「"substrate temperature"」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A silicon nitride film is formed on a substrate while applying bias potential of ≤-100 V under the conditions where P/Q with a gaseous silane flow rate as Q and plasma production as P is 10 to 30[W/sccm], film formation pressure is 20 to 200 Pa and substrate temperature is ≤70°C.例文帳に追加

シランガス流量Ｑ、プラズマ生成ＰとしたＰ／Ｑが１０〜３０［Ｗ／ｓｃｃｍ］、成膜圧力が２０〜２００Ｐａで、基板温度を７０℃以下として、前記基板に−１００Ｖ以下のバイアス電位を印加しつつ窒化珪素膜を成膜する。 - 特許庁

By carrying out pressure reduction and heating under predetermined pressure reduction conditions (such as a reduced pressure value and retention time of the reduced pressure) and predetermined temperature conditions (such as a substrate temperature, heating temperature and heating time), generation of defects and abnormal film thickness in a color layer can be suppressed to improve the yield.例文帳に追加

また、所定の減圧条件（減圧圧力や減圧保持時間）及び所定の温度条件（基板温度、加熱温度や加熱時間）の下で減圧及び加熱を行うことにより、着色層における欠陥や膜厚異常の発生を抑制して、歩留まりを向上させることができる。 - 特許庁

Moreover, substrate temperature Ty at the time of epitaxial growth onto the mass-production substrate is estimated by applying the haze of the mass-production substrate measured immediately after epitaxial growth to the correlation line, and then a measured temperature Tx of the upper pyrometer is adjusted to the estimated temperature Ty.例文帳に追加

更にエピタキシャル成長直後に測定した量産用基板のヘイズを上記相関線に当てはめて量産用基板上へのエピタキシャル成長時の基板温度Ｔｙを推定した後に、この推定温度Ｔｙにアッパパイロメータの測定温度Ｔｘを一致させる。 - 特許庁

When a copper thin film 4 is deposited at first, to embed a copper thin film 4a in a wiring trench 5 or in a connection hole, a substrate temperature is elevated to 180-200°C from the surface of the substrate by an infrared lamp and then is held at constant level to cause the copper thin film 4 to deposit to several hundreds of nm.例文帳に追加

銅薄膜の堆積の際、最初は、配線溝や接続孔への埋込を目的として、基板温度を１８０〜２００℃に赤外線灯により基板表面から上昇させ、温度を一定の状態に保って、銅薄膜を数百ｎｍ堆積させる。 - 特許庁

This electron emitting element material is a needle shape structural body 15 having C=N bond obtained by controlling H/N radical density ratio and substrate temperature and by etching an organic material on the surface of which colloidal golds 14, 14, 14 are adhered by N-H series plasma.例文帳に追加

Ｈ／Ｎラジカル密度比と基板温度を制御して、表面に金コロイド１４，１４，１４を付着させた有機材料をＮ−Ｈ系プラズマでエッチングして得られる、Ｃ＝Ｎ結合の針状構造体１５であることを特徴とする電子放出素子材料。 - 特許庁

This method of manufacturing an epitaxial wafer is such that, when a III-V compound semiconductor layer is made to grow by epitaxial growth on a GaAs or InP compound semiconductor substrate, a temperature rising rate is reduced at least one time during a substrate temperature rising period before the epitaxial growth is started.例文帳に追加

本発明によるエピタキシャルウエハの製造方法では、ＧａＡｓまたはＩｎＰの化合物半導体基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をエピタキシャル成長させるに際し、そのエピタキシャル層成長開始前の基板昇温期間中に昇温レートを少なくとも１回以上低減させることを特徴としている。 - 特許庁

A substrate 1, prior to being conveyed to a chuck 10, is mounted on a substrate mount base 31 disposed in a substrate-temperature adjusting device 30 that adjusts the temperature of the substrate 1, and the lower face of the substrate 1 is supported by a plurality of projections 33 provided on the surface of the substrate mount base 31 for forming a gap between the substrate-mounting base 31 and the substrate 1.例文帳に追加

チャック１０へ搬送する前の基板１を、基板１の温度を調節する基板温度調節装置３０に設けた基板搭載台３１に搭載し、基板搭載台３１の表面に設けた複数の突起３３により基板１の下面を支持して、基板搭載台３１と基板１との間に隙間を形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the liquid crystal display device including a scanning line and a signal line arranged in a matrix shape on a substrate, a TFT (Thin Film Transistor) connected to the lines, and a pixel electrode connected to the TFT through an interlayer insulating film of the application system, a substrate temperature when forming a transparent conductive film on the interlayer insulating film is set at 100-170°C.例文帳に追加

基板上にマトリクス状に配置された走査線及び信号線と、これらに接続されるＴＦＴと、ＴＦＴに塗布系の層間絶縁膜を介して接続された画素電極とを有する液晶表示装置の製造方法において、層間絶縁膜上へ透明導電膜を成膜する際の基板温度を、１００〜１７０℃とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin-film semiconductor device which can maintain deposition speed, even at a low substrate temperature, can deposit a crystalline silicone thin film at a stable crystallization rate in the film thickness direction, can industrially put direct deposition of the crystalline silicone thin film onto a substrate to practical use and can be turned into high performance by using the silicon thin film.例文帳に追加

低い基板温度であっても成膜速度を維持して膜厚方向の結晶化率が安定した結晶性のシリコン薄膜を基板上に成膜可能で、これにより基板上への結晶性のシリコン薄膜の直接成膜を産業上において実用化すると共に、このシリコン薄膜を用いることで高性能化が図られた薄膜半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the organic photoelectric conversion element wherein a layer containing an organic compound having light conductivity is arranged between a pair of electrodes, vapor phase epitaxy is performed while controlling a part or all of the layer containing the organic compound having light conductivity at a substrate temperature of 60°C to 250°C, and the organic compound is a quinacridone-based colorant which improves the orientation of molecules.例文帳に追加

一対の電極の間に、光導電性を有する有機化合物を含有する層を配置した有機光電変換素子の製造方法において、該光導電性を有する有機化合物を含有する層の一部、または全てを基板温度６０℃〜２５０℃に制御しながら気相成長させる、また該有機化合物は分子の配向性を高めたキナクリドン系色素である。 - 特許庁

To provide a raw material compound for La, being more easily heat decomposed/deposited than La(dpm)_3, forming a ferroelectric film even if a substrate temperature is as low as 450°C in producing a PLZT film by CVD supplying the raw material by a solution vaporizing method, and to provide a method for producing the compound and a method for forming the PLZT film.例文帳に追加

溶液気化方式で原料を供給するＣＶＤでＰＬＺＴ膜を製造する方法において、Ｌａ源としてＬａ（ｄｐｍ）_３より熱分解堆積しやすく、基板温度が４５０℃と低くても強誘電性の膜が得られるＬａ原料化合物を特定し、その製法とＰＬＺＴ膜の製法を提供する。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for forming a SiO_2 layer 13 on a silicon substrate 11, a step for forming a SiN layer 14 containing nitrogen less than the stoichiometric composition of an SiN film on the SiO_2 layer 13 by using an ALD method, and a step for performing plasma nitriding treatment of the SiN layer 14 at the substrate temperature of lower than 500°C.例文帳に追加

シリコン基板１１上にＳｉＯ_２層１３を形成する工程と、ＳｉＯ_２層１３上にＡＬＤ法を用いてＳｉＮ膜の化学量論的組成よりも窒素が少ないＳｉＮ層１４を形成する工程と、ＳｉＮ層１４を５００℃未満の基板温度でプラズマ窒化処理する工程とを有する。 - 特許庁

In a manufacturing method of a magnetic disk comprising at least a first base layer of an amorphous material, a second base layer of a crystalline material, and a magnetic layer on a disk shape glass substrate, after depositing the above first base layer by reactive sputtering in atmosphere containing an oxidizing gas, the above second base layer is deposited at the substrate temperature in the range from 100 to 240°C.例文帳に追加

ディスク状ガラス基板上に、少なくとも、非晶質の第１下地層と、結晶質の第２下地層と、磁性層とを有する磁気ディスクの製造方法であって、酸化性ガスを含む雰囲気において反応性スパッタリングにより前記第１下地層を成膜した後、１００℃から２４０℃の範囲の基板温度で前記第２下地層を成膜する。 - 特許庁

The vacuum thin-film forming apparatus comprises arranging a dedicated cooling unit on the back side of a substrate, cooling the unit beforehand by supplying a cooling medium in the unit, contacting the cooling unit with the back side of the substrate simultaneously when starting formation of the thin film, and controlling the substrate temperature to 100°C or lower.例文帳に追加

この発明に係わる真空薄膜形成装置は、基板の裏面側に専用冷却ユニットを配置し、予め冷却媒体を冷却ユニット内に入れ冷却をして置き、薄膜形成の開始と同時に冷却ユニットを基板裏面側へ接触させ、基板温度が１００℃以下になるように温度コントロールをおこなう。 - 特許庁

In the method of forming an insulating film in a semiconductor device, TMS as a material gas of the insulating film and nitrous oxide (N_2O) as an oxide gas are used, to form the insulating film at a substrate temperature ranging from room teperature up to 250°C by plasma CVD method.例文帳に追加

半導体装置における絶縁膜を成膜する方法であって、プラズマＣＶＤ法によって、絶縁膜の原料となるガスとしてテトラメチルシラン（ＴＭＳ）と、酸化ガスとして亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）とを用い、室温から２５０℃までの基板温度にて絶縁膜を形成することを特徴とする絶縁膜の成膜方法とする。 - 特許庁

At least a pyrolytic graphite (TPG) layer is embedded in a heater to diffuse the temperature difference of various components in the heating apparatus and provides temporal and spatial control of the surface temperature of the substrate, for a relatively uniform substrate temperature with the difference between the maximum and minimum temperature points on the substrate of less than 10°C.例文帳に追加

少なくとも１つの熱分解グラファイト（ＴＰＧ）層は、ヒータ内に埋め込まれ、加熱装置内の種々の構成要素の温度差を拡散し、基板上の最高温度点と最低温度点との間の差が１０℃よりも小さい、比較的均一な基板温度に対して基板の表面温度の時間的及び空間的制御を可能にする。 - 特許庁

In the cassette 39, a main body having an outer circumferential wall 40 formed with gas passing holes 41 has a heating element 43 inside, the substrate 42 for film deposition is disposed in the main body, and a substrate temperature setting means to control the temperature of the substrate 42 for film deposition is provided in the cassette 39.例文帳に追加

ガス通過孔４１を形成した外周壁４０の内部に発熱体４３を形成してなる本体に被成膜用基体４２を設け、さらに被成膜用基体４２を温度制御する基体温度設定手段４９とを設けたカセット３９を、ガス導入孔５３を設けた反応室３８内に装着しホットワイヤーＣＶＤ法により被成膜用基体４２上に成膜せしめるように成したＨＷ−ＣＶＤ装置３７。 - 特許庁

The substrate temperature controller is characterized in including a holding board 101 for holding a substrate, a circulating path 104 for circulating the medium for control of temperature of the substrate, and an electrode 112 provided to the circulating path having a plurality of fine holes for passage of the medium in order to alleviate charging of the medium.例文帳に追加

基板を保持する保持台１０１と、前記保持台に、前記基板の温度を制御するための媒体を循環させる循環路１０４と、前記循環路に設置された、前記媒体を通過させる微細孔を複数有する、前記媒体の帯電を緩和するための電極１１２と、を有することを特徴とする基板温度制御装置。 - 特許庁

The titanium oxide film having a multilayer structure, in which an upper layer film containing the rutile type titanium oxide less in the crystal defects is formed on an under layer film, can be obtained by sputtering a target containing titanium in a plasma containing oxygen while controlling the substrate temperature and the sputtering pressure on the surface of the substrate, on which the under layer film composed of crystal oriented rutile type titanium oxide is formed.例文帳に追加

結晶配向したルチル型酸化チタンからなる下層膜が形成された基板表面に、基板温度及びスパッタリング圧を制御した状態で、酸素を含むプラズマ中でチタンを含むターゲットをスパッタリングすることによって、前記下層膜の表面に結晶欠陥少ないルチル型酸化チタンが含まれた上層膜を形成した複層構造を有する酸化チタン膜を得ることができる。 - 特許庁

On a sapphire substrate 1, a transparent n-AlGaN first clad layer 6, a transparent MQW light-emitting layer 7 and a transparent p-AlGaN second clad layer 8 are continuously grown, and an opaque low-temperature growth layer 9 consisting of p-InGaN whose substrate temperature is 600-750°C is grown further thereon.例文帳に追加

サファイア基板１上に透明なｎ−ＡｌＧａＮ第１クラッド層６、透明なＭＱＷ発光層７および透明なｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層８を連続的に成長させ、さらにこの上に、基板温度６００〜７５０℃でｐ−ＩｎＧａＮからなる不透明な低温成長層９を成長させる。 - 特許庁

To provide an anisotropic conductive film which satisfies both of high peel strength and low connection resistance under a compression bonding condition of short time and low substrate temperature such as 30 sec at 150 °C and 17 sec at 160 °C during compression bonding of a glass and a flexible substrate, and also satisfies connection reliability and long-term storage.例文帳に追加

ガラスとフレキシブル基板との圧着において、基板温度１５０℃で３０秒間、基板温度１６０℃で１７秒間といった低温かつ短時間の圧着条件で、強い剥離強度と低い接続抵抗値の両方を満たし、接続信頼性と長期保存性に満足する異方導電性フィルムを提供すること。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck in which a base substance incorporates a resistance heating element for heating the substrate and its manufacturing process, to provide an electrostatic chuck in which the temperature of the entire substrate can be set at a predetermined temperature by short-time heating and its manufacturing process, and to provide a substrate temperature controlling/fixing device.例文帳に追加

本発明は、基体に基板を加熱する抵抗発熱体を内蔵した静電チャック及びその製造方法、及び基板温調固定装置に関し、短時間の加熱により、基板全体の温度を所定の温度にすることのできる静電チャック及びその製造方法、及び基板温調固定装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

In the method of producing a semiconductor device having an insulating film formed in a low temperature condition using TMS, the insulating film is formed by a plasma CVD method at a substrate temperature of a room temperature-250°C using TMS as a gas of a material of the insulating film and nitrous oxide (N_2O) as an oxide gas.例文帳に追加

ＴＭＳを用いて低温条件下で成膜された絶縁膜を有する半導体装置の製法において、前記絶縁膜が、プラズマＣＶＤ法によって、絶縁膜の原料となるガスとしてＴＭＳと、酸化ガスとしてＮ_２Ｏとを用い、室温以上２５０℃以下の基板温度にて形成されることを特徴とする半導体装置の製法とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a step of forming the lower electrode 20 having a step of depositing Co on the surface of a capacitive element storage hole 18 by a sputtering method at a substrate temperature of 400°C to form a Co film 19 having an uneven surface, and a step of forming the lower electrode 20 made of titanium nitride over the Co film 19.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、下部電極２０を形成する工程が、容量素子収容孔１８の表面に４００℃の基板温度でスパッタ法によってＣｏを堆積し、表面に凹凸を有するＣｏ膜１９を形成する工程と、Ｃｏ膜１９を覆って窒化チタンから成る下部電極２０を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The apparatus, at this time, controls the substrate temperature within a temperature capable of taking out the substrate (100°C or lower) with the use of a temperature sensor, while constantly circulating the cooling medium in the cooling unit, and consequently eliminates the waiting time in the cooling process, and also prevents the film peeling which occurs during the cooling process.例文帳に追加

この際に基板が取り出し出来る温度（１００℃以下）に保てる様に、常に冷却ユニット内の冷却媒体を循環させて、このことを温度センサーに用いてコントロールして、基板温度を取り出し温度に保つことで、冷却工程時の待ち時間を無くし、かつ、冷却工程中に発生していた膜はがれを防止できる。 - 特許庁

In S5, the detected torque of the spool shaft 2 detected by a torque sensor 75 is converted into calculated tension applied to a fishing line, and corrected tension applied to the fishing line is calculated by correcting the tension according to the temperature, detected by the temperature sensor 76, of a detection coil 75b and to the temperature of the sensor substrate detected by a substrate temperature sensor 69.例文帳に追加

Ｓ５では、トルクセンサ７５から検出されたスプール軸２の検出トルクを釣り糸に作用する算出張力に変換し、温度センサ７６から検出された検出コイル７５ｂの温度及び基板温度センサ６９により検出されたセンサ基板の温度に応じて補正することによって釣り糸に作用する補正張力を演算する。 - 特許庁

The forming method of quantum dot includes a first formation step of forming a first semiconductor layer (120), containing GaAs on a substrate (110); and a second formation step of casting In and As each on the first semiconductor layer and forming a second semiconductor layer (130) containing InAs, after the substrate temperature of the substrate is set at a temperature between 480°C and 530°C.例文帳に追加

量子ドットの形成方法は、基板（１１０）上にＧａＡｓを含んでなる第１半導体層（１２０）を形成する第１形成工程と、基板の基板温度を摂氏４８０度及び摂氏５３０度の間の温度にした後に、第１半導体層の上に、Ｉｎ及びＡｓを夫々照射して、ＩｎＡｓを含んでなる第２半導体層（１３０）を形成する第２形成工程とを備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin film semiconductor device maintaining a deposition rate even at a low substrate temperature to deposit a crystalline silicon thin film on a substrate, thereby industrially putting the direct deposition of the crystalline silicon thin film onto the substrate into practical use and contriving high performance by using this silicon thin film.例文帳に追加

低い基板温度であっても成膜速度を維持して結晶性のシリコン薄膜を基板上に成膜可能で、これにより基板上への結晶性のシリコン薄膜の直接成膜を産業上において実用化すると共に、このシリコン薄膜を用いることで高性能化が図られた薄膜半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A pixel electrode 16 has an end inclined at an inclination angle α (where 30°≤α≤85°), and an organic layer 20 is formed by disposition on the pixel electrode 16 is deposited with deposition beam B which enters a substrate surface 10a at an incident angle θ smaller than (90°-α_max) under a deposition substrate temperature condition lower than a glass-transition temperature of the organic layer 20.例文帳に追加

画素電極１６は、基板１０の基板面１０ａに傾斜角度α（但し、３０°≦α≦８５°）で傾斜する端部を有するものとし、この画素電極１６上に設けられる有機層２０は、その有機層２０のガラス転移温度より低い蒸着基板温度条件下で基板面１０ａに対して（９０°−α_max）より小さい入射角θで入射する蒸着ビームＢにより蒸着してされてなるものとする。 - 特許庁

In the manufacture of the fereoelectric element comprising a lower electrode, a lead- base ferrolectric layer formed on the lower electrode, and an upper electrode formed on the lead-base ferroelectric layer, at least the upper electrode, of either the upper and lower electrodes, is formed through depositing CaRuO3 into a thickness of 50 nm or smaller by organic metal compound CVD method at a substrate temperature 65°C or lower.例文帳に追加

下部電極と下部電極上の鉛基強誘電体層と鉛基強誘電体層上の上部電極を有する強誘電体素子の製造方法において下部電極および上部電極のうち少なくとも上部電極を、有機金属化合物化学的気相堆積法を用い、基板温度を６５０℃以下の条件下でＣａＲｕＯ_3 を堆積して形成し、かつ膜厚を５０ｎｍ以下とする製造方法。 - 特許庁

In one embodiment, the method for low temperature aerosol deposition includes forming an aerosol of fine particles in an aerosol generator, dispensing the aerosol from the aerosol generator into a processing chamber toward a surface of a substrate, maintaining the substrate temperature at between 0 degrees Celsius and 50 degrees Celsius, and depositing a layer from a material in the aerosol on the substrate surface.例文帳に追加

一実施形態において、低温エアロゾル堆積方法は、エアロゾル発生器において微粒子エアロゾルを形成し、エアロゾル発生器から処理チャンバへ基板表面に向かってエアロゾルを分配し、基板温度を摂氏約０度〜摂氏５０度の間に維持し、エアロゾル中の材料から基板表面に層を堆積することを含む。 - 特許庁

The method for producing the thin film formed of oriented crystals of tungsten oxide on the surface of the substrate having low crystallinity includes sputtering a target containing tungsten while controlling a substrate temperature and a deposition rate to form tungsten oxide film with strongly oriented crystals on the (001) surface of monoclinic crystals.例文帳に追加

結晶性の低い基板の表面に結晶配向した酸化タングステン薄膜を作製する方法であって、タングステンを含むスパッタリングターゲットを結晶性の低い基板の表面にスパッタリングすることを含み、スパッタリングを行う際の基板温度及び堆積速度を制御することにより、単斜晶（００１）面に強く結晶配向した酸化タングステン薄膜を作製することを特徴とする前記方法。 - 特許庁

Mask pattern material on a base substrate coated with a multilayer film, and reaction gas which is used when the mask pattern material is worked with plasma dry etching are so combined that at least one kind of reaction product formed when the plasma dry etching is performed becomes solid phase at a room temperature or a substrate temperature which is raised during the plasma dry etching.例文帳に追加

多層膜をコーテイングした下地基板上のマスクパターン材料と、該マスクパターン材料をプラズマ・ドライエッチングで加工する際に用いられる反応ガスとを、プラズマ・ドライエッチング時に生成される反応生成物の少なくとも一種が室温又はプラズマ・ドライエッチング中に昇温した基板温度において固相になるごとく組み合わせて構成したことを特徴とする。 - 特許庁

After setting the substrate temperature at ≤500°C and the pressure at ≤50 Pa, a transparent conductive carbon film is deposited on the substrate surface of a thin film of copper or aluminum by a microwave surface wave plasma CVD method in a gas atmosphere formed by adding an oxidation inhibitor for inhibiting oxidation of the substrate surface as addition gas into mixed gas comprising carbon-containing gas and inert gas.例文帳に追加

基材温度を５００℃以下、圧力を５０Ｐａ以下に設定し、かつ含炭素ガスと不活性ガスからなる混合ガスに基材表面の酸化を抑制するための酸化抑制剤を添加ガスとして加えたガス雰囲気中で、マイクロ波表面波プラズマＣＶＤ法により、銅又はアルミの薄膜の基材表面上に透明導電性炭素膜を堆積させる。 - 特許庁

The substrate temperature is controlled to volatilize the liquid of the landed liquid drop, whereby the hardness is set to deposit the next landed liquid drop.例文帳に追加

微細径の針状流体吐出体１０１の先端に任意波形電圧を印加し、基板１００の表面に対して流体の超微細径液滴１０２を吐出させ、電界集中により先行着弾液滴に後から吐出する液滴を積み重ねるにあたり、前記着弾液滴の液分を揮発させ、次の着弾液滴を堆積しうる硬さにするように前記基板温度を制御する立体構造物１０５の製造方法。 - 特許庁

A catalyst element for accelerating oxidation is added to a semiconductor thin film containing silicon, heat treatment is made in oxidation atmosphere, and also the operation between oxygen radical and oxygen ion is utilized, thus forming an oxide film with improved quality on the semiconductor thin film containing silicon in a low-temperature process where the substrate temperature is at 600°C or less.例文帳に追加

シリコンを含む半導体薄膜に酸化を助長する触媒元素を添加し、酸化雰囲気中で熱処理することにより、また、酸素ラジカルおよび酸素イオンとの作用を利用することにより、基板温度が６００℃以下の低温プロセスにおいて、シリコンを含む半導体薄膜上に良質な酸化膜を形成する。 - 特許庁

Thus, in the case of manufacturing a heterojunction field-effect transistor, a light emitting diode or a laser diode or the like by using GaN and AlGaN, by using GaGdN containing Gd, a crystal is grown in the state of keeping a substrate temperature fixed, and the nitride based III-V compound semiconductor device is manufactured without lowering the performance.例文帳に追加

したがって、ＧａＮやＡｌＧａＮを用いてヘテロ接合電界効果型トランジスタ、発光ダイオード、またはレーザダイオードなどを作製する場合に、Ｇｄを含むＧａＧｄＮを用いることによって基板温度を一定に保った状態で結晶を成長させることができ、性能を落とすことなく窒化物系III−Ｖ族化合物半導体装置の作製が可能となる。 - 特許庁

The exposure apparatus EX for executing the exposure process to the substrate W held by a substrate holding part WT is provided with a temperature calculator C1 for obtaining temperature of the substrate holder WH which is changing with the exposure process and a substrate temperature adjuster 50 for adjusting temperature of the substrate W on the basis of temperature of the substrate holder WH obtained by the temperature calculator C1.例文帳に追加

基板保持部ＷＨに保持した基板Ｗを露光処理する露光装置ＥＸにおいて、露光処理に伴って変化する基板保持部ＷＨの温度を求める温度算出部Ｃ１と、基板保持部ＷＨに基板Ｗを載置するに先立って、温度算出部Ｃ１で求められた基板保持部ＷＨの温度に基づいて基板Ｗを温調する基板温調部５０と、を備える。 - 特許庁

The method for producing an insulation film comprises a first heating step for generating a siloxane bond after coating a substrate with a coating liquid containing at least one kind of compound capable of generating a siloxane bond through dehydration condensation, and an organic polymer, and a second heating step for removing the organic polymer wherein a oxygen concentration is not higher than 1000 ppm when a substrate temperature is not lower than 200°C.例文帳に追加

脱水縮合によりシロキサン結合を生成し得る少なくとも１種類以上の化合物と、有機高分子と、を含有する塗布液を基板上に塗布した後、シロキサン結合を生成させるための第一の加熱工程と、引き続き、有機高分子を除去するための第二の加熱工程とからなる絶縁膜の製造方法において、基板温度が２００℃以上となっている場合の酸素濃度が１０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする絶縁膜の製造方法。 - 特許庁

Carbon nanotubes are deposited on a titanium substrate containing dispersed fine cobalt particles by plasma CVD process using a mixture of methane gas and hydrogen gas and keeping the substrate temperature at 500°C and the substrate holding the deposited carbon nanotubes is subjected to substitution reaction with boron oxide in nitrogen stream at 1500-2000°C to obtain the boron nitride nanofibers having a long-period structure consisting of 12-layer period and 24-layer period.例文帳に追加

コバルトの微粒子を分散させたチタン製基板を用いて、メタンガスと水素ガスの混合物を、基板温度を５００℃に維持して、プラズマＣＶＤ法により、カーボンナノチューブを基板上に堆積させ、次に、このカーボンナノチューブの堆積した基板と酸化ホウ素を窒素気流中で、１５００℃から２０００℃で置換反応させることにより、１２層周期および２４層周期の長周期構造を有する窒化ホウ素ナノ繊維を製造する。 - 特許庁