「しり n」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In the charged particle optical device, a control part 8 adjusts a solid angle control lens 3 according to an instruction from an operation display part 9, and the solid angle α(n) of a particle probe incident to a sample is settled in accordance with the order (n-th) of the aberration to be corrected and the kind of aberration.例文帳に追加

荷電粒子光学装置では、操作表示部９からの指示で、制御部８が開き角制御レンズ３を調整して、補正を行う収差の次数（n次）と収差の種類に応じて、試料に入射する粒子プローブの開き角α（n）を設定する。 - 特許庁

Disclosed is an epoxy resin composition comprising 100 pts.mass total of 35-55 pts.mass (A) trifunctional epoxy resin prepared by glycidyl-etherifying triphenolmethane and 45-65 pts.mass (B) N,N,N',N'-tetraglycidyldiaminodiphenylmethane, (C) silica, and (D) diaminodiphenyl sulfone.例文帳に追加

トリフェノールメタンをグリシジルエーテル化した３官能エポキシ樹脂（Ａ）３５〜５５質量部およびＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’‐テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン（Ｂ）４５〜６５質量部の合計１００質量部とシリカ（Ｃ）およびジアミノジフェニルスルホン（Ｄ）からなるエポキシ樹脂組成物。 - 特許庁

To provide an n type diffusion layer formation composition, a manufacturing method of an n type diffusion layer, and a manufacturing method of solar cells which form the n type diffusion layer at a specific area without forming unnecessary n type diffusion layers in a manufacturing process of the solar cells using silicon substrates.例文帳に追加

シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を形成するｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

An N+ type buried diffusion layer 103 and an N type epitaxial layer 102 are formed on a P type silicon substrate 101, and a P type diffusion layer 104 and an N+ type drain lead-out diffusion layer 106A in a surface region are formed in the N type epitaxial layer 102.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１０１上にＮ＋埋め込み拡散層１０３およびＮ型エピタキシャル層１０２が形成され、Ｎ型エピタキシャル層１０２内には表面領域内のＰ型拡散層１０４とＮ＋ドレイン引き出し拡散層１０６Ａが形成されている。 - 特許庁

The semiconductor element 10 has a P-type semiconductor substrate 11 having an N-well 13 and an N^+-diffusion layer 14 with its impurity concentration higher than that of the N-well 13, and a silicide layer 12 formed to partly cover the N^+-layer 14.例文帳に追加

半導体素子１０は、Ｎウェル１３及びＮウェル１３よりも高い不純物濃度を有するＮ^＋拡散層１４を有するＰ型半導体基板１１と、Ｎ^＋拡散層１４上に部分的に形成されたシリサイド層１２と、を備える。 - 特許庁

A polycrystal silicon film 7a and a silicon nitride film 8 are formed on the n-type diffusion layer 6.例文帳に追加

またｎ型拡散層６の上には、多結晶シリコン膜７ａおよびシリコン窒化膜８を形成する。 - 特許庁

An n^+ region of silicon carbide is provided on the buried region of p^+ silicon carbide.例文帳に追加

シリコンカーバイドのｎ^＋領域が、ｐ^＋シリコンカーバイドの埋込み領域上に設けられる。 - 特許庁

The N+ polysilicon layer 21a formed on the semiconductor substrate is covered with the silicide layer 27a.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたＮ＋型ポリシリコン層２１ａはシリサイド層２７ａに覆われる。 - 特許庁

Trenches extending in the depth direction of the structure reach the silicon substrate 1 from the n--type silicon layer 4.例文帳に追加

深さ方向に延びるトレンチ５は、ｎ^- 型シリコン層４からｐ型シリコン基板１に達している。 - 特許庁

The photosensor has a P type amorphous silicon region, and an N type amorphous silicon region.例文帳に追加

フォトセンサは、Ｐ型アモルファスシリコン領域とＮ型アモルファスシリコン領域とを有する。 - 特許庁

A polycrystalline silicon film 7a and a silicide film 8a are formed on the n-type diffused layer 6.例文帳に追加

またｎ型拡散層６の上には、多結晶シリコン膜７ａおよびシリサイド膜８ａを形成する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF P-DOPED SILICON SINGLE CRYSTAL AND P-DOPED N TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER例文帳に追加

Ｐドープシリコン単結晶の製造方法及びＰドープＮ型シリコン単結晶ウェーハ - 特許庁

A silicon oxide film 2 is formed on the upper face of an N^--type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ^-形シリコン基板１の上面上にはシリコン酸化膜２が形成されている。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 4 is formed on a back of an n-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面にｉ型非晶質シリコン膜４を形成する。 - 特許庁

A beamlike member 3 composed of n-type polysilicon is installed on a silicon substrate 2.例文帳に追加

シリコン基板２上に、ｎ型ポリシリコンからなる梁状部材３を設ける。 - 特許庁

A p-type silicon carbide well region is provided on the n^- silicon carbide layer.例文帳に追加

ｐ型シリコンカーバイドウェル領域が、ｎシリコンカーバイド層上に設けられる。 - 特許庁

Moreover, a polycrystal silicon film 7a and a silicide film 8a are also provided on the n-type diffusing layer 6.例文帳に追加

またｎ型拡散層６の上には、多結晶シリコン膜７ａおよびシリサイド膜８ａを設ける。 - 特許庁

The work functions of the n-type polysilicon layer 4 and the p-type polysilicon layer 5 are made different from each other.例文帳に追加

Ｎ型ポリシリコン層４及びＰ型ポリシリコン層５の仕事関数は相互に異なっている。 - 特許庁

The light-emitting element includes an n-type silicon oxide film 2 and a p-type silicon nitride film 3.例文帳に追加

発光素子は、ｎ型シリコン酸化膜２と、ｐ型シリコン窒化膜３とを備える。 - 特許庁

To form an Ni silicide layer having excellent heat resistance on an n-type silicon layer.例文帳に追加

Ｎ型シリコン層上に優れた耐熱性を持つＮｉシリサイド層を形成できるようにする。 - 特許庁

The resistance element 10 has n-type polycrystalline silicon 11 and p-type polycrystalline silicon 12.例文帳に追加

抵抗素子１０は、Ｎ型多結晶シリコン１１と、Ｐ型多結晶シリコン１２とを備える。 - 特許庁

In this transmission device, a first parallel data signal of N bits (N is a natural number) is subjected to parallel/serial conversion with a first conversion clock obtained by subjecting a reference clock to N multiplication, and a second parallel data signal of N×K (K is a natural number) bits is subjected to parallel/serial conversion with a second conversion clock obtained by subjecting the reference clock to N×K multiplication.例文帳に追加

Ｎ（Ｎは自然数）ビットの第１のパラレルデータ信号を、基準クロックをＮ逓倍した第１変換クロックでパラレル／シリアル変換を行い、Ｎ×Ｋ（Ｋは自然数）ビットの第２のパラレルデータ信号を、基準クロックをＮ×Ｋ逓倍した第２変換クロックでパラレル／シリアル変換を行う。 - 特許庁

A vertical field effect transistor 40 has an n-Si layer 14 which is epitaxially grown on an n+-silicon substrate 12, a p-base diffusion layer 16 formed on the surface of the n-Si layer and an n+ source diffusion layer 18 formed on the inner side of the p-base diffusion layer on the surface of the n-Si layer.例文帳に追加

本縦型電界効果トランジスタ４０は、ｎ^+ シリコン基板１２上にエピタキシャル成長させたｎ−Ｓｉ層１４と、ｎ−Ｓｉ層の表面部に形成されたｐ−ベース拡散層１６と、ｎ−Ｓｉ層の表面部でｐ−ベース拡散層の内側に形成されたｎ^+ ソース拡散層１８とを備える。 - 特許庁

A mobile terminal device side, once separating the (n) unmodulated carriers by (n) filters, modulate the respective unmodulated carriers with (n) serial/parallel-converted transmission data, by using (n) antenna switches to generate modulated reflected wave signals having modulation speeds f_m, respectively, thereby realizing (n) modulation speeds f_m, in total.例文帳に追加

携帯端末装置側では、ｎ個の無変調キャリアをｎ個のフィルタにより分離すると、ｎ個のアンテナ・スイッチを用いて各無変調キャリアをシリアル・パラレル変換したｎ個の送信データで変調を施して、それぞれ変調速度ｆ_mとなる変調反射波信号を生成し、合計でｎ・ｆ_mの変調速度を実現する。 - 特許庁

This photodiode includes an N+ silicon substrate, a silicon nitride layer formed on the N+ substrate, re-oxidized nitride layer formed on the silicon nitride layer, N+ polysilicon layer formed at least on a part of the re-oxidized nitride layer.例文帳に追加

このホトダイオードは、Ｎ^+シリコン基板、Ｎ^+シリコン基板上に形成された窒化ケイ素層、窒化ケイ素層上に形成された再酸化窒化物層、および再酸化窒化物層の少なくとも一部分上に形成されたＮ^+ポリシリコン層を含む。 - 特許庁

A trench 61 formed to reach the n^+ type silicon substrate 1 from the principal surface 72 of the n^+ type silicon substrate 1 so as to contact with the n^- type silicon region 3 having the high resistance, is filled with a conductive body 5 through an insulating material 4, and the conductive body 5 is electrically connected to a source electrode 13.例文帳に追加

また、高抵抗のｎ^−型シリコン領域３に接してｎ^＋型シリコン基板１の主面７２からｎ^＋型シリコン基板１に達するトレンチ６１内に、絶縁体４を介して導電体５を充填し、前記導電体５を電気的にソース電極１３に接続させる。 - 特許庁

Barrier height of the silicide 26 formed in the NMIS region 130 and n-type silicon is lower than the barrier height of Ni silicide and the n-type silicon.例文帳に追加

ＮＭＩＳ領域１３０において形成されるシリサイド２６とＮ型シリコンとのバリアハイトはＮｉシリサイドとＮ型シリコンとのバリアハイトより低い。 - 特許庁

The semiconductor device has n-type and p-type polysilicons 2, 3 adjacent to each other and has a silicide layer 4 so formed as to be extended from the n-type polysilicon 2 to the p-type polysilicon 3.例文帳に追加

相互に隣接されたｎ型及びｐ型のポリシリコン２，３と、ｎ型ポリシリコン２上からｐ型ポリシリコン３上に亘って延在するように形成されたシリサイド層４を備える。 - 特許庁

Electrons are implanted from the side of the n-type silicon oxide film 2 and holes are implanted from the side of the p-type silicon nitride film 3 to emit light on the interface between the n-type silicon oxide film 2 and p-type silicon nitride film 3.例文帳に追加

ｎ型シリコン酸化膜２側から電子を注入し、ｐ型シリコン窒化膜３側から正孔を注入することによって、ｎ型シリコン酸化膜２とｐ型シリコン窒化膜３との界面で発光する。 - 特許庁

(xlix) N-(1-ethylpropyl)-2,6-dinitro-3,4-xylidine; pendimethalin 例文帳に追加

四十九　Ｎ―（一―エチルプロピル）―二・六―ジニトロ―三・四―キシリジン（別名ペンディメタリン） - 日本法令外国語訳データベースシステム

LACTOBACILLUS N-DEOXYRIBOSYL TRANSFERASE, CORRESPONDING NUCLEOTIDE SEQUENCE AND USE THEREOF例文帳に追加

ラクトバチルスＮ−デオキシリボシルトランスフェラーゼ、対応するヌクレオチド配列およびその使用 - 特許庁

POLYMER CONTAINING 3-(N-SILYLALKYL)AMINOPROPEONIC ACID ESTER GROUP AND USING THEREOF例文帳に追加

３−（Ｎ−シリルアルキル）アミノプロペン酸エステル基を含むポリマーおよびその使用 - 特許庁

An oxide film 21 is selectively formed on an n^--single crystal silicon substrate 29.例文帳に追加

ｎ^-単結晶シリコン基板２９上に酸化膜２１を選択的に形成する。 - 特許庁

The logic circuit 3 performs the serial data processing of N data during each cycle.例文帳に追加

ロジック回路３は、１周期内にＮ個のデータをシリアルデータ処理する。 - 特許庁

An n-type epitaxial layer 8 is formed on a p-type single crystal silicon substrate 6.例文帳に追加

Ｐ型の単結晶シリコン基板６上にＮ型のエピタキシャル層８が形成されている。 - 特許庁

An aluminum electrode 8 is formed on the upper face 3 of the N^--type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ^-形シリコン基板１の上面３上にはアルミニウム電極８が形成されている。 - 特許庁

An ohmic electrode 2 is formed on the backside of the n-type silicone substrate 1.例文帳に追加

ｎ形シリコン基板１の裏面にはオーミック電極２が形成されている。 - 特許庁

An N type epitaxial layer 3 is formed on a P type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ−型シリコン基板１上にＮ−型エピタキシャル層３が形成されている。 - 特許庁

An n-type epitaxial layer 2 is formed on a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の上にはＮ型エピタキシャル層２が形成されている。 - 特許庁

The back electrode 2 and the n-type microcrystalline silicon semiconductor layer 31 do not come into complete contact.例文帳に追加

裏面電極２とｎ型微結晶シリコン半導体層３１は、完全に接することがない。 - 特許庁

The silicide layer 7 and the low-concentration n-type SOI layer 12 form a Schottky junction.例文帳に追加

シリサイド層７と低濃度Ｎ型ＳＯＩ層１２はショットキー接合を形成する。 - 特許庁

On a P-type silicon substrate 1, an N--epitaxial layer 4 as a collector region is formed.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上にコレクタ領域としてのｎ^-エピタキシャル層４が形成されている。 - 特許庁

DISPERSED LIQUID OF SPHERICAL RESIN PARTICLE OF CLOSSLINKED N-VINYL CARBOXYLIC ACID AMIDE COPOLYMER AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

Ｎ−ビニルカルボン酸アミド系球状架橋共重合樹脂粒子分散溶液とその製造方法 - 特許庁

The silicon nanowire has a structure of alternately layering p-type layers and n-type layers.例文帳に追加

シリコンナノワイヤーはｐ型層とｎ型層とが交互に積層された構造を有する。 - 特許庁

A p-type impurity doping region 11a is formed to an n-type silicon (Si) board 11.例文帳に追加

ｎ型シリコン（Ｓｉ）基板１１に、ｐ型不純物ドープ領域１１ａが形成されている。 - 特許庁