＰＵ９により推定する。 - 特許庁

At this time, a substrate temperature and the number of times of spraying of the precursor solution are changed to form the desired film thickness in an ruthenium oxide conductive film and as a result a smooth and uniform conductive film can be formed on the upper surface of the substrate 5.例文帳に追加

その際、基板温度や前駆体溶液のスプレー回数を変えることによって、所望の膜厚の酸化ルテニウム導電膜を成膜できるため、基板５の上面に平滑で均一な導電膜の形成が可能となる。 - 特許庁

A formed precursor film is heat-treated in a heat-treatment chamber 5 at a substrate temperature of approximately 550°C while pouring Se vapor on the precursor film using a Se evaporation source 25.例文帳に追加

形成した前駆体膜を、熱処理室５にて、Ｓｅ蒸着源２５を用いてＳｅ蒸気を前駆体膜上へ照射しながら、基板温度約５５０℃で熱処理する。 - 特許庁

Arsenic ions are implanted in a silicon substrate 11 in a state that a substrate temperature is kept at a low temperature of 100°C or lower and thereafter, a heat treatment is performed to form source/drain diffused layers 16 in the substrate 11.例文帳に追加

基板温度を１００℃以下の低温に保った状態で、シリコン基板１１に砒素イオンを注入した後、熱処理を行ってソース／ドレイン拡散層１６を形成する。 - 特許庁

To provide a thermal processing apparatus and a substrate temperature measurement method, capable of directly and accurately measuring the temperature of a substrate which is heated by optical radiation.例文帳に追加

光照射によって加熱される基板の温度を直接かつ正確に測定することができる熱処理装置および基板温度測定方法を提供する。 - 特許庁

At time t6 when the substrate temperature becomes sufficiently stable, trimethyl gallium, trimethyl aluminum and ammonium are supplied to the growth furnace to grow an i-AlGaN film.例文帳に追加

基板温度が十分に安定した時刻ｔ６でトリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム及びアンモニアを成長炉に供給して、ｉ−ＡｌＧａＮ膜を成長する。 - 特許庁

To provide a plasma oxidation method and apparatus enabling oxidation in a low temperature and oxidation of a thick film by increasing an oxidation rate even when a substrate temperature is low.例文帳に追加

基板温度が低温の場合でも酸化レートを高速化して、低温での酸化を可能とするとともに、厚膜酸化を可能とするプラズマ酸化方法および装置を提供する。 - 特許庁

A silicon oxide layer having a low relative dielectric constant is deposited by the reaction of an organosilicon compound with a hydroxyl forming compound at a substrate temperature less than about 400°C.例文帳に追加

約４００℃未満の基板温度での有機珪素化合物とヒドロキシル形成化合物との反応によって低比誘電体率を有する酸化珪素層を堆積する。 - 特許庁

In the sputtering process of the manufacturing method, sputtering is carried out within a substrate temperature range of 5-450°C, and within a range of 0.5-50 atom% of a scandium content rate.例文帳に追加

本発明に係る製造方法におけるスパッタリング工程では、基板温度を５〜４５０℃の範囲で、スカンジウムの含有率が０．５〜５０原子％の範囲となるようにスパッタリングする。 - 特許庁

To provide an assembly used in a plasma process chamber that can obtain a stable substrate temperature, with high throughput and low temperature drift in the processes.例文帳に追加

高いスループット及び工程内において温度ドリフトの少ない安定した基板温度を得ることが可能なプラズマ処理チャンバに使用するアセンブリを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a photoelectric conversion device which can eliminate the adjustment of a substrate temperature and can realize a high production efficiency by highly accurate machining and to provide a light beam irradiation machining apparatus.例文帳に追加

基板温度の調整が不要であり、高精度な加工により高い生産効率を実現することができる光電変換装置の製造方法および光ビーム照射加工装置を提供する。 - 特許庁

The silicon oxide layers are preferably deposited at a substrate temperature less than about 40°C onto a liner layer produced from the organosilicon compound to provide gap fill layers having a dielectric constant less than about 3.0.例文帳に追加

酸化珪素層は、約３．０未満の誘電率を有するギャップ充填層を与えるために有機珪素化合物から生成されたライナー層の上に約４０℃未満の基板温度で堆積されることが好ましい。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photoelectric converter with which power generation efficiency is improved by suppressing a rise in substrate temperature during filming even when filming a crystalline silicon photoelectric conversion layer on a large-area substrate.例文帳に追加

大面積基板上に結晶質シリコン光電変換層を製膜する場合でも、製膜中の基板温度の上昇を抑制し、発電効率の高い光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A diamond substrate 5-11 is prepared, and a diamond thin film 5-12 is laminated by 1 μm on the diamond substrate 5-11 at a substrate temperature of 700°C by using a microwave plasma CVD device and by using methane as reaction gas.例文帳に追加

ダイヤモンド基板５−１１を用意し、そのダイヤモンド基板５−１１上にマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用い、メタンを反応ガスとして基板温度７００℃でダイヤモンド薄膜５−１２を１μｍ積層する。 - 特許庁

To provide a substrate processing device where a substrate temperature in the middle of a processing can precisely and easily be measured, and a temperature control mechanism can precisely be controlled on the basis of a measured temperature thus obtained.例文帳に追加

処理中の基板温度を正確かつ簡便に測定することができ、得られた測定温度に基づいて正確な温調機構の制御を行うことができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁