「そま角」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

せん、かばおよびならの丸太（そま角及び最小横断面における丸みが三〇パーセント以上の製材を含む。例文帳に追加

Logs of kalopanax pictus, betulaceae, and quercus (including hewn squares and lumbers having at least 30% curvature at the minimum cross-section)  - 日本法令外国語訳データベースシステム

本発明の炭素膜２は、円錐状または角錐状の針状炭素層２ｂの上に、線状炭素層２ｃを形成したことを特徴とする。例文帳に追加

The carbon film 2 is made by forming a linear carbon layer 2c at the top of conical or pyramidal needle-like carbon layer 2b. - 特許庁

酸化珪素膜３の表面の凹凸は、光透過性基板２の表面とのなす角度の正接が０．０６以下となっていた。例文帳に追加

In ruggedness on a surface of the oxidized silicon film 3, a tangent of an angle formed with a surface of the light transmissive substrate 2 is ≤0.06. - 特許庁

酸化珪素膜３の表面の凹凸は、光透過性基板２の表面とのなす角度の正接が０．０６以下となっていた。例文帳に追加

Irregularity of the surface of the silicon oxide film 3 is observed that a tangent of an angle with the surface of the light transmitting substrate 2 is ≤0.06. - 特許庁

非晶質珪素膜をパターン形成したときの断面形状のテーパー角度は、５０度以下であることが好ましい。例文帳に追加

The taper angle of the sectional shape of the patterned amorphous silicon film is preferably 50 degrees or smaller. - 特許庁

なお、水接触角調整剤は、光重合するためのエチレン性不飽和二重結合と撥水性を付与するためのシリコン元素又はフッ素元素とを化学構造中に持つ化合物である。例文帳に追加

The water contact angle adjusting agent is a compound having an ethylenic unsaturated double bond for photopolymerization and an element of silicon or fluorine for giving water repellency in its chemical structure. - 特許庁

概略三角形状の絶縁物を、窒化珪素膜１０８で被覆されたゲイト電極およびそれの延長の配線１０５、１０６の側面に形成する。例文帳に追加

Almost triangular insulator are formed at a gate electrode coated with a silicon nitride film 108 and on both sides of wires 105, 106 extending from the electrode. - 特許庁

そして、エッチング抑制元素又はエッチング促進元素の含有量を調整することにより、基材１に形成される凹凸形状の側壁のテーパ角を制御する。例文帳に追加

Then, by adjusting the content of the etching suppressing element or the etching accelerating element, the taper angle of a sidewall in a recessed and projected shape formed on the base material 1 is controlled. - 特許庁

本発明の立方晶炭化ケイ素膜付き基板１は、シリコン基板２の表面２ａに立方晶炭化ケイ素膜３が形成され、このシリコン基板２の立方晶炭化ケイ素膜３との界面近傍に、シリコン基板２の表面２ａから内部に向かって漸次縮小する略四角錐状の空孔４が多数形成されている。例文帳に追加

The substrate 1 attached with a cubic silicon carbide film includes the cubic silicon carbide film 3 formed on the surface 2a of the silicon substrate 2, and many quadrangular pyramid-like vacancies 4 gradually contracting inward from the surface 2a of the silicon substrate 2 formed in the vicinity of the interface between the silicon substrate 2 and the cubic silicon carbide film 3. - 特許庁

酸性キシロオリゴ糖が、「リグノセルロース材料を酵素的及び／又は物理化学的に処理してキシロオリゴ糖成分とリグニン成分の複合体を得、次いで該複合体を酸加水分解処理することによって得られたキシロオリゴ糖混合物を分離して得たもの」である前項記載の表皮角化正常化剤。例文帳に追加

The acidic xylooligosaccharide is obtained by "enzymatically and/or physicochemically treating a lignocellulose material to obtain a complex of a xylooligosaccharide component and a lignin component and then subjecting the complex to acid hydrolysis treatment to obtain a xylooligosaccharide mixture". - 特許庁

親水性塗膜は、親水性付与剤で対水接触角：60度以下に調整され、リン酸マグネシウム，リン酸水素マグネシウム，リン酸亜鉛，トリポリリン酸二水素アルミニウム，カルシウムシリケート等の非クロム系防錆顔料が配合されている。例文帳に追加

The hydrophilic coating film is adjusted to have a water contact angle of 60 degrees or less by a hydrophilicity imparting agent, and non-chrome rust proof pigment such as magnesium phosphate, magnesium hydrogen phosphate, zinc phosphate, aluminum dihydrogen tripolyphosphate, and calcium silicate is blended. - 特許庁

高容量電極活物質であるケイ素またはその化合物を、生産性の高い薄膜形成法で形成し、充放電特性劣化を起こさない電極とし、かつ蒸発原料の蒸気領域で、高角度入射近傍領域の成膜を行うこと。例文帳に追加

To form silicon which is a high-capacity electrode active material or its compound by a thin film forming method having high productivity to form an electrode which does not give rise to degradation of charging or discharging characteristics, and to perform film deposition of a vapor region of an evaporation raw material being a region near a high angle incident region. - 特許庁

感光性着色樹脂で画素を形成した液晶表示装置用カラーフィルターにおいて、Ｃ光源を使用して測定したＸＹＺ表色系色度図における赤、緑、青の各色度座標を結んでなる三角形の面積が、ＮＴＳＣ規格比８０％以上であり、かつ各画素膜厚が４μｍよりも大きく１０μm以下であることを特徴とする液晶表示装置用カラーフィルター。例文帳に追加

The color filter for the liquid crystal display device wherein a pixel is formed by using a photosensitive coloring resin is characterized in that the area of a triangle formed by connecting each chromaticity coordinates of red, green and blue in the XYZ color specification system measured by using a light source C is not smaller than 80% to the NTSC standard and each pixel has >4 μm and ≤10 μm film thickness. - 特許庁

本発明はダブル感知光源搭載電気光学マウスとその感知方法を提供し、それが同期光源及び非同期光源等のダブル感知光源の概念を利用し、双方の光源を各角度により組合わせ、こうして各種表面環境（例えば、粗末な表面、均一の表面）に関する感知感度と精度を向上することができる。例文帳に追加

In this double sensing light source-loaded electrooptical mouse and a sensing method therefor, a concept of a double sensing light source of a synchronous light source, and an asynchronous light source or the like is used, and both the light sources are combined by each angle to improve the sensing sensitivity and accuracy related to various kinds of surface environment (e.g. a coarse surface or a uniform surface). - 特許庁

論争において最澄は、しばしば非常に激烈な表現を用いて論敵を攻撃しており、たとえば『守護国界章』において最澄は、非難の対象である徳一のことを「麁食者（そじきしゃ。粗末な食べ方をする者、半可通のこと）」「謗法者（ほうぼうしゃ。賢しらに法を曲げる者）」「北轅者（ほくえんしゃ。南に行こうとして牛車・馬車の轅（ながえ）を北に向ける者。方角もわきまえぬ者）」などの蔑称で呼び、本名の徳一で呼ぶことは一切ない。例文帳に追加

In the dispute Saicho attacked the opponent by using fiery expressions and as an example in "Shugo-kokkai-sho" Saicho called Tokuitsu who was the focus of criticism in a pejorative manner, 'sojikisha' (people who have a superficial knowledge and eat humbly), 'hobosha' (people who disparage the dharma), 'hokuensha' (people who turn the shafts of gissha (ox-drawn carriage) or horse-drawn buggy to the north even though they go to go to the south because he cannot understand the direction) and never called Tokuitsu by his real name.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

本発明は、絶縁表面上に少なくとも一層の導電膜を形成し、前記導電膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを有する導電膜にエッチングを行い、バイアス電力密度、ＩＣＰ電力密度、下部電極の温度、圧力、エッチングガスの総流量、エッチングガスにおける酸素または塩素の割合に応じてテーパー角αが制御された金属配線を形成することを特徴としている。例文帳に追加

At least one layer of conductive film is formed on an insulating surface, a resist pattern is formed thereon, and then the conductive film having the resist pattern is etched to form a metallized wiring having a tapering angle αcontrolled depending on the bias power density, ICP power density, temperature of a lower electrode, pressure, total flow rate of etching gas, and the ratio of oxygen or chlorine in the etching gas. - 特許庁