例文 (999件) |
くろろまいせちんの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 49989件
録音または再生装置例文帳に追加
RECORDING OR REPRODUCING DEVICE - 特許庁
マクロ回路の配線方法、マクロ回路配線装置、及びマクロ回路例文帳に追加
METHOD OF WIRING MACRO CIRCUITS, MACRO CIRCUIT WIRING APPARATUS AND MACRO CIRCUIT - 特許庁
埋設管路位置測定器例文帳に追加
クロロマイセチンという抗生物質例文帳に追加
an antibiotic substance called Chloromycetin - EDR日英対訳辞書
その後、アライメントマーク101,201,301,401,501が形成される。例文帳に追加
Thereafter, the alignment marks 101, 201, 301, 401 and 501 are formed. - 特許庁
また、紫外線のピーク波長は、100〜400nmであるのが好ましい。例文帳に追加
A peak wavelength of the ultraviolet radiation is preferably 100-400 nm. - 特許庁
また、紫外線の照射時間は、0.01〜60分間であるのが好ましい。例文帳に追加
An exposure time to the ultraviolet radiation is preferably 0.01-60 min. - 特許庁
また、スペーサ部材60の周面60AにV溝61を形成する。例文帳に追加
Further, a V groove 61 is formed on a peripheral surface 60A of the spacer member 60. - 特許庁
第1筐体60にレール溝66を形成し、このレール溝66に嵌まり込む凸部134,136を第2筐体100に形成した。例文帳に追加
A rail groove 66 is formed in a 1st housing 60, and projecting parts 134 and 136 fit in the rail groove 66 are formed in a 2nd housing 100. - 特許庁
配線集合体32は、配線106,110,306を含むが配線206,326を含まずに構成されている。例文帳に追加
The wiring assembly 32 includes the wirings 106, 110, 306, however does not include the wirings 206, 326. - 特許庁
屋外設置用マイクロホン装置例文帳に追加
MICROPHONE DEVICE FOR OUTDOOR INSTALLATION - 特許庁
本発明に係る誤り訂正回路100は、誤り訂正ブロック10♯1〜10♯2を備える。例文帳に追加
The error correction circuit 100 relating to this invention is provided with error correction blocks 10#1 and 10#2. - 特許庁
また、窓ガラス100の車外側表面100aの下辺側100fには、フロロシリコンから成る撥水性被膜102が形成されている。例文帳に追加
A water-repellent coating film 102 consisting of fluorosilicon is formed on a lower ridge side 100f of an external side surface 100a of the window glass 100. - 特許庁
マスク層102が基板100上に形成され、トレンチ105がマスク層102に形成される。例文帳に追加
A mask layer 102 is formed on the substrate 100, and a trench 105 is formed in the mask layer 102. - 特許庁
マクロセル100の周囲には、リング状のマクロセル用電源配線101、102が配置される。例文帳に追加
Ring power supply interconnections 101, 102 for the macro cell are arranged in the circumference of the macro cell 100. - 特許庁
この層間絶縁膜104(または104aおよび104b)中にバリアメタル膜106(または106aおよび106b)および銅含有金属膜111(または111aおよび111b)からなる上層配線を形成する。例文帳に追加
In the interlayer insulating film 104 (or 104a and 104b), there is formed upper layer wiring comprising a barrier metal film 106 (or 106a and 106b) and a copper-containing metal film 111 (or 111a and 111b). - 特許庁
前記スパッタリング法で形成する薄膜の膜厚を、200〜1000Åとすることが望ましい。例文帳に追加
And the preferable thickness of the thin film formed by sputtering is 200-1,000 Å. - 特許庁
画像形成装置のシート排出側に装着されるトリマ600は、搬送ローラ603、605、606、611、612、カッタ607、プレス板609、ストッパ614、プッシャ板619、スタックトレイ621等を備える。例文帳に追加
A trimmer 600 attached on the sheet discharge side of the image forming apparatus is provided with carrying rollers 603, 605, 606, 611 and 612, a cutter 607, a pressure plate 609, a stopper 614, a pusher plate 610 and a stack tray 621, etc. - 特許庁
もちろん 西欧諸国の経済成長もありました例文帳に追加
And of course, there's been economic growth in the west. - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
次に、SiO2膜103、Si3N4膜104、SiO2膜105を順に堆積し、スルーホール106および配線溝107を形成する。例文帳に追加
Then, a SiO film 103, an Si3N4 film 104, and an SiO2 film 105 are sequentially deposited to form a through-hole 106 and a wiring groove 107. - 特許庁
マイクロホン装置および再生装置例文帳に追加
MICROPHONE UNIT AND REPRODUCING APPARATUS - 特許庁
端末装置、及び記録再生装置例文帳に追加
TERMINAL, AND RECORDING AND REPRODUCING DEVICE - 特許庁
半導体装置は、下部配線110、層間絶縁膜100、200、拡散防止膜120、240、上部配線230を備えている。例文帳に追加
A semiconductor device is provided with a lower wiring 110, interlayer insulating films 100 and 200, anti-diffusion films 120 and 240, and an upper wiring 230. - 特許庁
また、反射膜42は300〜1500Å厚みの金属膜で形成する。例文帳に追加
The reflective film 42 is formed of a metal film having the thickness of 300-1,500 Å. - 特許庁
生分解性チャック付き袋例文帳に追加
BAG WITH BIODEGRADABLE FASTENER - 特許庁
溝部酸化膜16を形成する。例文帳に追加
A groove oxide film 16 is formed. - 特許庁
シリコン基板100上の酸化シリコン膜106に、銅(Cu)配線層108を埋め込み形成する。例文帳に追加
A Cu wiring layer 108 is buried in a silicon oxide film 106 on a silicon substrate 100. - 特許庁
また、フォークロッド51に鋼球63と係合するロッキングボール溝68a〜68cを形成する。例文帳に追加
A fork rod 51 is provided with locking ball grooves 68a-68c engaged with the steel ball 63. - 特許庁
次に、SiO_2 膜103、Si_3 N_4 膜104、SiO_2 膜105を順に堆積し、スルーホール106および配線溝107を形成する。例文帳に追加
An SiO2 film 103, an Si3N4 film 104 and an SiO2 film 105 are then sequentially deposited thereon, and a through-hole 106 and a wring groove 107 are made therein. - 特許庁
レンズ形成誘電体層110aは埋め込まれた凸状マイクロレンズ640を形成する。例文帳に追加
The lens forming dielectric layer 110a forms a convex-shaped micro lens 640. - 特許庁
ガンマブチロラクトンの精製方法例文帳に追加
METHOD FOR PURIFYING GAMMA-BUTYROLACTONE - 特許庁
導電性接着剤69を、配線片61の接続部64aと配線片62の接続部66a、及び、隣接する配線片62の接続部66aと66bにまたがるように塗布することにより、配線片61と配線片62、及び、配線片62同士を電気的に接続することができる。例文帳に追加
By applying a conductive adhesive 69 to a connection part 64a of the connection piece 61, connection parts 66a of the wiring pieces 62, and connection parts 66a and 66b of the adjacent wiring piece 62 to straddle them, the wiring piece 61 and the wiring piece 62, and the wiring pieces 62 can be electrically connected to each other. - 特許庁
次に、SiN膜103、SiO_2膜104、FSG膜105を形成し、スルーホール106、配線溝107を形成する。例文帳に追加
Next, an SiN film 103, an SiO_2 film 104, and an FSG film 105 are formed, and a through hole 106 and a wiring groove 107 are formed. - 特許庁
マイク170は、記録再生装置100の周辺の騒音を集音する。例文帳に追加
A microphone 170 collects noise around a recording and playback device 100. - 特許庁
まず、複数の半導体素子100を配線基板200に実装する。例文帳に追加
First, a plurality of semiconductor devices 100 are packaged onto the wiring board 200. - 特許庁
マイクロストリップ線路の解析装置、解析方法、及び解析プログラム例文帳に追加
APPARATUS, METHOD AND PROGRAM FOR ANALYZING MICROSTRIP LINE - 特許庁
その後、トレンチパターン105aが形成された犠牲膜105をマスクとして、絶縁膜104に配線形成溝104aを形成し、該配線形成溝104aに金属膜106bを形成する。例文帳に追加
The sacrifice film 105 formed with the trench pattern 105a is then used as a mask, a wiring forming groove 104a is formed in the insulating film 104, and a metal film 106b is formed in the wiring forming groove 104a. - 特許庁
シード金属膜110上に半導体基板100の端上のシード金属膜110を露出させる導電金属膜160を形成する。例文帳に追加
A conductive metal film 160 is formed on the seed metal film 110, which exposes the seed metal film 110 on the semiconductor substrate 100's edge. - 特許庁
半導体基板600上に、第1の有機膜603、シリコン酸化膜604、第2の有機膜605を順次堆積した後、第2の有機膜605の上にマスクパターン608を形成する。例文帳に追加
In the method for formation of wiring structure, a first organic film 603, a silicon oxide film 604, and a second organic film 605 are sequentially deposited on a semiconductor substrate 600, and then, a mask pattern 608 is formed on the second organic film 605. - 特許庁
半導体基板100上に第1導電膜104のパターンと素子分離膜106を形成し、誘電体膜108を形成する。例文帳に追加
The pattern of a first conductive film 104 and an element isolation film 106 are formed on a semiconductor substrate 100 to form a dielectric film 108. - 特許庁
ゴルフクラブヘッドの体積は好ましくは300cm^3〜600cm^3の範囲である。例文帳に追加
The volume of the golf club head preferably varies from 300 cm^3 to 600 cm^3. - 特許庁
ロック孔160Cの段差部163が形成されているので、ロック部材400の先端部404Aが外側になってしまっても、段差部163に係合される。例文帳に追加
記録および/または再生装置、記録および/または再生方法、記録および/または再生プログラム、記録媒体、電子機器、記録および/または再生装置制御方法、ならびに、記録および/または再生装置制御プログラム例文帳に追加
APPARATUS, METHOD AND PROGRAM FOR RECORDING AND/OR REPRODUCTION, RECORDING MEDIUM, ELECTRONIC APPARATUS, CONTROL METHOD AND PROGRAM FOR RECORDING AND/OR REPRODUCING APPARATUS - 特許庁
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