「"substrate temperature"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

SCREEN PRINTING METHOD AND SCREEN PRINTING MACHINE WITH SUBSTRATE TEMPERATURE-ADJUSTMENT FUNCTION例文帳に追加

スクリーン印刷方法及び基板温度調節機能付きスクリーン印刷装置 - 特許庁

After the atmosphere of nitrogen is formed, the substrate temperature begins to be lowered at time t8.例文帳に追加

窒素の雰囲気が形成された後に、時刻ｔ８で基板温度の降下を開始する。 - 特許庁

To reduce a substrate temperature depending error in a digital adjustment type gas flow measuring device.例文帳に追加

デジタル調整方式気体流量測定装置において基板温度依存誤差を低減する。 - 特許庁

Even during the substrate is drawn, the temperature substantially equivalent to the substrate temperature can be measured.例文帳に追加

描画中も基板の温度と実質的に同等な温度を測定することができる。 - 特許庁

A substrate temperature sensor 15 is formed on a shower head 4 to measure the temperature of the surface of the wafer W.例文帳に追加

シャワーヘッド４にウェハＷ表面の温度を測定する基板温度センサ１５を設ける。 - 特許庁

The substrate temperature is set at about 200°C, and the film formation rate is set at about 20 Å/min.例文帳に追加

基板の温度を約２００℃とし、成膜速度を約２０Å／ｍｉｎとする。 - 特許庁

The deposition of the dielectric mask film 17 is made at substrate temperature of 200 degrees C or above.例文帳に追加

誘電体マスク膜１７の堆積は摂氏２００度以上の基板温度において行われる。 - 特許庁

Then, the substrate temperature is set to a third set value T3 which is higher than T2 (a third growth step).例文帳に追加

次に、基板温度をＴ２よりも高い第３の設定値Ｔ３にする（第３の成長工程）。 - 特許庁

The rod type glass substrate 21 whose refractive index is easily varied by the substrate temperature is used.例文帳に追加

棒状ガラス基板２１として、その屈折率ｎが基板温度で変化し易いものを用いる。 - 特許庁

To provide a substrate temperature-control securing device which has an adhesion layer with superior plasma resistance.例文帳に追加

耐プラズマ性に優れた接着層を有する基板温調固定装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

SUBSTRATE TEMPERATURE MEASURING METHOD, DEVICE THEREFOR, PROCESS CONTROL METHOD, AND SYSTEM THEREFOR例文帳に追加

基板温度測定方法とその装置及びプロセス制御方法とそのシステム - 特許庁

To provide a substrate temperature control device having high heat- responsibility, even in an atmosphere of thin gas.例文帳に追加

希薄なガス雰囲気中であっても熱応答性が良い基板温度制御装置を提供することにある。 - 特許庁

The process of heat-treating the tantalum oxide film 16 is performed at substrate temperature lower than the highest substrate temperature used in the process of forming the silicon oxynitride film 15.例文帳に追加

酸化タンタル膜１６を熱処理する工程は、酸窒化シリコン膜１５を形成する工程で使用する最も高い基板温度よりも低い基板温度で行う。 - 特許庁

Light is radiated onto a semiconductor layer 103 on a substrate 101 at 100°C or lower in substrate temperature for crystallization, and then the semiconductor layer 103 is treated by a plasma at 100°C or lower in substrate temperature.例文帳に追加

基板１０１上の半導体層１０３に基板温度１００℃以下で光照射による半導体層１０３の結晶化をおこない、しかる後に基板温度１００℃以下で半導体層１０３にプラズマ処理を施す。 - 特許庁

Then, the silicon film is formed on the titanium nitride film by performing the film-deposition treatment at a second substrate temperature lower than the first substrate temperature (step S30).例文帳に追加

次いで、第１の基板温度より低い第２の基板温度で成膜処理を行うことにより、窒化チタン膜上にシリコン膜を形成する（ステップＳ３０）。 - 特許庁

In the step of manufacturing the ferroelectric film, the ferroelectric film is formed by MOCVD process at a substrate temperature above 380°C and below 420°C, and then crystallized by heat treatment at a substrate temperature above 650°C and below 750°C.例文帳に追加

強誘電体膜の製造工程において、基板温度を３８０℃以上且つ４２０℃以下とするＭＯＣＶＤ法により強誘電体膜を成膜した後、基板温度を６５０℃以上且つ７５０℃以下とする熱処理により結晶化させる。 - 特許庁

The system always detects a difference between the current value and previous value of a substrate temperature sensor and stores the previous value before large change as a referential value of the substrate temperature sensor when the current value of the sensor largely changes as compared with the previous value.例文帳に追加

基板温度センサの今回値と前回値の差を絶えず検出し、基板温度センサの今回値が前回値に比較して大きく変化したときには、大きく変化する前の前回値を基板温度センサの基準値として記憶する。 - 特許庁

The problem is solved by controlling a substrate temperature at the start of forming a phosphor layer by the vapor phase deposition to 152-189°C and controlling a substrate temperature at the end of such forming to 190-250°C, respectively.例文帳に追加

気相堆積法による蛍光体層の形成開始時における基板温度を１５２〜１８９℃に、形成終了時における基板温度を１９０〜２５０℃に、それぞれ制御することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

A heating command value to make the temperature distribution of the substrate uniform is obtained based on a deviation of a measured result Ta of the substrate temperature by the thermometer 42a from a measured result Tb of the substrate temperature by the thermometer 42b.例文帳に追加

温度計４２ａによる基板温度の測定結果Ｔａと、温度計４２ｂによる基板温度の測定結果Ｔｂとの偏差Ｅに基づいて、基板の温度分布を均一にするような加熱指令値を求める。 - 特許庁

In the case of forming the p-type noncrystalline semiconductor film 3, there are the conditions of substrate temperature ≤210°C and reaction pressure ≥100 mTorr, more preferably, substrate temperature ≤180°C and reaction pressure ≥200 mTorr.例文帳に追加

ｐ型非晶質半導体膜３を形成する際の条件は、基板温度：２１０℃以下、反応圧力：１００ｍＴｏｒｒ以上、より好ましくは、基板温度：１８０℃以下、反応圧力：２００ｍＴｏｒｒ以上とする。 - 特許庁

The process of changing the substrate temperature from the first substrate temperature to the second substrate temperature includes measuring the substrate temperatures and controlling supply amount to ensure that the supply amount of the V group element will be between a target lowest value and a target highest value of the supply amount at the measured substrate temperatures.例文帳に追加

基板の温度を第１の基板温度から第２の基板温度に変化させる工程が、基板の温度を測定する工程と、Ｖ族元素の供給量が、測定された前記基板の温度における供給量の目標下限値と目標上限値との間に納まるように、供給量を制御する工程とを含む。 - 特許庁

This layer is formed by sputtering at a substrate temperature of 200°C higher or depositing through sputtering at a substrate temperature lower than 200°C and heat treating at temperatures of 200°C higher, or depositing through sputtering at a substrate temperature of 200°C or higher and exposing the Ta film to a nitrogen plasma for nitrifying it.例文帳に追加

このバリア層は、基板温度２００℃以上の条件でスパッタリングにより形成されるか、または基板温度２００℃未満の条件でスパッタリングにより堆積した後に２００℃以上の温度で熱処理して形成されるか、または基板温度２００℃以上の条件でＴａ膜をスパッタリングにより堆積した後に該Ｔａ膜を窒素プラズマに晒して窒化して形成される。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck which has superior maintainability, and to provide a substrate temperature adjusting and fixing device having the electrostatic chuck.例文帳に追加

メンテナンス性に優れた静電チャック、及び、静電チャックを有する基板温調固定装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The PCMO composition is controlled by adjusting the substrate temperature, the vaporizer temperature or the both thereof.例文帳に追加

ＰＣＭＯの組成は、基板温度、蒸発器温度、またはその両方を調節することによって、さらに制御される。 - 特許庁

A first semiconductor which is a III-V group compound semiconductor is grown on a substrate with a first substrate temperature.例文帳に追加

基板の上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である第１の半導体を、第１の基板温度で成長させる。 - 特許庁

After providing the atmosphere 19, a substrate temperature is lowered from the growth temperature of the GaN based semiconductor region 17.例文帳に追加

雰囲気１９が提供された後に、ＧａＮ系半導体領域１７の成長温度から基板温度を下げる。 - 特許庁

Reaction of metal material gas and reducing gas is performed in a temperature region where film forming speed depends on a substrate temperature.例文帳に追加

金属原料ガスと還元性ガスとの反応は、成膜速度が基板温度に依存する温度領域で行われる。 - 特許庁

Accordingly, substrate temperature can be raised within a shorter period than that required for heating through heat conductivity from the members constituting the etching apparatus.例文帳に追加

それにより、エッチング装置を構成する部材からの熱伝導で加熱するよりも短時間で、基板温度を上昇させることができる。 - 特許庁

Then, while the pressure in an apparatus is held at 30 kPa, as it is, it is heated until it becomes the substrate temperature of 1,100°C.例文帳に追加

次いで、装置内の圧力を３０キロパスカルに保持したまま、摂氏１１００度の基板温度になるまで加熱する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of suppressing a rise of a substrate temperature and thermal budget, and heating and processing the substrate uniformly.例文帳に追加

基板温度の上昇を抑えサーマルバジェットを抑制しつつ、基板を均一に加熱処理することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method by which manufacturing can be carried out at low substrate temperature and the mass production of an infrared detecting element by a high-sensitivity bolometer technique is made possible.例文帳に追加

低い基板温度で製造でき、高感度のボロメーター方式による赤外線検知素子の量産を可能とする製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, after decreasing the substrate temperature in the state of atmospheric pressure, secondary plasma ashing processing of the substrate is once again performed.例文帳に追加

続き、基板の温度を大気圧状態で降下させた後、もう一度基板を２次プラズマアッシング処理する。 - 特許庁

To provide a method of forming a film of gallium nitride, in which even at low substrate temperature, less carbon contamination and appropriate crystallinity can be attained.例文帳に追加

低い基板温度でも炭素コンタミネーションが少なく結晶性が良好な窒化ガリウムの成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a heat treating apparatus capable of accurately measuring a substrate temperature by accurately detecting a radiation light ray intensity from the substrate.例文帳に追加

基板からの放射光強度を正確に検出して高い精度にて基板温度を計測することができる熱処理装置を提供する。 - 特許庁

A p-type nitride semiconductor layer composed of Mg-doped GaN is grown at a substrate temperature of approximately 1,050°C.例文帳に追加

基板温度を約１０５０℃にして、ＭｇがドープされたＧａＮからなるｐ型窒化物半導体層を成長させる。 - 特許庁

HOLDING DEVICE, SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, SUBSTRATE TEMPERATURE CONTROL METHOD, METHOD FOR PRODUCING ELECTRON EMISSION ELEMENT DISPLAY AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC EL DISPLAY例文帳に追加

保持装置、基板処理装置、基板の温度管理方法、電子放出素子ディスプレイの生産方法及び有機ＥＬディスプレイの生産方法 - 特許庁

Through a HVPE method, a nitride layer 140 comprising GaN etc. is grown on the nitride buffer layer 130 at a low substrate temperature (700-900°C) (b).例文帳に追加

ＨＶＰＥ法により、窒化物バッファー層１３０上に、低い基板温度（７００〜９００℃）でＧａＮ等の窒化物層１４０を成長させる（ｂ）。 - 特許庁

When SiC substrate temperature is a high temperature in the order of 1800°C, the sublimation of SiC from a SiC substrate 10 is generated.例文帳に追加

ＳｉＣ基板温度が１８００℃程の高温では、ＳｉＣ基板１０からＳｉＣの昇華が発生する。 - 特許庁

Before ink is discharged from a head body 27, a temperature of a substrate 25 is measured by a substrate temperature detection means 9.例文帳に追加

ヘッド本体２７よりインクが吐出されるのに先立ち、基板温度検知手段９により基板２５の温度を測定する。 - 特許庁

A nitride thick film (100 μm or larger) 150 is formed through nitride growth employing the HVPE method at a high substrate temperature (900-1,500°C) (d).例文帳に追加

高い基板温度（９００〜１５００℃）でのＨＶＰＥ法窒化物成長により、窒化物厚膜（１００ミクロン以上）１５０を作製する（ｄ）。 - 特許庁

Keeping a substrate temperature at 1000°C, a GaN layer 4 of thickness 3 μm is grown in crystal on the AlN intermediate layer 3.例文帳に追加

基板温度を１０００℃に保ったまま、このＡｌＮ中間層３上に厚さ３μｍのＧａＮ層４を結晶成長する。 - 特許庁

The above sputtering is performed under conditions of 0.5-1.1 mTorr sputtering gas pressure, 3-15 W/cm^2 discharge power density, and 100-300°C substrate temperature.例文帳に追加

スパッタリングガス圧：０．５〜１．１ｍＴｏｒｒ、放電パワー密度：３〜１５Ｗ／ｃｍ^2、基板温度：１００〜３００℃ - 特許庁

To obtain a heat treatment apparatus which can maintain an in-plane uniformity of a substrate temperature at heat treatment.例文帳に追加

加熱処理時における基板温度の面内均一性を維持することができる熱処理装置を提供する。 - 特許庁

A GaAs region 37 is grown on a first group III-V compound semiconductor 35 at a substrate temperature in the range of 530-600°C.例文帳に追加

第１のIII−Ｖ化合物半導体３５上にＧａＡｓ領域３７を摂氏５３０度以上６００度以下の範囲の基板温度で成長する。 - 特許庁

A metal protective layer touching a liquid is deposited at a substrate temperature of 230 degree or above or left in an atmosphere of 230 degree or above for a specified time.例文帳に追加

本発明は、液体に接する金属保護層を２３０度以上の基板温度で成膜し、又は２３０度以上の雰囲気に一定時間放置する。 - 特許庁